真空泵和其旋转体的制作方法

本发明涉及作为半导体制造装置、平板显示器制造装置、太阳能面板制造装置中的工艺腔室或其他腔室的气体排出机构使用的真空泵和其旋转体，特别涉及能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂、耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。

背景技术：

1、以往，作为这种真空泵，已知有例如在专利文献1中记载的涡轮分子泵。同文献的涡轮分子泵(以下称作“以往的真空泵”)为通过具备多个旋转叶片(动叶片12)的旋转体(泵转子10)的旋转将气体排出的构造。

2、另外，在以往的真空泵中，欲通过在旋转体(泵转子10)的表面上设置黑ni镀层的表面处理层(s1)和ni镀层的表面处理层(s4)，而在旋转体表面的放射率上设计差异，并且防止由工艺气体造成的旋转体的腐蚀。

3、但是，根据以往的真空泵，在黑ni镀层的表面处理层(s1)与ni镀层的表面处理层(s4)之间的边界部，存在旋转体(泵转子10)的母材露出的区域(s5)等，而对这样的边界部处的母材并未采取任何防腐蚀对策，不能有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂，不能说耐腐蚀性优异。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2015-229949号

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明是为了解决前述问题而做出的，其目的是提供一种能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂、耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。

3、用来解决技术问题的手段

4、为了达成前述目的，本发明在借助旋转体的旋转将气体排出的真空泵中，其特征在于，前述旋转体在其表面具有被第1表面处理层覆盖的第1区域和被第2表面处理层覆盖的第2区域；前述第1区域和前述第2区域之间的边界部有各自的表面处理层重叠的区域。

5、在前述本发明中，其特征也可以在于，前述旋转体为在圆筒部的外周部形成有旋转叶片的形状；前述边界部位于前述圆筒部的内表面。

6、在前述本发明中，其特征也可以在于，前述边界部位于前述圆筒部的内表面的端部附近。

7、在前述本发明中，其特征也可以在于，在前述旋转体的中心，经由紧固部安装着转子轴；在前述紧固部，为前述转子轴的末端部与前述旋转体侧的第1孔嵌合的状态；前述边界部位于前述第1孔的开口边缘部或其周围。

8、在前述本发明中，其特征也可以在于，在与前述第1孔的前述开口边缘部或其周围对置的部件的面上，设置有与前述边界部对应的避让部。

9、在前述本发明中，其特征也可以在于，在前述旋转体的中心设置有用于供转子轴的末端部嵌合的第1孔；在前述第1孔的内表面没有前述边界部。

10、在前述本发明中，其特征也可以在于，在前述旋转体的中心，经由紧固部安装着转子轴；在前述紧固部，为用来将前述旋转体与前述转子轴紧固的螺栓被从前述旋转体侧的第2孔插入的状态；前述边界部位于前述第2孔的内表面。

11、在前述本发明中，其特征也可以在于，前述第1区域设置在前述圆筒部的外表面及前述旋转叶片的表面；前述第2区域设置在前述圆筒部的内表面。

12、在前述本发明中，其特征也可以在于，前述第2表面处理层与前述第1表面处理层相比放射率较高。

13、此外，本发明是将气体排出的真空泵的旋转体，其特征在于，前述旋转体在其表面具有被第1表面处理层覆盖的第1区域和被第2表面处理层覆盖的第2区域，前述第1区域和前述第2区域之间的边界部有各自的表面处理层重叠的区域。

14、发明效果

15、在本发明中，作为真空泵和其旋转体的具体的结构，采用旋转体在其表面具有被第1表面处理层覆盖的第1区域和被第2表面处理层覆盖的第2区域、第1区域和第2区域之间的边界部有各自的表面处理层重叠的区域的结构，所以旋转体的母材在边界部不露出，在几乎没有露出的母材暴露在腐蚀性气体中的情况这一点上，能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂，能够提供耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。

技术特征：

1.一种真空泵，借助旋转体的旋转将气体排出，其特征在于，

2.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，

3.如权利要求2所述的真空泵，其特征在于，

4.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，

5.如权利要求4所述的真空泵，其特征在于，

6.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，

7.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，

8.如权利要求2所述的真空泵，其特征在于，

9.如权利要求1～8中任一项所述的真空泵，其特征在于，

10.一种真空泵的旋转体，是将气体排出的真空泵的旋转体，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种能够有效地防止旋转体的应力腐蚀破裂、耐腐蚀性优异的真空泵和其旋转体。在通过旋转体(103)的旋转将气体排出的真空泵(例如涡轮分子泵(100))中，旋转体(103)在其表面具有被第1表面处理层(1A)覆盖的第1区域(1)和被第2表面处理层(2A)覆盖的第2区域(2)；第1区域(1)和第2区域(2)之间的边界部(3)有各自的表面处理层(1A、2A)重叠的区域。

技术研发人员：三轮田透,坂口祐幸
受保护的技术使用者：埃地沃兹日本有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15