一种新型磁流体密封结构的制作方法

文档序号:16251277发布日期:2018-12-12 00:03阅读:954来源:国知局
一种新型磁流体密封结构的制作方法

本发明属于机械工程密封技术,具体涉及一种新型磁流体密封结构。



背景技术:

现有用于轴往复运动的磁流体密封结构一般包括带中空腔的壳体、轴,轴和壳体之间设置永磁体和极靴进行磁流体密封,极靴内圈设有极齿。

提高磁性流体密封耐压性能的方法之一是通过增加磁流体密封磁路中磁源的数量并改进极靴的形状,如公开号为cn204805552u和cn202418592u的专利所述的密封装置。尽管以上文献所述的两种密封装置相对普通磁性流体密封性能得到极大的提高,但现有技术仍然存在如下缺陷:

现有技术的多级密封结构中,各极靴上的极齿数量都是相同的。发明人实验发现从高压侧到低压侧,相邻两个极靴中,若高压侧极靴磁流体密封耐压能力大于相邻低压侧磁流体密封耐压能力时,低压侧磁流体密封会不起作用,也就是说低压侧的密封形同虚设。对于多级密封结构来说,既然低压侧的磁流体密封无法发挥作用,那么设置过多级数的极靴只会增大磁流体密封结构的体积,浪费更多的成本。



技术实现要素:

针对上述问题,本发明旨在提供一种能够让所有极靴都发挥作用的磁流体密封结构。

本发明解决问题的技术方案是:一种新型磁流体密封结构,包括中空的壳体,所述壳体一端封闭、另一端敞开,在壳体的封闭端面中心开有通孔,还包括从通孔穿设至壳体内腔的轴,在轴外表面与壳体内壁之间的空间内沿轴向间隔设有多个极靴,所述极靴为环状,极靴外圆面与壳体内壁抵接,极靴内圆面上设有极齿,相邻两个极靴之间夹设有永磁体,极齿与轴外表面之间存在间隙,间隙处注有磁流体,从高压侧至低压侧方向,极靴宽度依次递增,极靴上的极齿数量依次递增;

所述永磁体为轴向充磁型永磁环,相邻永磁体的磁极的极性相反。

上述方案改变现有的结构,将极靴宽度改变,对应的齿数也存在变化。通过结构的变化,人为制造出高压侧极靴下磁流体密封能力小于低压侧极靴下磁流体密封能力,可以保证不出现背景技术所述的缺陷情况。从高压侧至低压侧,极靴的耐压能力逐渐上升,使得所有极靴下磁流体密封都能够发挥作用,保证了密封耐压性能。

优选的,相邻极靴上的极齿数量相差1个或2个。

优选的,每个极靴上的极齿数量为1~15个。

进一步的,最靠近壳体封闭端的那一个极靴与壳体封闭端内壁之间设有隔磁环。

进一步的,最靠近壳体敞开端的那一个极靴通过端盖压紧密封于壳体内腔。

优选的,所述永磁体的数量为1~10个。

优选的,所述极靴的数量为2~10个。

优选的,极齿与轴外表面之间的间隙大小为0.05~3mm。

本发明通过结构的变化,人为制造出高压侧极靴下磁流体密封能力小于低压侧极靴下磁流体密封能力,从高压侧至低压侧,极靴的耐压能力逐渐上升,使得所有极靴下磁流体密封都能够发挥作用,保证了密封耐压性能。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明。

图1为本发明磁流体密封结构示意图。

图中:1-轴,2-壳体,3-极靴,4-端盖,5-隔磁环,6-极齿,7-永磁体。

具体实施方式

如图1所示,一种新型磁流体密封结构,包括中空的壳体2,所述壳体2一端封闭、另一端敞开。在壳体2的封闭端面中心开有通孔。

还包括从通孔穿设至壳体2内腔的轴1。在轴1外表面与壳体2内壁之间的空间内沿轴向间隔设有多个极靴3。

所述极靴3为环状,极靴3外圆面与壳体2内壁抵接。极靴3内圆面上设有极齿6。相邻两个极靴3之间夹设有永磁体7。极齿6与轴1外表面之间存在间隙,间隙处注有磁流体。

从高压侧至低压侧方向,极靴3宽度依次递增,极靴3上的极齿6数量依次递增。

所述永磁体7为轴向充磁型永磁环。相邻永磁体的磁极的极性相反。

相邻极靴3上的极齿6数量相差1个或2个。

每个极靴3上的极齿6数量为1~15个。

所述永磁体7的数量为1~10个。

所述极靴3的数量为2~10个。

极齿6与轴1外表面之间的间隙大小为0.05~3mm。

最靠近壳体2封闭端的那一个极靴3与壳体2封闭端内壁之间设有隔磁环5。最靠近壳体2敞开端的那一个极靴3通过端盖4压紧密封于壳体2内腔。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种新型磁流体密封结构,包括中空的壳体,在轴外表面与壳体内壁之间的空间内沿轴向间隔设有多个极靴,极靴为环状,极靴外圆面与壳体内壁抵接,极靴内圆面上设有极齿,相邻两个极靴之间夹设有永磁体,极齿与轴外表面之间存在间隙,间隙处注有磁流体,从高压侧至低压侧方向,极靴宽度依次递增,极靴上的极齿数量依次递增;永磁体为轴向充磁型永磁环,相邻永磁体的磁极的极性相反。本发明人为制造出高压侧极靴下磁流体密封能力小于低压侧极靴下磁流体密封能力,从高压侧至低压侧,极靴的耐压能力逐渐上升,使得所有极靴下磁流体密封都能够发挥作用,保证了密封耐压性能。

技术研发人员:杨小龙;陈帆;高名乾
受保护的技术使用者:广西科技大学
技术研发日:2018.08.13
技术公布日:2018.12.11
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