1.一种mems器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，每个所述背腔的靠近所述释放孔一侧的开口为第一开口；
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述根据所述修正参数确定所述多个通孔的尺寸是否满足要求，包括：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，当所述第一长度小于所述第一标准长度，且所述第一长度与所述第一标准长度的第一差值大于预设的第一差值阈值时，所述根据所述修正参数制备修正掩模版，包括：
5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，当所述第二长度小于所述第二标准长度，且所述第二长度与所述第二标准长度的第二差值大于预设的第二差值阈值时，所述根据所述修正参数制备修正掩模版，包括：
6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，当所述第一偏差大于预设的第一偏差阈值时，所述根据所述修正参数制备修正掩模版，包括：
7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，当所述第二偏差大于预设的第二偏差阈值时，所述根据所述修正参数制备修正掩模版，包括：
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述晶圆包括硅衬底以及设置在所述硅衬底上的多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述利用初始掩模版在所述晶圆的背面光刻刻蚀形成多个背腔，包括：
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述利用所述修正掩模版在新晶圆上形成连通所述新晶圆正面和背面的多个通孔，包括：