技术特征：
1.一种具有安培级电流密度析氢性能的mo/moo2面内异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)前驱体moo2纳米片的制备：将原料moo3粉末放置于瓷舟内，随后将瓷舟置于加热炉中，在氢气和惰性载气的混合气氛下于800～1000℃进行焙烧，得到前驱体moo2纳米片；(2)moo2/mo面内结材料的制备：将所述步骤(1)得到的所述前驱体moo2纳米片置于加热炉中，在氢气和惰性载气的混合气氛下于400～700℃进行焙烧，得到moo2/mo面内结材料；该moo2/mo面内结材料能够在468mv过电位条件下即可提供超过1a cm
‑2的电流密度。2.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述混合气氛中氢气和惰性载气的的流量比为10：1～1：10；所述混合气氛的流量为50sccm～600sccm。3.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，原料moo3粉末的质量不超过10g。4.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述焙烧的时间为10min～120min。5.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述加热炉为滑轨管式炉，并且所述焙烧是当所述滑轨管式炉的温度升温至预设的焙烧温度后，将该滑轨管式炉的中心温区移动至所述moo3粉末的中心进行的；优选的，所述滑轨管式炉的升温速率为5～30℃min
‑1。6.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述混合气氛中氢气和惰性载气的流量比为10：1～1：10；所述混合气氛的流量为50sccm～600sccm。7.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述前驱体moo2纳米片的质量不超过9g。8.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述焙烧的时间为10min～300min。9.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述加热炉为滑轨管式炉，并且所述焙烧是当所述滑轨管式炉的温度升温至预设的焙烧温度后，将该滑轨管式炉的中心温区移动至所述前驱体moo2纳米片的中心进行的；优选的，所述滑轨管式炉的升温速率为5～30℃min
‑1。