专利名称：一种提高钼基电触头表面镀金结合强度的方法
技术领域：
本发明属于金属材料表面改性技术领域，提供了一种提高钥基电触头表面镀金结合强度的方法，以解决钥基电触头表面镀金层脱落、起皮的问题。
背景技术：
电接触材料一般要求具有高导电、高导热、高熔点、高强度、低接触电阻和低温升等特点，目前电接触材料分为三大类纯金属电接触材料、合金电接触材料和复合电接触材料。其中钥金属材料作为纯金属电接触材料具有熔点高、硬度大、强度高、耐磨和抗熔焊性好等优点，但由于钥在电弧的作用下易生成颗 粒状氧化物，增大了电触头的接触电阻，严重影响电接触的可靠性和稳定性。为了防止电触头表面氧化，一般采用电触头表面镀覆具有化学性质稳定、低电阻率薄膜材料的方法，如镀金。但在钥基电触头表面直接镀金时，由于钥为体心立方晶体结构，而金为面心立方晶体结构，钥和金的晶格匹配度相差大，所以镀金层会自行脱落、起皮，影响电触头的使用寿命和可靠性。
发明内容
为了解决镀金层与钥基电触头表面的结合力问题，本发明提供了一种增强钥基表面镀金结合强度的方法，用这种方法获得了与钥基电触头表面结合牢固的镀金层。为了实现上述发明目的，本发明采用了如下工艺步骤( I)预处理电镀前，将钥基电触头置于氢炉中在900°C进行30分钟热处理，以去除钥基电触头表面氧化物，之后进行超声波清洗，去除油污。(2)电镀铜过渡铜层电镀液的组成五水硫酸铜215 250g/L，硫酸65 80g/L，其余是水；工艺参数pH值I. 3 I. 5，电流密度O. 4 O. 6A/dm2，温度20 50°C，电镀时间30 120s, pH值用硫酸和氢氧化钠调节。(3)电镀金获得电镀铜层后，再进行镀金；镀金液的组成三氯化金25 35g/L，亚硫酸钠135 160g/L，氯化钠85 100g/L，其余是水。工艺参数pH值9 11，电流密度O. I O. 3A/dm2，温度25 35°C。电镀时间90 140s，pH值用硫酸和氢氧化钠调节。当电镀铜时间少于30s或大于120s时，所获得的镀铜层太薄或过厚，都会使后续镀金层与基体结合性差。在30 120s之间镀铜后再镀金，所获得的镀金层与基体结合性好。本发明的优点在于先采用电沉积铜工艺获得厚度为O. I Iym的过渡层，之后在过渡层上进行镀金。采用此法可获得与基体结合性好的镀金层，操作简便，方法简单，工艺参数易于调节。
图I :实例I电镀效果图。
具体实施例方式实例I :按表I中电镀液的组成配制，电镀铜时间设定为30s，然后按照上述工艺步骤电镀铜过渡层。表I具体实施条件
权利要求
1.一种提高钥基电触头表面镀金结合强度的方法，其特征在于所采用的工艺步骤如下 (1)预处理 电镀前，将钥基电触头置于氢炉中在900°C进行30分钟热处理，以去除钥基电触头表面氧化物，之后进行超声波清洗，以去除油污； (2)电镀铜 过渡铜层电镀液的组成五水硫酸铜215 250g/L，硫酸65 80g/L，其余是水；工艺参数pH值I. 3 I. 5，电流密度0. 4 0. 6A/dm2，温度20 50°C，电镀时间30s 120s, pH值用硫酸和氢氧化钠调节； (3)电镀金 获得电镀铜层后，采用镀金液进行镀金； 镀金液的组成三氯化金25 35g/L，亚硫酸钠135 160g/L，氯化钠85 100g/L，其余是水； 工艺参数pH值9 11，电流密度0. I 0. 3A/dm2，温度25 35°C，电镀时间90 140s, pH值用硫酸和氢氧化钠调节。
全文摘要
一种提高钼基电触头表面镀金结合强度的方法，属于金属材料表面改性领域。本发明步骤电镀前去除钼基电触头表面氧化物，然后用超声波清洗去除油污；之后电镀铜，铜层电镀液的组成五水硫酸铜215～250g/L，硫酸65～80g/L，其余是水；工艺参数pH值1.3～1.5，电流密度0.4～0.6A/dm2，温度20～50℃，电镀时间30s～120s，pH值用硫酸和氢氧化钠调节；再电镀金，镀金液的组成三氯化金 25～35g/L，亚硫酸钠 135～160g/L,氯化钠 85~100g/L，其余是水；工艺参数pH值9～11，电流密度0.1～0.3A/dm2，温度25～35℃，电镀时间90～140s，pH值用硫酸和氢氧化钠调节。本发明获得的镀金层与钼基电触头表面结合良好，无脱落、起皮现象发生。
文档编号C25D5/40GK102758232SQ201210227920
公开日2012年10月31日 申请日期2012年7月2日 优先权日2012年7月2日
发明者丁艳凤, 张珊, 范爱玲, 黄浪 申请人:北京工业大学