楔块式低副单向超越离合器的制作方法

文档序号:5803762阅读:401来源:国知局
专利名称:楔块式低副单向超越离合器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种用于机械传动的离合器。
传统的高副单向超越式离合器的楔块与内外环的接触面为高副,即点接触式或线接触,因此其承载转矩小、抗冲击性能差,易磨损、寿命低;ZL992207969公告了一种“拳形楔块式单向超越离合器”,虽然它具有圆弧形工作面,实现了面接触,但是它在楔块的两端各设有弹簧,所以它存在传动可靠性和逆止可靠性较差、高速运动时平稳性较差、结构复杂、成本高等缺点。
本实用新型的目的是设计一种楔块式低副单向超越离合器,它应具有承载转矩大、抗冲击性能强、使用寿命长、传动可靠性和逆止可靠性良好、高速运动时平稳性良好、结构简单、成本低等特点。
本实用新型由内环1、楔块2、外环3、拨销4、拨盘5组成,外环3的内表面有楔形的凹槽3-1,楔块2位于凹槽3-1中,拨销4与拨盘5固定连接,拨销4插在楔块2上的长孔2-1中,拨销4通过楔块2将外环3撑起,内环1位于外环3内。工作时,拨盘5和内环1分别为运动或动力的输入和输出构件,当拨盘5相对于内环1顺时针转动时,拨盘5的拨销4便拨动楔块2沿外环3运动到楔形凹槽2-1的小端,从而楔紧内环1与外环3,使得拨盘5、楔块2、外环3和内环1同步转动;当拨盘5相对于内环1逆时针转动时,拨盘5上的拨销4拨动楔块2沿外环3运动到楔形凹槽3-1的大端,从而使楔块2与内环1分离,此时拨盘5、楔块2及外环3同时相对内环1逆时针转动。
本实用新型靠拨销4拨动楔块2实现楔紧和分离,所以它的传动可靠性和逆止可靠性良好;由于楔块2安装在楔形的凹槽3-1内,所以即使楔块有一定的磨损,但对离合器的功能无影响,所以它延长了离合器的使用寿命;它还具有承载转矩大、抗冲击性能强、高速运动时平稳性良好、结构简单、成本低等优点。


图1是本实用新型楔块2处于楔紧状态时的结构示意图,图2是本实用新型楔块2处于分离状态时的结构示意图,图3是
图1的A-A剖视图,图4是楔块2的结构示意图。
实施例本实施例由内环1、楔块2、外环3、拨销4、拨盘5组成,外环3的内表面均匀分布有楔形的凹槽3-1,楔块2位于凹槽3-1中,拨销4与拨盘5固定连接,拨销4插在楔块2上的长孔2-1中,拨销4通过楔块2将外环3撑起。长孔2-1的中心线C与楔块2上弧面2-2的弦线D之间有一夹角a,这就使随拨盘5转动的拨销4只能拨动楔块2在外环3的楔形凹槽3-1的底部3-2移动,楔块2不能绕拨销4转动,这样使楔块2松开时与内环1脱离,不影响内环3的转动。内环1位于外环3内,楔紧的楔块2的弧形面2-2与内环1的外表面形成面接触,弧形面2-2的曲率半径与内环1外表面的半径相同,这样使楔块2与内环1的运动副是低副,实现同等尺寸的离合器能承受更大的转矩,其抗冲击、抗磨损能力大大提高。
权利要求1.楔块式低副单向超越离合器,它由内环(1)、楔块(2)、外环(3)、拨销(4)、拨盘(5)组成,其特征在于外环(3)的内表面有楔形的凹槽(3-1),楔块(2)位于凹槽(3-1)中,拨销(4)与拨盘(5)固定连接,拨销(4)插在楔块(2)上的长孔(2-1)中,拨销4通过楔块(2)将外环(3)撑起,内环(1)位于外环(3)内。
2.根据权利要求1所述的楔块式低副单向超越离合器,其特征在于长孔(2-1)的中心线C与楔块(2)上弧面(2-2)的弦线D之间有一夹角a。
3.根据权利要求1所述的楔块式低副单向超越离合器,其特征在于楔紧的楔块(2)的弧形面(2-2)与内环(1)的外表面形成面接触,弧形面(2-2)的曲率半径与内环(1)外表面的半径相同。
专利摘要楔块式低副单向超越离合器,它的外环3的内表面有楔形的凹槽3—1,楔块2位于凹槽中。拨销4与拨盘5固定连接,拨销插在楔块上的长孔2—1中。拨销通过楔块将外环撑起。内环1位于外环内。长孔的中心线C与楔块上弧面2—2的弦线D之间有一夹角a。楔紧的楔块2的弧形面与内环的外表面形成面接触。该离合器具有承载转矩大、使用寿命长、传动和逆止可靠性良好、结构简单、成本低等优点。
文档编号F16D41/00GK2481900SQ01248048
公开日2002年3月13日 申请日期2001年5月30日 优先权日2001年5月30日
发明者曲秀全, 王延年 申请人:曲秀全, 王延年
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1