1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中，
3.根据权利要求1所述的系统，还包括定位在所述传感器(150)与附加设备之间的第二导电屏蔽层(602)，其中，所述第二导电屏蔽层(602)限定延伸穿过所述第二导电屏蔽层的多个第二孔(606)，并且其中，介电材料设置在所述多个第二孔(606)中。
4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述多个第一孔(302)相对于所述第一导电屏蔽层限定第一图案，并且其中，所述多个第二孔(606)相对于所述第二导电屏蔽层(602)限定第二图案，所述第二图案不同于所述第一图案。
5.根据权利要求3所述的系统，其中，所述多个第一孔(302)相对于所述第一导电屏蔽层限定第一图案，其中，所述多个第二孔(606)相对于所述第二导电屏蔽层(602)限定第二图案，第一部分的至少一部分在几何上类似于第二部分的至少一部分，并且所述第二图案在空间上与所述第一图案偏移。
6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一导电屏蔽层(102)包括多个平行的第一导电段，并且其中，所述第一导电段通过垂直于所述多个第一导电段的多个平行的第二导电段电互连。
7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述第一膜(156)在第一方向上的长度大于所述第一膜在与所述第一方向正交的第二方向上的长度，以及
8.根据权利要求7的系统，其中，所述多个第一导电段中的每个第一导电段在所述第二方向上的长度小于所述第一导电屏蔽层(102)在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上的厚度的3倍。
9.根据权利要求7的系统，其中，所述多个第一导电段中的每个第一导电段在所述第二方向上的长度小于所述第一导电屏蔽层在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上的厚度。
10.根据权利要求1的系统，其中，在横截面中，所述多个第一孔的面积为所述多个第一导电屏蔽层的总面积的40％至90％。
11.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一导电屏蔽层的厚度小于0.8μm。
12.根据权利要求1所述的系统，其中，
13.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一导电屏蔽层包括钛、氮化钛或铜中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一导电屏蔽层定位在所述传感器与可操作以生成电干扰信号的多个设备之间，并且其中，所述传感器可操作以在测量所述基底电极与所述第一膜电极之间的电容时关闭所述多个设备中的至少一个设备。
15.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一环境条件是所述系统的环境中的压力。
16.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一膜和所述基底限定第一腔。
17.根据权利要求1所述的系统，其中，所述传感器是压差传感器。
18.根据权利要求1所述的系统，其中，所述传感器是集成在cmos读出电路的顶部上的电容式压力传感器。
19.根据权利要求1所述的系统，其中，所述传感器是接合至cmos读出电路的电容式压力传感器mems元件。
20.根据权利要求1所述的系统，还包括附加层，所述附加层包括金属布线的图案；