技术特征：
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括支撑层、位于所述支撑层一侧表面的停止层以及位于所述停止层表面的器件层；在所述支撑层另一侧表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内形成有若干不同尺寸的背腔开口；沿各个所述背腔开口进行第一刻蚀，以刻蚀所述支撑层至各背腔开口对应位置处先后均暴露出所述停止层后停止，在所述支撑层内形成若干尺寸不同的背腔。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀包括：在其中一背腔开口位置处刻蚀至停止层后，继续利用刻蚀过程的缺口效应，进行横向刻蚀，直至其他位置处背腔均刻蚀完成。3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，至少一个背腔在靠近所述停止层的底部位置处具有沿停止层表面延伸的缺口，所述缺口由刻蚀过程的缺口效应刻蚀造成的。4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述图形化掩膜层内还形成有通孔开口，所述通孔开口尺寸大于所述背腔开口尺寸；所述第一刻蚀还包括：沿所述通孔开口刻蚀所述支撑层至所述停止层；沿所述通孔开口进行第二刻蚀，刻蚀所述停止层至所述器件层；继续进行第一刻蚀，同时刻蚀所述支撑层和所述器件层，形成贯穿所述支撑层的背腔以及贯穿所述衬底的通孔。5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，还包括：所述第二刻蚀对所述停止层的刻蚀选择性大于对所述支撑层的刻蚀选择性；和/或，所述第一刻蚀和第二刻蚀均采用深反应离子刻蚀工艺。6.根据权利要求1或4所述的形成方法，其特征在于，还包括：在第一刻蚀过程中，进行终点检测，判断是否刻蚀至所述停止层。7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述终点检测的方法包括：采用平行光垂直照射刻蚀图形底部，获取反射光斑；根据光斑图形，判断是否刻蚀到达所述停止层。8.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述器件层的表面形成若干传感单元；所述背腔开口位置与所述压电传感单元位置相对。9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述器件层上还形成有连接所述传感单元的电极层，所述通孔贯穿所述衬底暴露出所述电极层；所述形成方法还包括：在所述通孔内填充导电材料，形成导电柱，所述导电柱与所述电极层电连接。10.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述传感单元包括超声压电传感单元。11.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括支撑层、位于所述支撑层一侧表面的停止层以及位于所述停止层表面的器件层；贯穿所述支撑层至所述停止层的若干尺寸不同的背腔，至少一个背腔在靠近所述停止层的底部位置处具有沿停止层表面延伸的缺口，所述缺口由刻蚀的缺口效应刻蚀造成。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，若干尺寸不同的背腔的顶部开口的尺寸不同。13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：贯穿所述衬底的通孔，所
述通孔沿衬底表面方向的横截面尺寸为所述背腔顶部开口尺寸的两倍以上。14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述器件层表面的若干传感单元，所述若干传感单元与各背腔位置一一对应。15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述器件层上还形成有连接所述传感单元的电极层；所述通孔贯穿所述衬底暴露出所述电极层；所述通孔内填充有导电柱，所述导电柱与所述电极层电连接。16.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述传感单元包括超声压电传感单元。
技术总结
本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括支撑层、位于所述支撑层一侧表面的停止层以及位于所述停止层表面的器件层；在所述支撑层另一侧表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内形成有若干不同尺寸的背腔开口；沿各个所述背腔开口进行第一刻蚀，以刻蚀所述支撑层至各背腔开口对应位置处先后均暴露出所述停止层后停止，在所述支撑层内形成若干尺寸不同的背腔。上述方法降低了工艺复杂性。性。性。
技术研发人员：王续博 刘悦
受保护的技术使用者：上海交通大学
技术研发日：2021.10.18
技术公布日：2022/2/6