专利名称：锡铋电镀系统中防止置换反应的方法
技术领域：
本发明涉及电镀技术，尤其涉及在集成电路封装领域中，对管脚电镀时，防止置换反应的方法。
背景技术：
众所周知，集成电路一般都是通过引脚(管脚)与外届电路相连。为了提高这种电连接的可靠性和稳定性，都会对集成电路的引脚进行电镀。目前常用的电镀方法有一种称为SnBi方案(锡铋方案)，在这种电镀方案中，不使用铅成份，减少了对环境的污染，已成为当前封装业的趋势。
SnBi电镀方案的基本原理是用锡球作为阳极，待电镀产品(例如，集成电路的引脚)作为阴极，SnBi溶液作为电镀液。电镀时，在阳极锡球和阴极产品上发生的化学反应如下阳极，阴极，然而，当SnBi电镀系统不工作时，锡球与SnBi电镀液会即刻发生置换反应，即，置换反应发生后，Bi离子会迅速从溶液中沉积下来，导致溶液中的Bi含量降低，在电镀时，难以控制组份。在SnBi电镀方案中，对Bi离子在电镀液中的含量范围要求非常高，一般应控制在1-4％之间。若发生上述的置换反应，就很难有效地控制这一范围，导致大量生产发生根本的困难，严重时甚至做实验都有问题。
发明内容
缘此，本发明的目的在于提供一种防止SnBi电镀系统发生置换反应的方法，从而能够容易地控制电镀液中Bi离子的含量，进行大批量的生产。
根据上述目的，本发明提供的防止SnBi电镀系统发生置换反应的方法是，当SnBi电镀系统未进行电镀时，施加1安培至10安培的电流。
本发明人根据实验获得，当SnBi电镀系统停止工作，即不进行电镀时，电源对阳极、阴极、电镀液极成的电回路上施加1-10A的弱电流，通过外加电场的方法控制分子间的力，从而会有效地防止上述置换反应的发生。
图1示出了本发明的锡铋电镀系统中防止置换反应的方法在高速电镀线电镀方式中的应用示意图；图2示出了本发明的锡铋电镀系统中防止置换反应的方法在挂镀线电镀方式的应用示意图。
具体实施例方式
首先请参阅图1所示，图1示出了高速电镀线电镀方式的结构示意图。图中1为电镀单元，在电镀单元1中容置有SnBi电镀液3，在电镀液3中放置有锡球2，作为电镀阳极，其通过导线5A连接到电源E的正极。在电镀液3中还放置有产品夹7，产品夹7通过导线5B连接到电源E的负极，其一端电连接在传输带6上，另一端可以夹紧一待镀产品4(例如，集成电路引脚)。一般在传输带6可以固定多个夹子7，传输带6在移动时，将把多个夹子7以及其夹紧的产品6分别带入到电镀液3中进行电镀(图1中，传输带6和夹子7的机械结构，属于现有技术，为方便起见，仅示出了其示意图)。如图1所示，为了监测电镀的工作电压和电流，通常还会在电镀系统中加入电压表V和电流表A。
如背景技术中所述，当如图1所示的SnBi电镀系统不工作时，即暂时无产品需要电镀时，锡球2与电镀液3之间会发生置换反应。在本发明中，为了防止这种置换反应，在电镀系统不工作时，施加1A-10A的弱电流，通过外加电场的方式控制分子间的力，强制置换反应不发生。
图2是本发明的方法在挂镀线电镀方式中的应用。其基本工作原理与图1相似，只是在结构上有所变化，如阴极采用挂钩7A，产品4A挂在挂钩7A上。因此，在此省略了对其工作原理的描述，请参见对图1的描述。
上面仅示出了目前的业届常用的两种电镀形式，当然，应当理解，本发明的上述构思和精神亦可容易地被应用于其它的电镀形式，例如滚镀线电镀方式等，在此不再一一细述。因此本发明的保护范围不应受到上述具体实施例的限制，而应由所附的权利要求书为准。
权利要求
1.一种防止SnBi电镀系统发生置换反应的方法，其特征在于，当SnBi电镀系统未进行电镀时，施加1安培至10安培的电流。
全文摘要
本发明涉集成电路封装领域，具体地说，涉及对管脚电镀时，防止置换反应的方法。在集成电路电镀技术中，SnBi电镀方案属于无化技术，对环境污染较小，已成为封装业的一种趋势。然而这种SnBi方案中，存在着电镀系统不工作时，锡球与SnBi电镀液会即刻发生置换反应的问题，造成组份难以控制。因此，本发明提供一种防止SnBi电镀系统发生置换反应的方法，其特征在于，当SnBi电镀系统未进行电镀时，施加1安培至10安培的电流。通过实验证明，本发明的方法能有效地防止这种置换反应的发生。
文档编号C25D21/00GK1603474SQ0315144
公开日2005年4月6日 申请日期2003年9月29日 优先权日2003年9月29日
发明者侯咏海 申请人:威宇科技测试封装(上海)有限公司