1.一种组合物，其包含以下组分：
(a)金属离子，基本上由钴离子组成，和
(b)流平剂，包含式l1结构：
[b]n[a]p(l1)
或具有式l2结构：
或包含式l3a或l3b结构：
或具有式l4结构：
及其盐，
其中：
r1选自x1-co-o-r11、x1-so2-o-r11、x1-po(or11)2和x1-so-o-r11；
r2、r3、r4独立地选自r1和(i)h、(ii)芳基、(iii)c1-c10烷基、(iv)芳烷基、(v)烷芳基和(vi)-(o-c2h3r12)m-oh，条件是如果r2、r3或r4之一选自r1，则其他基团r2、r3或r4不同于r1，
r31选自r1、h、or5和r5，
r32选自(i)h和(ii)c1-c6烷基，
x1为选自以下的二价基团：(i)化学键、(ii)芳基、(iii)可间隔有o原子的c1-c12烷二基、(iv)芳烷基-x11-x12-、(v)烷芳基-x12-x11-和(vi)-(o-c2h3r12)mo-，
x2为(i)化学键或(ii)甲烷二基，
r11选自h和c1-c4烷基，
r12选自h和c1-c4烷基，
x12为二价芳基，
x11为二价c1-c15烷二基，
a为选自可任选(聚)乙氧基化的乙烯醇和丙烯酰胺的共聚单体，
b选自式l1a：
n为2-10,000的整数，
m为2-50的整数，
o为2-1000的整数，且
p为0或1-10,000的整数，
并且其中所述组合物不含任何分散颗粒。
2.如权利要求1或2所述的组合物，其中r2、r3和r4选自h、甲基、乙基或丙基。
3.如权利要求1所述的组合物，其中r2和r3或r4选自h、甲基、乙基或丙基，且其他基团r3或r4选自r1。
4.如权利要求1所述的组合物，其中r3和r4选自h、甲基、乙基或丙基，且r2选自r1。
5.如权利要求1所述的组合物，其中流平剂为式l4a化合物：
其中r5、r6、r7、r8和r9独立地选自(i)h和(ii)c1-c6烷基，优选为h、甲基、乙基或丙基。
6.如前述权利要求中任一项所述的组合物，其中r11为h。
7.如前述权利要求中任一项所述的组合物，其中n+p为10-5000的整数且m为2-30的整数。
8.如前述权利要求中任一项所述的组合物，其中流平剂选自聚丙烯酸、衣康酸、马来酸丙烯酸共聚物、衣康酸丙烯酸共聚物、聚膦酸和聚磺酸。
9.如权利要求1-7中任一项所述的组合物，其中流平剂选自丙烯酸、衣康酸、乙烯基膦酸和乙烯基磺酸。
10.如权利要求1-7中任一项所述的组合物，其中r1为磺酸根且r31为oh。
11.如权利要求1-7中任一项所述的组合物，其中流平剂选自对甲苯磺酸盐和对甲苯磺酸盐。
12.如前述权利要求中任一项所述的组合物，其中该组合物进一步包含选自羟基炔或胺基炔的抑制剂。
13.化合物用于在半导体基材上沉积基本上由钴组成的金属的用途，其中所述基材包含孔尺寸低于100nm，优选低于50nm的凹入构件，所述化合物包含式l1、l2、l3a、l3b或l4结构要素：
[b]n[a]p(l1)
或具有式l2结构：
或包含式l3a或l3b结构：
或具有式l4结构：
及其盐，
其中：
r1选自x1-co-o-r11、x1-so2-o-r11、x1-po(or11)2、x1-so-o-r11；
r2、r3、r4独立地选自r1和(i)h、(ii)芳基、(iii)c1-c10烷基、(iv)芳烷基、(v)烷芳基和(vi)-(o-c2h3r12)m-oh，条件是如果r2、r3或r4之一选自r1，则其他基团r2、r3或r4不同于r1，
r31选自r1、h、or5和r5，
r32选自(i)h和(ii)c1-c6烷基，
x1为选自以下的二价基团：(i)化学键、(ii)芳基、(iii)可间隔有o原子的c1-c12烷二基、(iv)芳烷基-x11-x12-、(v)烷芳基-x12-x11-和(vi)-(o-c2h3r12)mo-，
x2为(i)化学键或(ii)甲烷二基，
r11选自h和c1-c4烷基，
r12选自h和c1-c4烷基，
x12为二价芳基，
x11为二价c1-c15烷二基，
a为选自可任选(聚)乙氧基化的乙烯醇和丙烯酰胺的共聚单体，
b选自式l1a：
n为2-10,000的整数，
m为2-50的整数，
o为2-1000的整数，且
p为0或1-10,000的整数。
14.一种将钴沉积至包含孔尺寸低于100nm的凹入构件的半导体基材上的方法，该方法包括：
(a)使如权利要求1-11中任一项所述的组合物与该半导体基材接触，
(b)施加电位达足以用钴填充凹入构件的时间。
15.如权利要求14所述的方法，其包括步骤(a1)，该步骤(a1)包括在步骤(a)之前将钴晶种沉积至凹入构件的介电表面上。
16.如权利要求14或15所述的方法，其中凹入构件的孔尺寸为30nm，优选为15nm或更低。