镀覆装置的制作方法

本申请涉及镀覆装置。

背景技术：

1、作为镀覆装置的一个例子，公知有杯式的电解镀覆装置(例如，参照专利文献1)。杯式的电解镀覆装置通过使以被镀覆面朝向下方的方式被基板支架保持的基板(例如半导体晶圆)浸渍于镀覆液，在基板与阳极之间施加电压，而使导电膜在基板的表面析出。

2、在镀覆装置中，通常，基于实施镀覆处理的基板的成为目标的镀覆膜厚、实际镀覆面积，由使用者预先设定镀覆电流值以及镀覆时间等参数作为镀覆处理方案，基于所设定的处理方案进行镀覆处理(例如，参照专利文献2)。而且，通过同一处理方案对同一载体的多个晶圆进行镀覆处理。此外，在测定镀覆处理后的镀覆膜厚的情况下，通常在载体内的所有晶圆的镀覆处理结束之后，连同装入了晶圆的载体一起从镀覆装置向其他膜厚测定装置进行搬送，单独地测定膜厚以及晶圆面内的轮廓。

3、专利文献1：日本特开2008-19496号公报

4、专利文献2：日本特开2002-105695号公报

5、在镀覆装置中，即便在同一工艺条件下对同一载体的基板进行镀覆处理，也存在因基板的尺寸公差，或因镀覆槽内的镀覆液的状态的变化等而在形成于每个基板的镀覆膜的膜厚产生偏差的担忧。此外，即便调整针对多个基板的平均膜厚，也存在在同一基板内因部位不同而在镀覆膜厚产生偏差的情况。

技术实现思路

1、鉴于以上的实际情况，本申请的目的之一在于提供能够在镀覆处理中检测形成于基板的镀覆膜的膜厚的镀覆装置。

2、根据一个实施方式，提出一种镀覆装置，该镀覆装置具备：镀覆槽；基板支架，其用于保持基板；阳极，其以与被上述基板支架保持的基板对置的方式配置于上述镀覆槽内；电阻体，其配置于上述基板与上述阳极之间，用于调整电场；第1检测电极，其配置于上述基板的被镀覆面与上述阳极之间的区域，该第1检测电极的前端配置于上述电阻体内部的第1位置；第2检测电极，其配置于上述镀覆槽内的与上述第1位置相比没有电位变化的第2位置；以及控制模块，其测定上述第1检测电极与上述第2检测电极的电位差，基于上述电位差在镀覆处理中推断上述基板的镀覆膜厚。

技术特征：

1.一种镀覆装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，具备：

5.根据权利要求4所述的镀覆装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的镀覆装置，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，

技术总结
提出能够在镀覆处理中检测形成于基板的镀覆膜的膜厚的镀覆装置。镀覆装置具备：镀覆槽；基板支架，其用于保持基板；阳极，其以与被上述基板支架保持的基板对置的方式配置于上述镀覆槽内；电阻体，其配置于上述基板与上述阳极之间，用于调整电场；第1检测电极，其配置于上述基板的被镀覆面与上述阳极之间的区域，该第1检测电极的前端配置于上述电阻体内部的第1位置；第2检测电极，其配置于上述镀覆槽内的与上述第1位置相比没有电位变化的第2位置；以及控制模块，其测定上述第1检测电极与上述第2检测电极的电位差，基于上述电位差推断上述基板的镀覆膜厚。

技术研发人员：樋渡良辅,石井翼,増田泰之,下山正
受保护的技术使用者：株式会社荏原制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6