本发明属于电解铜箔技术领域，尤其涉及一种高粗糙度电解铜箔及其制备方法。
背景技术：
电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。在当今电子信息产业高速发展中，电解铜箔被称为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。2002年起，我国印制电路板的生产值已经越入世界第三位，作为PCB的基板材料———覆铜板也成为世界上第三大生产国。由此也使我国的电解铜箔产业在近几年有了突飞猛进的发展。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供了一种高粗糙度电解铜箔及其制备方法，特别适合于双面与无纺布粘合的电解铜箔制备。
本发明采用的技术方案如下：
一种高粗糙度电解铜箔，所述电解铜箔包括光面和毛面，所述光面和毛面均与无纺布粘合。
一种高粗糙度电解铜箔的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
第一阶段：
步骤1：对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对毛面进行酸洗；
步骤3：对毛面进行粗化铜处理；
步骤4：对毛面进行固化铜处理；
步骤5：对毛面进行镀锌处理；
步骤6：对毛面进行钝化处理；
步骤7：对毛面进行烘干处理；
第二阶段：
步骤1：对铜箔的光面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对光面进行酸洗；
步骤3：对光面进行粗化铜处理；
步骤4：对光面进行固化铜处理；
步骤5：对光面进行镀锌处理；
步骤6：对光面进行钝化处理；
步骤7：对光面进行烘干处理。
进一步的，所述对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理和对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理的过程中，采用的抛刷辊型号为400#～1000#。
进一步的，所述对毛面进行酸洗和对光面进行酸洗过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度≤10g/L、H2SO4浓度范围为100g/L～200g/L、溶液温度20～40℃。
进一步的，所述对毛面进行粗化铜处理和对光面进行粗化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度为9g/L～15g/L、H2SO4浓度范围为120g/L～200g/L、溶液温度为25～35℃，电流密度为1500～3700A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行固化铜处理和对光面进行固化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度40g/L～65g/L、H2SO4浓度范围为90g/L～130g/L、溶液温度40～60℃，电流密度1500～3000A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行固化铜处理和对光面进行固化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Zn2+浓度范围为4g/L～5g/L、K4P2O7浓度范围为150g/L～170g/L、PH值9～12、溶液温度20～50℃，电流密度50～100A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行钝化处理和对光面进行钝化处理的过程中，采用的电解溶液中Cr6+浓度为1g/L～2.5g/L、PH值为10～12、溶液温为20～40℃，电流密度100～400A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行烘干处理和对光面进行烘干处理的温度为200℃～300℃。
综上所述，本发明提供了一种高粗糙度电解铜箔及其制备方法，特别适合于双面与无纺布粘合的电解铜箔制备。
具体实施方式
本发明提供了一种高粗糙度电解铜箔及其制备方法，用于解决现有技术中。
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了更详细说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种高粗糙度电解铜箔及其制备方法，进行具体地描述。
实施例1
一种高粗糙度电解铜箔，所述电解铜箔包括光面和毛面，所述光面和毛面均与无纺布粘合。
一种高粗糙度电解铜箔的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
第一阶段：
步骤1：对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对毛面进行酸洗；
步骤3：对毛面进行粗化铜处理；
步骤4：对毛面进行固化铜处理；
步骤5：对毛面进行镀锌处理；
步骤6：对毛面进行钝化处理；
步骤7：对毛面进行烘干处理；
第二阶段：
步骤1：对铜箔的光面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对光面进行酸洗；
步骤3：对光面进行粗化铜处理；
步骤4：对光面进行固化铜处理；
步骤5：对光面进行镀锌处理；
步骤6：对光面进行钝化处理；
步骤7：对光面进行烘干处理。
实施例2
一种高粗糙度电解铜箔，所述电解铜箔包括光面和毛面，所述光面和毛面均与无纺布粘合。
一种高粗糙度电解铜箔的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
第一阶段：
步骤1：对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对毛面进行酸洗；
步骤3：对毛面进行粗化铜处理；
步骤4：对毛面进行固化铜处理；
步骤5：对毛面进行镀锌处理；
步骤6：对毛面进行钝化处理；
步骤7：对毛面进行烘干处理；
第二阶段：
步骤1：对铜箔的光面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对光面进行酸洗；
步骤3：对光面进行粗化铜处理；
步骤4：对光面进行固化铜处理；
步骤5：对光面进行镀锌处理；
步骤6：对光面进行钝化处理；
步骤7：对光面进行烘干处理。
进一步的，所述对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理和对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理的过程中，采用的抛刷辊型号为400#～1000#。
进一步的，所述对毛面进行酸洗和对光面进行酸洗过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度≤10g/L、H2SO4浓度范围为100g/L～200g/L、溶液温度20～40℃。
进一步的，所述对毛面进行粗化铜处理和对光面进行粗化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度为9g/L～15g/L、H2SO4浓度范围为120g/L～200g/L、溶液温度为25～35℃，电流密度为1500～3700A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行固化铜处理和对光面进行固化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度40g/L～65g/L、H2SO4浓度范围为90g/L～130g/L、溶液温度40～60℃，电流密度1500～3000A/㎡。
实施例3
一种高粗糙度电解铜箔，所述电解铜箔包括光面和毛面，所述光面和毛面均与无纺布粘合。
一种高粗糙度电解铜箔的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
第一阶段：
步骤1：对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对毛面进行酸洗；
步骤3：对毛面进行粗化铜处理；
步骤4：对毛面进行固化铜处理；
步骤5：对毛面进行镀锌处理；
步骤6：对毛面进行钝化处理；
步骤7：对毛面进行烘干处理；
第二阶段：
步骤1：对铜箔的光面使用抛刷辊进行抛刷处理；
步骤2：对光面进行酸洗；
步骤3：对光面进行粗化铜处理；
步骤4：对光面进行固化铜处理；
步骤5：对光面进行镀锌处理；
步骤6：对光面进行钝化处理；
步骤7：对光面进行烘干处理。
进一步的，所述对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理和对铜箔的毛面使用抛刷辊进行抛刷处理的过程中，采用的抛刷辊型号为400#～1000#。
进一步的，所述对毛面进行酸洗和对光面进行酸洗过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度≤10g/L、H2SO4浓度范围为100g/L～200g/L、溶液温度20～40℃。
进一步的，所述对毛面进行粗化铜处理和对光面进行粗化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度为9g/L～15g/L、H2SO4浓度范围为120g/L～200g/L、溶液温度为25～35℃，电流密度为1500～3700A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行固化铜处理和对光面进行固化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Cu2+浓度40g/L～65g/L、H2SO4浓度范围为90g/L～130g/L、溶液温度40～60℃，电流密度1500～3000A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行固化铜处理和对光面进行固化铜处理的过程中，采用的电解溶液中：Zn2+浓度范围为4g/L～5g/L、K4P2O7浓度范围为150g/L～170g/L、PH值9～12、溶液温度20～50℃，电流密度50～100A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行钝化处理和对光面进行钝化处理的过程中，采用的电解溶液中Cr6+浓度为1g/L～2.5g/L、PH值为10～12、溶液温为20～40℃，电流密度100～400A/㎡。
进一步的，所述对毛面进行烘干处理和对光面进行烘干处理的温度为200℃～300℃。
前述的高粗化度电解铜箔的制备方法中，所述粗化铜阶段，铜箔光、毛面电流密度分四段定位，给定的电流密度分别为2800～3700、1500、2800～3700、和1500A/㎡，即采用两个电解槽，四块阳极板来实现，给定时间相同。
前述的高耐热电解铜箔的制备方法中，所述固化铜阶段，铜泊光面、毛面电流密度分二段给定，光面、毛面给定的电流密度分别为1500～3500A/㎡和1500～3500A/㎡，即采用两个电解槽，两块阳极板来实现，给定时间相同，电流密度不完全一致。
前述的高耐热电解铜箔的制备方法中，所述镀锌阶段，光面、毛面电流密度分二段给定，光面、毛面给定的电流密度分别为50～100A/㎡和50～100A/㎡，镀锌阶段分光面、毛面给定不同的电流密度，时间均相同。
前述的高粗糙度电解铜箔的制备方法中，所述钝化阶段分光面、毛面电流密度分二段给定，电流密度分别为100～400A/㎡和100～400A/㎡。钝化阶段分光面、毛面给定不同的电流密度，时间均相同。
前述的高粗糙度电解铜箔的制备方法中，所述直流电沉积工艺制得电解铜箔的具体方法是，采用直流电沉积工艺将电解液组成与电沉积工艺参数进行合理组合，其工艺流程如下：采用电解液Cu2+70～90g/L、H2SO4浓度100～140g/L、Cl-浓度20±5PPm的参数，温度50～60℃、流量40～60m3/h、电流密度5000～8000A/㎡进行电沉积。
所述有机添加剂为胶原蛋白，胶原蛋白的添加量为2mg/L，分子量1000～5000。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。