专利名称：板、衬底和晶片表面性质的全场光学测量的制作方法
技术领域：
本申请要求2003年1月28日提交的美国临时申请60/443,342和60/443,329、以及2003年1月29日提交的美国临时申请60/443,804的优先权。在此以引用方式将上述三个申请的全部公开内容作为本申请的一部分并入本文。
背景技术：
本申请涉及平板、衬底和晶片中的表面斜率或其它表面拓扑性质的测量，更具体地，是涉及用于这些测量的光学技术和系统。
当两个或多个至少部分空间相干的光束重叠时，就会发生光学干涉。各种光学干涉仪利用两个相干光束的干涉来产生干涉条纹的干涉图样，干涉条纹是由两个干涉光束的光程长度的差引起的。这种干涉的一个应用就是在光学测量值中提取包含在至少一个干涉光束中的信息，以表征所研究的表面性质，例如表面拓扑性质。
发明内容
本申请包括光学技术和系统，其利用光学干涉测量法来获得各种器件和结构中图案化和非图案化表面的非侵入式、全场的测量。所描述的实施例包括利用光学剪切干涉测量法对各种表面的图案化和非图案化表面形状的测量。本申请也描述了照射晶片或衬底的非图案化后表面的光学干涉测量技术，其中所述晶片和衬底具有图案化的前表面。如果设计合理，基于公开的光学技术中的一个技术的表面监控系统可以实时提供表面的全场测量值。另外，这样的表面监控系统可以对加工中的晶片提供现场监控。
在一个实施例中，例如，利用具有基本均匀波阵面的探测光束来照射一个待测表面，以产生一个由所述表面上的照射区域引起的、反射波阵面中带有变形的反射探测光束。通过一个光学剪切干涉仪来引导所述反射探测光束，以获得所述反射波阵面和所述反射波阵面的另一复制之间的一个光学干涉图样，其中所述反射波阵面的另一复制空间移位了一个剪切距离。接着，调节所述反射波阵面和所述反射波阵面的所述另一复制间的相移，以从所述光学剪切干涉仪中获得不同相移的多个相移干涉图样。然后处理所述干涉图样，以获得所述待测表面中所述照射区域上的表面斜率信息。
在另一个实施例中，用支撑部件接触晶片的后表面，以支撑所述晶片。在所述晶片与所述后表面相反的前表面上制有图案。用探测光束照射所述后表面，以产生一个由所述后表面上的照射区域引起的、反射波阵面中带有变形的反射探测光束。然后用所述反射探测光束来产生一个光学干涉图样，其中所述干涉图样包括由于在所述后表面上存在支撑部件而造成的中断或不连续(discontinuities)。在所述光学干涉图样的处理中应用插值算法，以对所述后表面在具有所述中断的区域上引起的干涉条纹进行插值，从而获得仅仅由所述后表面引起的、所述照射区域内的干涉图样特征。接着，对来自所述后表面的所述插值干涉图样进行处理，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率。
或者，可用其他的测量和处理方法来代替数据处理中的上述插值算法，以获得被所述支撑部件占据的所述后表面上所述区域中的数据。例如，在不运用插值算法的情况下，处理来自所述后表面的干涉图样，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率。然后，改变所述支撑部件上所述晶片的角度定位至少一次，从而获得来自相同探测光束的至少一个另一反射探测光束，从而获得另一光学干涉图样。接着，对来自所述后表面的所述另一干涉图样进行处理，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率。然后对从所述晶片不同角度定位处的不同干涉图样中获得的表面斜率进行比较。填充在干涉图样中的一个位置处所发现的缺失数据，这是通过利用在不同角度定位处获得的另一干涉图样中所述位置处的数据来实现的。
本申请也描述了为了改进测量，在剪切干涉仪中以不同的剪切距离来使用干涉图样的技术。在一个实施例中，例如，用具有基本均匀波阵面的探测光束照射待测表面，从而产生一个由该表面引起的、具有变形波阵面的新光束。通过光学剪切干涉仪来引导所述新光束，以获得所述变形波阵面和所述变形波阵面的另一复制之间的光学干涉图样，其中所述变形波阵面的所述另一复制空间移位了一个剪切距离。接着，调节所述剪切距离以获得不同剪切距离的光学干涉图样。然后对不同剪切距离的所述干涉图样进行处理，以提取所述待测表面上的信息。
在上面的实例中，可将具有两个不同剪切距离的两个干涉图样相减，从而产生一个微分干涉图样，该微分干涉图样对应一个新剪切距离，该新剪切距离等于所述两个不同剪切距离之差。这种技术可以用来获得短剪切距离的数据，而用给定的剪切干涉仪可能很难得到。
本申请进一步描述了若干剪切干涉仪，这些干涉仪不同于测量表面的相干梯度传感(CGS)系统。与CGS相比，在具体应用中这些非CGS剪切干涉仪可能具有某些优点。
在附图具体实施例方式
和权利要求中将会具体地描述这些和其它实施例、实例及其变型和优点。
图1示出了一种系统，其具有一个根据本发明实施例的、用于表面测量的剪切装置。
图2示出了一个干涉图样，以说明相移技术。
图3和图4示出了用于测量表面的两个相干梯度传感(CGS)系统。
图5A和图5B示出了CGS中的两种示例性的相移技术。
图6A、6B、7A、7B、7C、8、9、10A、10B、11A、11B和11C示出了非CGS剪切干涉仪的实例，这些干涉仪适于根据本专利申请描述的技术来测量表面。
图12示出了示例性的总体布置图，其用于以光学方式测量晶片的后表面，晶片支撑件在此与后表面接触。
图13示出了一个实例，其中晶片的后侧是由三个非对称方式定位的晶片支撑件支撑的，使得能够以不同的角度定位来多次测量晶片，从而直接收集到全部晶片表面上的数据。
具体实施方式
光学剪切干涉仪在波阵面传播方向的横截方向上，为光束的同一个通常变形了的波阵面产生两个空间移位的复制波阵面，并使它们发生干涉。例如，可以使用横向和径向剪切干涉仪。空间移位的复制波阵面之间的干涉会产生干涉图样，其代表了波阵面中斜率的空间分布。本质上这类干涉仪对波阵面执行了光学微分(differentiation)。在本申请描述的以光学方式测量表面的某些实例中，至少一个光学剪切干涉仪可被用来光学地测量表面，即，用准直探测光束照射表面。剪切干涉仪可被设计成从探测光束穿过表面的光学透射、或从探测光束被表面反射的光学反射，来产生剪切干涉图样。然后，剪切干涉图样被处理以获得表面、斜率、曲率和其它的表面拓扑信息。例如，从剪切干涉仪可以获得表面整个形状的表面拓扑和表面局部形状的微观表面性质(nanotopography)。可测量的表面实例包括但不限于，各种板和盘、各种衬底和晶片、集成电子电路、集成光学装置、光电电路、和微机电系统(MEMs)、平板显示系统(例如，LCD和等离子显示器)、和光刻掩模、和薄膜和标线片中的平面。
利用光学剪切干涉测量法、以光学方式测量表面具有一定的优点。对于具有各种微结构的图案化表面(例如图案化的晶片和图案化的掩模衬底)而言，光学剪切干涉测量法可能是一种有效的测量工具。另外，光学剪切干涉仪可用于在器件加工期间、在晶片级上现场监控表面性质，例如曲率和相关应力，测量值可用于动态控制加工条件和参数。作为一个实例，因为光学剪切干涉仪的自参考(self-referencing)性质，光学剪切干涉仪的测量和操作一般不会显著受到刚体平移和转动的影响。这样，基本垂直于表面或以低入射角引导探测光束来测量被测量的晶片或器件，并不会影响测量结果。通过移位或剪切波阵面，光学剪切干涉仪测量出波阵面的一个点相对于另一个点的变形，两者被剪切距离分开，即，同一个波阵面的两个干涉复制之间的距离。从这个意义上说，光学剪切干涉仪是自参考的，因此提高了它对所测量的晶片或器件的变动的不敏感性或抗扰性。这种对变动的抵抗可能是有利的，特别是测量的执行是在生产环境中或在现场、在特定的工艺过程中(例如，在加工室内进行沉积)，在这些地方，隔离振动具有很大困难。
比较而言，许多非剪切干涉仪产生拓扑或形貌(表面标高)的波阵面干涉，是基于从试样表面反射的变形波阵面、和从已知参考表面反射的参考波阵面之间的光学干涉。使用这种非剪切光学干涉仪来测量器件图案化表面可能是无效的，因为在很多情况下，反射离开图案化表面的、相对不均匀的或散射的波阵面，不会与反射离开参考表面的波阵面发生相干干涉。此外，图案化表面可能具有根本不同的反射性质，例如，图案化表面的某些区域与图案化表面的其它区域或参考表面相比，可能能够高度吸收探测波长。在这些和其它情形下，因为存在大量的图样，可能很难解开和解释由这类非剪切干涉仪产生的干涉测量图像。
剪切干涉测量法的另一个特征是波阵面被光学微分，而且该光学微分被记录在剪切干涉图样中。因此，仅对来自剪切干涉图样的数据进行单次求导运算(derivative operation)，就足以从波阵面斜率计算出曲率。这在处理干涉数据的过程中减少了运算量，因此减少了数据处理时间。而且，因为剪切干涉测量方法提供了全场干涉测量数据，因此比其它方法例如利用常规电容探测器来测量表面拓扑的若干点(例如，3个点)的方法，剪切干涉测量方法能够利用更多的数据点。与那些数据测量密度低得多的方法相比，这种更高的数据密度提供了更精确的测量和更好的抗干扰。另外，虽然各种激光束扫描工具也可以用来测量晶片弯曲或表面曲率，但这些方法通常只测量径向曲率。剪切干涉测量法可以容易地测量出在表面内的两个正交方向(X和Y)上的表面斜率，从而可以说明晶片或衬底的整个曲率张量和相关的应力状态。
在使用剪切干涉测量法来测量晶片或其它结构(例如图案化的掩模元件)的图案化表面的过程中，可将图案化的晶片(例如直径200毫米、300毫米或其它晶片尺寸的半导体和光电晶片)放置在剪切干涉仪内，放置方式要使准直探测光束反射离开晶片表面。剪切干涉仪用来自晶片表面的反射探测光束产生两个干涉波阵面，经过短距离的剪切后两个干涉波阵面在形状上基本类似。因此，两个波阵面间的干涉会产生相干干涉。虽然反射离开图案化表面的每个波阵面本身可能存在噪音和散射，但波阵面间具有相干性足以形成含有信息的干涉条纹图样，并能够被解释以提取表面信息。
图1示出了系统100的一个实施例，其基于光学剪切干涉法来测量试样表面130。所提供的光源110产生准直探测光束112，其具有基本均匀的波阵面。光源110可以产生宽光谱范围的辐射，包括可见和不可见波长(例如，IR和UV辐射)。来自光源110的光可以是相干光或非相干光。引导这个探测光束112照射表面130以产生反射探测光束132。可以用光学元件120(例如分束器)将探测光束110引导到表面130，并传递反射探测光束132。剪切装置101，即光学剪切干涉仪，被置于反射探测光束132的光路中，以从反射探测光束132产生剪切干涉图样。也可以利用准直光束112到反射表面130上的斜入射，从而绕过了分束器元件120。通常，可以用任何剪切干涉仪来实施剪切装置101。在实际应用中，不同的剪切结构可能具有独特的特征或属性，因此从这方面讲它们彼此是不同的。剪切装置101的实例包括利用光栅来引起波阵面剪切的相干梯度传感(CGS)系统、径向剪切干涉仪、双边剪切干涉仪中的楔形板(Bi-Lateral Shearing Interferometer，美国专利5,710,631)、和其它装置，其中的某些装置会在本申请的以下部分中描述。
系统100也包括在剪切装置101输出光路中的光收集单元102，以将剪切装置101的光学输出——剪切干涉图样引导到成像传感器180，例如照相机(例如，CCD或其它的像素传感阵列)。如果剪切装置101利用光栅产生剪切，光收集单元102可以包括过滤透镜160和空间滤波片170。成像传感器180将剪切干涉图样转换成电子形式，可以包括计算机的信号处理电路用来处理剪切干涉图样以提取所需的表面信息。
在测量中使用移相可以改进用剪切干涉仪通过光学反射来测量图案化晶片的方法。可以进行移相，从而逐渐地调节两个移相干涉波阵面间的相分离，从而可以在测量的试样表面上循环或操纵干涉条纹位置。在一个实施例中，剪切干涉仪可以被设置成，获得图案化晶片表面的多个相位图像，例如在0、90、180、270和360度的相位。移相方法使得通过计算检测器阵列上每个像素处的“相对相位”调制，就可以测量出波阵面的斜率。移相方法也可以对反射率变化的表面上的波阵面和试样斜率给出一致性的解释，如同在图案化晶片上所看到的那样。在图案化的晶片表面上，试样上的每个像素位置相对于其它的像素位置，会以不同的强度来反射光。这使任何单个剪切干涉图的解释都变得复杂。在剪切干涉测量法中，移相方法能够提高斜率分辨度的精确度，并可以精确地解释反射率变化的图案表面上的干涉图。这之所以成为可能，部分原因是由于所测量的是剪切干涉图样内每个像素或位置的相对相位，而不仅仅是干涉条纹强度的变化。
图2示出了测量相移干涉图样中相对相位的一个实例。左边的干涉图样的图像是从300毫米硅晶片的图案化表面收集到的。干涉图样代表一系列，例如，5个相移干涉图样中的一个。该图右上部分详细地示出了在局部，由于晶片表面的图案化，干涉条纹的强度在不同点间是显著变化的。比较而言，裸表面或连续表面上的干涉条纹图样具有光滑连续的条纹强度变化。图2右下方的插图示意性地表示出，针对图案化晶片表面上的两个点干涉条纹强度的变化是相移值或相移角的函数。相轴具有90度的角度增量，而强度轴表示了CCD或其它成像阵列的全部动态范围。由左侧箭头标识的点1对应晶片上的一个像素区域，此处的反射率较高，因而示意地用大幅度的曲线表示。右侧箭头标识的点2对应晶片上的一个像素区域，此处的反射率较低，因而示意地用较小幅度的曲线表示。如果实施了相移，相关的重要参数是相对相角、或一个曲线(例如点1曲线)相对于另一曲线(点2曲线)的水平位移，而不是曲线的幅度。一系列相移干涉图中的任何给定点处的强度幅度应该足够地大，以便足以表征相关相移。
在相移的实施中，接着用相位提取算法和解开算法来处理图案化晶片表面收集的多个相移干涉图，以精确解释包含在相移干涉图中的表面斜率。合适的相位提取算法可以包括Bucket nA、nB、或nC，其中“n”是相移数据集的帧数。除了上述的Bucket A类、Bucket B类、Bucket C类算法外，也可以用其它的相位提取算法。合适的解开算法包括最小不连续(Minimum Discontinuity，MDF)算法和预处理共轭梯度(Preconditioned Conjugate Gradient，PCG)算法。另外，分支切除最小(Branch Cut Minimization)算法和瓦式调制引导(Tiled ModulationGuided)算法也可以用来处理相移干涉图，也可以有效地解开轻度图案化的表面。
一旦解开了干涉图，通过以统计方式用表面多项式来拟合未处理的斜率数据，可以进一步提高对未处理斜率数据的解释和对曲率的推导。为了导出形貌(或微观表面状况)和曲率数据，可以对从图案化晶片导出的未处理斜率数据应用统计表面拟合(包括卓尼柯(Zernicke)多项式和勒让德(Legendre)多项式)。
剪切干涉测量法由于其自参考的本质，因而具有的一个性质是，得到的剪切干涉图样基本利用被测量的表面自身作为参考平面，根据该表面的平面度来计算推导。这种平面高度或平面度上的相对数据可用在各种应用中，其中可以监控或控制平面高度或平面度。例如，在化学机械抛光(CMP)工艺或其它的表面抛光工艺中，可以监控整个表面的相对高度来确定抛光工艺的有效性。剪切干涉仪可以用来监控表面平面度，而测量值可以用来实时动态地控制抛光工艺的抛光条件。
在某些实施例中，互相干涉的横向移位波阵面间的剪切距离可以在测量过程中被调节，从而提高数据的分辨率和精确度。以多个剪切距离增量来拍摄表面的干涉测量图像，那么所能分辨出的特征可小于用来取样干涉测量数据的照相机或成像传感阵列的有效像素尺寸。另外，如本申请下面描述的那样，使用多个剪切距离能够根据几何计算的相对数据，高度精确地计算出被评价表面的形貌或微观表面状况，而不是用标准数值积分算法来计算实际的表面形状。
再参考图1，系统100可以用来测量各种晶片、衬底、平板或光刻掩模元件的表面。系统100可以同时测量试样表面上照射区域内的每个点，以获得平面度、表面状况、斜率、曲率和应力信息。剪切干涉测量法特别有利于测量图案化表面，例如在半导体或光电晶片和衬底中经常可以看到的微加工表面。剪切装置101可以在图案化表面上产生相干或半相干干涉。
作为一个实例，图3示出了一种基于图1中系统设计的、示例性的相干梯度传感(CGS)系统300的实施例。系统300的某些方面在Rosakis等人的美国专利6,031,611中有所描述，在此以引用方式将该专利并入本文。CGS系统300利用来自光源110的准直相干光束112作为光学探测手段，来获得表面斜率和曲率信息以表示由任何材料基本制成的镜反射表面130。光学元件120例如分束器可以用来将光束112引导到表面130。如果反射表面130是弯曲的，反射探测光束132的波阵面就发生变形，因此反射探测光束132获得光程差或相变，所述光程差或相变与所测量的表面130的表面形状相关。这种系统在表面1 30上的照明区域内产生每个点的“快照”，因此可以获得照明区域内任意点沿着任意方向的表面形状信息。这就不需要使探测光束一次一个点地扫过表面130，以顺序方式一次测量一个点。
两个彼此分开Δ的光栅140和150置于反射探测光束132的路径中，以操纵变形的波阵面从而测量曲率。第二光栅150使第一光栅140产生的两个不同的衍射分量发生衍射，从而产生两个衍射分量，利用光学元件160(例如透镜)使第二光栅的两个衍射分量混合，并互相干涉。如果使用透镜作为光学元件，由第二光栅150产生的、并由透镜混合的两个衍射光束具有相同的来自第二光栅150的衍射角，因此彼此平行。通过两个光栅140和150发生的衍射实现了两个选定的衍射分量之间的相对的空间移动，即，横向位移。如果其它光栅参数是固定的，那么这个横向位移是两个光栅140和150之间的间距Δ的函数。更具体地，剪切距离是(Δ×tanθ)，其中θ是两个干涉衍射光束的衍射角。因此，光栅140和150从反射探测光束132的同一个波阵面产生两个空间移位的波阵面。空间滤波器170相对于光学元件160放置，以传递选定衍射分量的干涉图样，并挡住来自第二光栅150的其它衍射级。通常，可以选择任意衍射级(diffraction order)和衍射级的组合来用于测量。
然后，传递的干涉图样被成像传感器180拍摄，以产生代表干涉图样的电信号，其中传感器180可以包括传感像素阵列，例如CCD阵列。信号处理器190处理电信号以提取波阵面变形的空间梯度，波阵面变形是由反射表面130的形状造成的。而这个空间梯度被进一步处理从而获得曲率信息，因此获得表面130上照明区域的曲率图。在干涉图样上执行一次空间微分来计算表面梯度。如果表面的曲率变化是渐变的，即如果平面外(out-of-plane)位移小于薄膜、线或衬底的厚度，那么这种技术就可以提供表面曲率的高度精确的测量值。与某些其它的干涉测量技术相比，这种技术对刚体运动不敏感。上文引用的Rosakis等人的美国专利6,031,611中描述了这种数据处理操作的细节。一旦完成了表面斜率和曲率的处理时，处理器190进一步运行以根据表面曲率计算出应力。
两个光栅140和150通常可以是任何光栅，它们可具有不同的栅距，而且彼此以任意角度定向。优选地，两个光栅相对于彼此以相同方向定向，并可以具有相同的栅距以简化数据处理。在这种情况下，光栅方向基本上是由两个选定衍射分量间的相对空间位移(“剪切”)的方向确定的，所述相对空间位移是由光栅140和150的双衍射形成的。
某些应用可能需要两个不同方向上的空间剪切，从而获得全场的二维斜率和曲率测量值。这可以通过下述方法实现，即，当试样表面130在第一方向时，用CGS系统300执行第一测量；然后，当试样表面130转动到第二方向(例如，垂直于第一方向)时，接着执行第二测量。
或者，可以实施图4中所示的两臂CGS系统，其在两个不同的方向上具有两套独立的双光栅，从而在两个不同的空间剪切方向上同时产生干涉图样。因此，可以在两个空间剪切方向上都获得形貌、斜率和曲率分布随着时间变化的效果。
另外，图3中的两个光栅140和150中的每一个都可以被光栅板(grating plate)替换，该光栅板具有两个正交的交叉光栅以实现图4中的系统的二维剪切，空间滤波器170可以被代用滤波器替换，该代用滤波器具有沿着x1方向偏移的额外的光学孔径，从而可以沿着垂直方向选择性地传递剪切的干涉图样。
在所述的示例性CGS系统中，通过改变两个光栅140和150间的相对位置，就可以获得相移。在一个实施例中，可以调节两个光栅140和150在由x1和x2定义的横向平面内的相对位置，同时保持沿着x3方向的两个光栅140和150之间的间隔固定在所需的常数。图5A示出一种CGS系统，其中定位装置，例如精确平移台或位置传感器，可以用来实施这种光栅间相对位置的调节以获得相移。至少一个横向位置控制器接合两个光栅中的一个以引起横向位置的改变。两个横向位置控制器可以分别接合两个光栅140和150以引起相移。在这个实施例中，在横向运动期间两个光栅以固定的间距保持彼此平行。可以获得具有光栅140和150间不同的横向相对位置的多个剪切干涉图样，以进一步用相位提取和解开算法来处理。
图5B示出了另一种途径来实施CGS中的相移机制。在这种设计方案中，两个光栅140和150间的相对横向位置是固定的，两个光栅140和150保持基本平行。实施位置控制机构从而以δ稍微改变两个光栅140和150沿着x3方向的间距Δ。δ值远小于所需的间距Δ，因此间距Δ和测量分辨率不会显著受到小改变δ的影响。然而，这个间距Δ的小改变(δ)会改变两个光栅140和150产生的剪切干涉图样的整个相位。在数据采集中，调节Δ以具有不同的小位移(δ)从而以不同的相移获得不同的剪切干涉图样，以便用相位提取和解开算法来进一步处理。
另外，可以用不同的小角度来倾斜试样表面130，从而在CGS系统对应的干涉图样中产生不同的相移。可以用这些或其它的相移机制来实现所需的相移。
CGS系统可以设计有可动态设置的剪切距离，从而可以如上文所述的那样在测量过程中利用不同的干涉距离来获得数据，以提高测量的分辨率和精确度。在CGS系统(例如图3和图4所示的系统)中，可以将两个光栅中的至少一个接合到定位台或定位传感器上，从而以受控方式改变两个光栅之间的相对间距，以获得不同剪切距离的测量值。
除了CGS系统外，可以用其它的剪切干涉仪结构来实施图1中的剪切装置101。下面将会提供几个实例。这些剪切干涉仪利用不同于CGS光栅的光学元件产生两个干涉波阵面间的横向剪切，并在测量表面方面具有它们各自独特的特征。
图6A和图6B示出循环剪切干涉仪(cyclic shearing interferometer)的两个实例。具有一个半反射表面的平行板用来将接收到的探测光束分成两个光束。图6A在两个光束的一个中利用转动透明板来产生剪切和可变的剪切距离。图6B在光路中使用可移动的镜子，使其离开零剪切的位置，从而产生剪切和可变的剪切距离。稍微使两个反射器中的一个发生平移、或者使具有半反射表面的平行板倾斜，就可以获得相移。图7A、图7B、和图7C示出了)Jamin剪切干涉仪的实例。图8示出了Mech-Zehnder剪切干涉仪。图9示出了Michaelson剪切干涉仪。图10A和图10B示出了能够产生大剪切距离的平行板剪切干涉仪的两个实例。图11A、11B和11C示出了棱镜剪切干涉仪，其具有不同的棱镜以产生所需的剪切。这些剪切干涉仪的结构和运行机制都是公知的。转动这些干涉仪中选择的光学元件就可以控制和调节剪切距离。通常，倾斜测量的试样表面就可以获得相移。在这些干涉仪中的某些干涉仪中，可以平移光路中的一个光学元件从而产生所需的相移，而无需倾斜试样表面。
与CGS系统相比，在这些剪切系统中控制全部视场上的剪切距离的均匀性是相对容易的，因为CGS系统在改变两个光栅间的间隔时需要保持光栅平行。这些系统也可以相对容易地获得较小的剪切距离，即，通常将系统设在零剪切的状态，并用稍微的转动来获得小剪切距离。另外，这些系统不需要使用用于光栅的精确支撑机构、和CGS系统中针对不需要的衍射级的内嵌空间过滤机构。由于这些非CGS剪切干涉仪具有上述特征和其它特征，因而在实施CGS比较困难的某些应用中，就可以用这些非CGS剪切干涉仪对表面进行光学测量。
与CGS比较，上面的非CGS光学剪切干涉测量系统因为其设计特点，所以可以配置和操作成能够实现小的剪切距离。然而，CGS和这些非CGS系统都可以运行以获得比最小剪切距离还小的有效剪切距离，最小剪切距离是由调节剪切距离的机构的局限性造成的。例如，可以运行剪切干涉仪，以具有增量差的剪切距离进行两个或多个测量。可以结合这些测量中的两个，从而以两个相近剪切距离间的差别产生一个有效的剪切距离。因此，使用多个剪切距离能够根据几何计算的相对数据，高度精确地计算出估计表面拓扑(estimated surfacetopology)，而不是用标准数值积分算法来计算实际的表面形状。下面提供这种技术的具体细节。
在剪切干涉仪中利用高空间频率(或低空间波长)来描述特征会受到下列限制，即最小可实现剪切距离、测量探测器的最小光斑尺寸(例如，成像阵列的像素尺寸)、或两者的组合。在一些剪切干涉测量仪中，在临界空间波长大约相当于剪切距离的二倍的情况下，剪切距离可能是主要的限制因素(剪切距离的量级为几毫米，像素尺寸的量级为数百微米或更小的)。可以使剪切距离更短，但这会导致干涉仪的敏感性很小。在反射模式的剪切干涉仪中，例如，每个条纹的斜率＝λ/2ω，其中λ是探测波长，而ω是剪切距离。
如果给定剪切干涉仪的结构允许调节剪切距离，那么可以通过不同的剪切距离从同样的试样中收集多组干涉图。在这种情况下，如果数据集是成对的，那么可以使两组数据的有效剪切距离等于两组剪切距离间的差。
首先，考虑一个数据集的两个测量，其分别具有两个不同的剪切距离ω1和ω2，干涉图如下S(x1+ω1，x2)-S(x1，x2)＝n1λ (1)S(x1+ω2，x2)-S(x1，x2)＝n2λ (2)其中n1和n2代表干涉条纹级，其中在n＝0，1，2，3，等等时发生相长干涉，在n＝0.5，1.5，2.5等等时发生相消干涉。两个测量干涉图之差可以表示成S(x1+ω1，x2)-S(x1+ω2，x2)＝(n1-n2)λ (3)等式(3)可以重新写成S(x1+(ω1-ω2)，x2)-S(x1，x2)＝(n1-n2)λ(4)等式(4)表明两个数据集的结合产生一个数据集或新的干涉图，其具有的有效剪切距离是单个数据集的两个剪切距离之差。利用这个特征，选择有效剪切距离等于探测器的光斑尺寸，就可以优化系统的空间频率响应。
实际实施这种方法可以利用1)干涉仪系统，其被设计成具有两个不同的不同剪切距离的干涉测量路径，2)干涉仪系统，其具有单个干涉测量路径，可以调节该系统的剪切距离，从而获得具有不同剪切距离的不同干涉图。结构1的优点是，可以同时得到两组数据，而且两个路径是固定的，因此更容易在各个路径中保持均匀的可重复的剪切距离。结构2的优点是，它具有更少的组件，因此更紧凑并且较便宜。
在CGS干涉仪中，通过改变光栅间隔、探测波长或栅距可以调节剪切距离。
在CGS中调节光栅间隔可以利用上述的致动器获得。作为一个实例，在一个配置有节距(pitch)为25微米、探测波长为632.8纳米的光栅的系统中，剪切距离每增加1微米，光栅间隔将不得不增加39微米。为了达到几微米量级的剪切距离变化，压电传感器(PZT)系统是合适的，而电机驱动的精确平台系统更适合导致数十或数百微米量级剪切距离变化的光栅间隔变化。在任一种情况下，一些额外的度量器件(例如，位移传感器)可能是必要的，以确保光栅间隔(因此，剪切距离)的变化是均匀的。此类系统的优点是，剪切距离的调节是连续的，缺点是难于均匀地改变光栅间隔从而保持跨越视场的均匀剪切距离。
利用探测波长来改变剪切距离可以这样来实施，即，利用装有快门不同的光源、或用波长可以调节的激光(例如氩离子激光)。作为一个实例，在一个配置有节距为25微米、固定光栅间隔的光栅的系统中，将探测波长从632.8纳米变成514纳米会导致35.64微米的剪切距离变化。这样的系统的优点是可以获得均匀的剪切距离变化，缺点是只可能是离散的剪切距离变化(基于可利用的源波长)，而且干涉仪的光学系统可以设计成对两个波长有相同的响应(通过设计或调节)。
如果用栅距来改变CGS中的剪切距离，在两个独立的干涉测量路径中用两对投射光栅，其在玻璃或类似的衬底上具有固定的谱线图样。两对光栅具有两组不同的光栅，每个具有不同的栅距。或者，可以通过电子或光学方法以可调节的方式产生光栅的谱线图样。例如，声学光栅可以用来产生可调节的栅距以改变剪切距离。
对于给定的应用，剪切干涉仪系统的结构取决于被测试分量的功率谱密度(幅度对空间频率)。特别是，可以选择斜率敏感度λ/2ω，以确保能用可接受的信噪比来表征幅度，而且可以选择剪切距离以确保可以表征空间频率(遵循奈奎斯特(Nyquist)取样定律)。这样，对于给定的试样类型而言，该系统可以被优化针。优化实际实施方式就是，可以用最少的数据来表征试样，从而便于高效计算和分析，也便于数据存储。
在斜率敏感度和剪切距离的选择中存在一些实际限制。对于斜率敏感度，实际限制就是成像系统的强度级分辨率和探测波长。作为第一级评价的实例，具有10位分辨率(1024灰度级)的CCD阵列理论上可以分辨一个条纹的1/2048(从白到黑的强度变化代表1个条纹)。如果探测波长是632.8纳米，在剪切距离上能够分辨的最小高度差是0.31纳米(参见等式1)。在实践中，获得成像传感器的全部动态范围是不可能的或不现实的，干扰源会限制信号，该信号能够被可靠地提取。使成像传感器的动态范围最大化和/或使探测波长最小化，可以用来表征较小的幅度。
剪切距离(因此空间频率响应)的选择可能受到某些限制和折衷。第一，平面内空间波长不能小于探测波长的大约2倍。第二，针对固定尺寸的图像阵列/传感器，视场随着光斑/像素尺寸线性减小。第三，所选择的剪切距离界定了沿着试样边的一个区域，边外的干涉数据不能被收集到。因此，单个剪切距离越大，试样边处的数据收集就越被限制。
上述CGS和其它的光学剪切干涉测量系统可以用来直接或间接地测量形成在衬底上各种特征和组件的斜率和曲率。在直接测量中，探测光束被直接送到这些器件图案化的顶表面，以获得曲率信息。要精确测量的顶表面上的表面特征和组件以及它们周围的区域可以是平的并且是光学反射的。例如，某些完善的集成电路具有通常由不导电的电介质材料制成的钝化顶层，这些钝化层在衬底上的电路元件上以包括下面的电路。钝化层的表面通常是平的，并且对于这种直接测量而言其反射是足够的。
在某些情况下，上述基于图案化表面的反射的直接测量可能很难实施。例如，形成于衬底前侧或它们周围区域的特征或组件可能不是光学反射的。另外，如果特征和组件以及它们周围的区域的、除了斜率或曲率之外的性质会显著影响波阵面变形，那么基于图案化顶表面反射的这种直接测量的有效性和精确度就会被不利地影响，因为在这种情形下波阵面变形不再能够表示探测光束照射区域的整体斜率和曲率。前侧的特征和组件使反射的波阵面变形，可能是因为除了整体斜率和曲率之外的因素，例如特征或组件的高度不同于它周围的区域。在这些和其它的情况下，曲率或组件的曲率可以间接地测量，即由衬底后侧相对表面上相应位置处的曲率测量值推出。这是可能的，因为制在衬底上的非连续的特征或组件中的应力会使衬底发生变形，而且形成在衬底上的薄膜通常与衬底表面的整体曲率相符。
当某些特征与它们周围的高度不同时，针对每个特征，反射探测光束波阵面上的相变形，至少包括由高度差影响的部分和由曲率影响的部分。因为后表面没有被图案化，任何光学干涉仪(包括非剪切干涉仪)都可以用来处理来自后表面的反射，以获得表面曲率信息。例如，非剪切的Twyman-Green和Michaelson干涉仪可以用来获得晶片非图案化后表面的光学测量值。
应该注意的是，可以用上述的相移剪切干涉仪来光学地测量晶片图案化的前表面或顶表面，而可以用任何干涉仪(包括剪切或非剪切干涉仪)来光学地测量非图案化的后表面。两个测量可以被处理或联系以改进图案化前表面的整体测量。来自非图案化后表面的表面信息可以用来提供晶片整个的整体表面斜率信息。而来自图案化前侧表面的表面信息可以有利地从剪切干涉仪获得，并可以用于提供图案化前表面的详细局部表面信息。
在一个实施例中，晶片的后表面被晶片支架支撑，部分是因为图案化的前表面例如电路和其它微结构，会被这类支撑部件的接触损坏。图12示出了示例性的规划图，其用于以光学方式测量晶片的后表面。与后表面接触的晶片支架因为出现在照射区域而影响光学测量，因此部分妨碍了从反射光束获得晶片支架占据局域的表面信息。支架的这些效应是不希望发生的，应该被消除。
图13示出了一个实例，其中晶片的后侧是由三个非对称方式定位的晶片支撑件支撑的，使得以不同的角度定位来多次测量晶片就可以直接收集全部晶片表面上的数据。图13没有示出以任意角度定位中的一个将晶片放置到薄支架上的硬件(放置和转动器件，如自动化工业中常用的那样)。图13进一步示出对晶片后侧的测量会产生不连续的干涉图样，这种不连续是因为在测量场中存在的点支撑。在传统的设置中，这些干涉会妨碍将干涉图样转换成含有信息的数据。这里描述的一些技术会允许测量被晶片支架占据的区域。
在一个实施例中，用插值算法来有效地对不连续干涉条纹上的干涉图样进行插值，这种不连续是由晶片支架的存在引起的。插值条纹边缘能够推算出干涉条纹，而这种干涉条纹可以用在标准干涉测量处理算法中。用来产生这些推算干涉条纹的算法可以是线性插值算法、样条插值算法、高阶多项式插值算法、和若干利用空间过滤和一个或多个上述技术的算法。通过分析晶片变形的实验数据和理论数据就可以推出空间过滤系数，晶片变形是由半导体和MEMs加工工艺引起的。
一旦完成了插值，基于空间频率内容和与晶片上其它干涉条纹的一致性，驱动所述器件的软件也对所得到的、推算出的干涉条纹进行“感觉校验”(sense check)。
在很多情况下，这些算法会足以计算处理干涉测量条纹数据，使其转换成含义丰富的晶片形状、斜率、曲率、和应力信息。然而，如果要求更高级别的测量分辨率，器件就应该以多个角度定位来测量晶片的后侧。然后，器件比较多个图像的一致性，并使一个图像(即，被支架盖住的晶片部分)缺失数据被另一个图像(即，以不同的定位获得的图像，其中前一个图像中被支撑销占据的给定部分不再被盖住)的数据来填充。执行这种计算的算法是显而易见的。
器件也可以利用透明的透镜性质的支撑销，这些支撑销对于探测波阵面而言是基本不可见的。这些支撑臂和支撑销由切削性石英加工而成，并经复杂的研磨工艺来抛光。
仅仅描述了若干实施例。但是，应该理解的是可以进行修改和改进。
权利要求
1.一种方法，其包括利用具有基本均匀波阵面的探测光束来照射一个待测表面，以产生一个由所述表面上的照射区域引起的、反射波阵面中带有变形的反射探测光束；通过一个光学剪切干涉仪来引导所述反射探测光束，以获得所述反射波阵面和所述反射波阵面的另一复制之间的一个光学干涉图样，其中所述反射波阵面的另一复制空间移位了一个剪切距离；调节所述反射波阵面和所述反射波阵面的所述另一复制间的相移，以从所述光学剪切干涉仪中获得不同相移的多个相移干涉图样；并且处理所述干涉图样，以获得所述待测表面中所述照射区域上的表面斜率信息。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将一个具有衍射光栅的相干梯度传感(CGS)系统用作所述光学剪切干涉仪。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将一个径向剪切干涉仪用作所述光学剪切干涉仪。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将一个具有楔形板的双边剪切干涉仪用作所述光学剪切干涉仪。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述光学剪切干涉仪中用棱镜来产生所述反射波阵面和所述反射波阵面的所述复制之间的所述光学干涉图样。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括调节所述相移，以产生0、90、180、270和360度的相移。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在不同相移的所述干涉图样的处理中，运用算法以计算相位信息，从而提取所述待测表面上所述照射区域的表面斜率信息。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在算法中使用最小不连续(MDF)算法。
9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在算法中使用预处理共轭梯度(PCG)算法。
10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在算法中使用分支切除最小算法。
11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在算法中使用瓦式调制引导算法。
12.根据权利要求7所述的方法，进一步包括以统计方式用一个表面多项式来拟合被测表面斜率。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括用卓尼柯多项式作为表面多项式。
14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括将积分和微分过程应用到所述被测表面斜率的统计表面拟合中。
15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用所述表面斜率来获得所述照射区域的曲率信息。
16.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用所述表面斜率来获得所述照射区域的应力信息。
17.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述干涉图样的处理中运用相位提取算法。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述相位提取算法包括选自Bucket A、Bucket B、Bucket C算法中的一种。
19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括将勒让德多项式作用作表面多项式。
20.一种系统，其包括一个准直辐射源，其向待测表面产生一个准直探测光束；一个光学剪切干涉仪装置，其被放置成能接收从所述表面反射的所述探测光束，并能引起所述探测光束的反射波阵面与所述反射波阵面的另一复制间的光学干涉，所述反射波阵面的所述另一复制空间移位了一个剪切距离，其中可以使所述光学剪切干涉仪调节所述反射波阵面和所述反射波阵面的所述复制之间的相移，以获得具有不同相移的多个相移干涉图样；一个成像装置，其拍摄由所述光学剪切干涉仪产生的所述干涉图样；和一个处理装置，其处理由所述成像装置拍摄的干涉图样，以获得在所述待测表面中所述照射区域上的表面斜率信息。
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述光学剪切干涉仪包括一个具有衍射光栅的相干梯度传感(CGS)系统。
22.根据权利要求20所述的系统，其中所述光学剪切干涉仪包括一个径向剪切干涉仪。
23.根据权利要求20所述的系统，其中所述光学剪切干涉仪包括一个具有楔形板的双边剪切干涉仪。
24.根据权利要求20所述的系统，其中所述光学剪切干涉仪包括棱镜，其工作以产生所述反射波阵面和所述反射波阵面复制之间的所述光学干涉图样。
25.根据权利要求20所述的系统，其中所述光学剪切干涉仪调节所述相移，以产生0、90、180、270和360度的相移。
26.根据权利要求20所述的系统，其中所述处理装置被编程，以解开不同相移的所述干涉图样中的相位信息，以提取所述待测表面上所述照射区域中的表面斜率。
27.根据权利要求26所述的系统，其中用最小不连续(MDF)算法所述处理装置被编程，以解开所述相位信息。
28.根据权利要求26所述的系统，其中用预处理共轭梯度(PCG)算法对处理装置进行编程，以解开所述相位信息。
29.根据权利要求26所述的系统，其中用分支切除最小算法所述处理装置被编程，以解开所述相位信息。
30.根据权利要求26所述的系统，其中用瓦式调制引导算法所述处理装置被编程，以解开所述相位信息。
31.根据权利要求26所述的系统，其中操作所述处理装置，以统计方式用一个表面多项式来拟合被测表面斜率。
32.根据权利要求31所述的系统，其中所述处理装置被编程，以运用卓尼柯多项式来进行统计拟合。
33.根据权利要求31所述的系统，其中操作所述处理装置，从而将积分和微分过程应用到所述被测表面斜率的统计表面拟合中。
34.根据权利要求20所述的系统，其中操作所述处理装置，从而用所述表面斜率来获得所述照射区域的曲率信息。
35.根据权利要求20所述的系统，其中操作所述处理装置，从而用所述表面斜率来获得所述照射区域的应力信息。
36.根据权利要求31所述的系统，其中所述处理装置被编程，以运用勒让德多项式进行统计拟合。
37.根据权利要求20所述的系统，其中所述处理装置被编程，以在所述干涉图样的处理中运用相位提取算法。
38.根据权利要求37所述的系统，其中所述相位提取算法包括选自Bucket A、Bucket B、Bucket C算法中的一种。
39.一种方法，其包括用支撑部件接触晶片的后表面，以支撑所述晶片，其中在所述晶片与所述后表面相反的前表面上制有图案；用探测光束照射所述后表面，以产生一个由所述后表面上的照射区域引起的、反射波阵面中带有变形的反射探测光束；用所述反射探测光束来产生一个光学干涉图样，其中所述干涉图样包括由于在所述后表面上存在支撑部件而造成的中断；在所述光学干涉图样的处理中应用插值算法，以对所述后表面在具有所述中断的区域上引起的干涉条纹进行插值，从而获得仅仅由所述后表面引起的、所述照射区域内的干涉图样特征；并且对来自所述后表面的所述插值干涉图样进行处理，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率。
40.根据权利要求39所述的方法，进一步包括用线性插值算法对所述干涉条纹进行插值。
41.根据权利要求39所述的方法，进一步包括用样条插值算法来对所述干涉条纹进行插值。
42.根据权利要求39所述的方法，进一步包括根据空间频率内容和所述干涉图样中其它条纹的一致性来校验插值条纹。
43.根据权利要求39所述的方法，进一步包括利用所述支撑部件改变所述晶片的角度定位至少一次，从而获得至少一个另一反射探测光束和另一光学干涉图样；在所述另一光学干涉图样的处理中应用所述插值算法，以对所述后表面在具有所述中断的区域上引起的干涉条纹进行插值，从而获得仅仅由所述后表面引起的、所述照射区域内的干涉图样特征；处理来自所述后表面的所述另一干涉图样，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率；对不同角度定位获得的干涉图样之间的干涉信息进行比较，以找到缺失数据；并且填充干涉图样一个位置处的缺失数据，这是通过利用在不同角度定位处获得的另一干涉图样中所述位置处的数据来实现的。
44.根据权利要求39所述的方法，进一步包括以非对称方式设置所述支撑部件来支撑所述晶片的所述后表面。
45.根据权利要求39所述的方法，进一步包括用剪切干涉仪来处理所述反射探测光束，以产生所述光学干涉图样。
46.根据权利要求39所述的方法，进一步包括用非剪切干涉仪来处理所述反射探测光束，以产生所述光学干涉图样。
47.根据权利要求46所述的方法，进一步包括将第二探测光束引导到所述图案化前表面，以通过所述图案化前表面的光学反射来产生第二反射探测光束；利用剪切干涉仪来处理所述第二反射探测光束，以产生第二光学干涉图样；并从所述光学干涉图样和所述第二光学干涉图样中提取所述图案化前表面的表面信息。
48.一种方法，其包括用支撑部件接触晶片的后表面，以支撑所述晶片，其中在所述晶片与所述后表面相反的前表面上制有图案；用探测光束照射所述后表面，以产生一个由所述后表面上的照射区域引起的、反射波阵面中带有变形的反射探测光束；用所述反射探测光束产生一个光学干涉图样，其中所述干涉图样包括由于在所述后表面上存在支撑部件而造成的中断；对来自所述后表面的所述干涉图样进行处理，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率；至少一次改变所述支撑部件上所述晶片的角度定位，从而获得来自相同探测光束的至少一个另一反射探测光束，从而获得另一光学干涉图样；对来自所述后表面的所述另一干涉图样进行处理，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率；对从所述晶片不同角度定位处的不同干涉图样中获得的表面斜率进行比较；并且填充在干涉图样中的一个位置处所发现的缺失数据，这是通过利用在不同角度定位处获得的另一干涉图样中所述位置处的数据来实现的。
49.根据权利要求48所述的方法，进一步包括以非对称方式设置所述支撑部件，以支撑所述晶片的所述后表面。
50.一种方法，其包括用支撑部件接触晶片的后表面，以支撑所述晶片，其中所述支撑部件由对探测波长的光线透明的材料制成，并且在所述晶片与所述后表面相反的前表面上制有图案；用所述探测波长的探测光束照射所述后表面，以产生一个由所述后表面上的照射区域引起的、反射波阵面中带有变形的反射探测光束；用所述反射探测光束产生一个光学干涉图样；并且对来自所述后表面的所述干涉图样进行处理，以获得所述晶片的所述前表面上相应位置的表面斜率。
51.一种方法，包括用具有基本均匀波阵面的探测光束照射待测表面，从而产生一个由该表面引起的、具有变形波阵面的新光束；通过光学剪切干涉仪装置来引导所述新光束，以获得所述变形波阵面和所述变形波阵面的另一复制之间的光学干涉图样，其中所述变形波阵面的所述另一复制空间移位了一个剪切距离；调节所述剪切距离以获得不同剪切距离的光学干涉图样；并且对不同剪切距离的所述干涉图样进行处理，以提取所述待测表面上的信息。
52.根据权利要求51所述的方法，进一步包括利用所述表面的光学反射产生所述新光束。
53.根据权利要求51所述的方法，进一步包括利用所述表面的光学透射产生所述新光束。
54.根据权利要求51所述的方法，进一步包括将一个相干梯度传感系统(CGS)干涉仪用作所述光学干涉仪。
55.根据权利要求51所述的方法，进一步包括将具有两个不同剪切距离的两个干涉图样相减，从而产生一个微分干涉图样，该微分干涉图样对应一个新剪切距离，该新剪切距离等于所述两个不同剪切距离之差。
56.根据权利要求55所述的方法，进一步包括将所述新剪切距离选为所述探测光束的光束尺寸。
57.一种方法，其包括在一个晶片的晶片表面上进行化学机械抛光；在所述化学机械抛光期间，用一个具有基本均匀波阵面的探测光束来照射所述晶片表面，从而产生一个由所述晶片表面引起的、具有变形波阵面的新光束；通过一个光学剪切干涉仪来引导新光束，以获得所述变形波阵面和所述变形波阵面的另一复制之间的光学干涉图样，其中所述变形波阵面的所述另一复制空间移位了一个剪切距离；调节所述剪切距离以获得不同剪切距离的光学干涉图样；和对不同剪切距离的所述干涉图样进行处理，以提取所述晶片表面上的表面微观拓扑信息；并且利用所提取的信息来控制所述化学机械抛光中的操作参数。
58.根据权利要求57所述的方法，进一步包括根据所提取的信息改变所述化学机械抛光的浆体流速。
59.根据权利要求57所述的方法，进一步包括根据所提取的信息改变所述化学机械抛光的抛光垫压力。
60.根据权利要求57所述的方法，进一步包括根据所提取的信息改变所述化学机械抛光的抛光垫速度。
61.根据权利要求57所述的方法，进一步包括根据所提取的信息改变所述化学机械抛光的浆体成分。
62.根据权利要求57所述的方法，进一步包括根据所提取的信息改变抛光垫硬度。
全文摘要
利用光学干涉仪以对表面进行全场光学测量的技术和系统，例如平板的表面、晶片和衬底的图案化表面。并描述了用于测量表面的各种剪切干涉仪的应用。
文档编号G01B9/02GK1759296SQ200480006296
公开日2006年4月12日 申请日期2004年1月28日 优先权日2003年1月28日
发明者A·J·诺萨克斯, D·欧文, S·戈莱顿, S·奥尔森 申请人:奥瑞星