一种多腔式微型原子气室及其制备方法

文档序号:37858007发布日期:2024-05-07 19:32阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种多腔式微型原子气室的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,每个气室通孔与气源凹槽之间连通的直角状微通道长度相等;

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述垂直通道为深硅刻蚀或激光刻蚀;

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法,其特征在于,步骤s6所述划片处理的划片位置避开原子气室、水平通道和熔融封堵后的垂直通道。

5.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,所述深硅刻蚀为先进行涂胶,用光刻的方法进行图形转移,形成对应的掩膜;用反应离子刻蚀;

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法,其特征在于,步骤s3所述碱金属叠氮化物包括叠氮化铷与叠氮化铯中的至少一种;

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法,其特征在于,步骤s5所述扩散后的碱金属蒸汽浓度为1×1010/cm3-5×1015/cm3,压力为0.13-13kpa。

8.如权利要求1-7任一项所述制备方法制得的多腔式微型原子气室。

9.根据权利要求8所述的多腔式微型原子气室,其特征在于:所述原子气室的压力为0.13-13kpa。

10.根据权利要求8或9所述的多腔式微型原子气室,其特征在于:所述原子气室为毫米、百微米或亚微米级别。


技术总结
本发明涉及原子器件的技术领域,公开一种多腔式微型原子气室及其制备方法。原子气室制备方法为使用CMOS平台兼容的硅基MEMS工艺,包括以下步骤:于晶圆衬底一面刻蚀出气源凹槽与至少两个气室通孔;另一面刻蚀出两端分别连通气源凹槽与气室通孔的直角状微通道;所述直角状微通道包括垂直于气源凹槽底面的垂直通道和水平通道;填充碱金属叠氮化物,真空条件下,两面分别键合玻璃,形成气源室和原子气室;激发碱金属叠氮化物,使其分解;待碱金属蒸汽扩散,熔融封堵垂直通道;对晶圆衬底进行划片处理,完成气源室与原子气室的分离。本发明密封垂直通道,可以实现长期封堵。一批次形成多个原子气室,各参数相同,提高了参数的均匀性。

技术研发人员:李新普,李奕晗,常晓阳,周子尧
受保护的技术使用者:北京航空航天大学
技术研发日:
技术公布日:2024/5/6
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