专利名称：一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种化学机械抛光液，特别是涉及一种LED衬底片用的蓝宝石或者碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法。
背景技术：
LED用衬底要求衬底晶片的表面超光滑，无缺陷，无损伤，蓝宝石和SiC晶体加工的表面质量将直接影响到器件的性能。但是由于蓝宝石和SiC晶体硬度极高，莫氏硬度分别为9和9. 2，仅次于金刚石，使其表面加工异常困难，难以获得低粗糙度的高质量表面，使其广泛应用受到极大限制。制备高质量的外延片，对衬底片的要求不仅有低翘曲度、低弯曲度、总厚度偏差小之外，对衬底片的表面有特殊要求低表面缺陷、低亚表面层损伤层、低表层加工应力。衬底片表面和亚表面缺陷，对外延层质量将产生极大的影响。衬底片的表面 缺陷会增大衬底和外延层界面缺陷密度，不利于外延层中缺陷的减少；最终也会形成明显的外延层表面缺陷，导致外延片缺陷密度高，结晶性降低，电学性能差，最终影响了器件的性能。只有通过化学机械抛光的方法才能获得低表面缺陷、低亚表面损伤层、低表层加工应力的LED衬底表面。目前，国内生产的化学机械抛光液普遍针对单晶Si的抛光，对蓝宝石晶体和SiC晶体的化学作用极低，抛光效率低下，抛光后的晶片存在大量的微刮和损伤，因此满足不了蓝宝石和SiC单晶的表面抛光处理的特殊需要。
发明内容
本发明的目的之一是为了解决普通抛光液的效率低下，晶片表面存在大量的损伤的技术问题而提供一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。该化学抛光液对LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面损伤小、除去速率高、易于清洗，而且该化学抛光液不腐蚀加工设备、不污染环境，原材料价格便宜、成本低，易于储存的优点。本发明的目的之二是提供上述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法。本发明的技术方案
一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料组分与含量如下
磨料2 30%
螯合剂O. 01 5%
表面活性剂O. 01 10%
分散剂O. 01 10%氧化剂O. I 20%
余量为去离子水；
所述的磨料为采用溶胶法制备的水溶性的二氧化硅溶胶，溶胶中SiO2胶体颗粒的粒径介于IOnm 90nm,优选为20 70nm ；
所述的螯合剂为溶于水、无重金属离子的羟胺、柠檬酸铵或胺盐，其中所述的羟胺为乙二胺四乙酸铵；
所述的表面活性剂为溶于水的非离子表面活性剂的季胺盐，即为聚氧乙烯烷基胺或烷基醇酰胺；其中所述的烷基醇酰胺为十六烷基三甲基溴化铵；
所述的分散剂为溶于水的聚醇、聚丙烯酸、聚胺盐或聚羧酸盐，其中所述的聚醇为聚乙
二醇；
所述的氧化剂为非金属过氧化物、次氯酸盐或高锰酸盐；
其中所述的非金属过氧化物为过氧化氢；
其中所述的次氯酸盐为次氯酸钠；
其中所述的高锰酸盐为高锰酸钾。上述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法，包括如下步骤
(1)、磨料二氧化硅溶胶的制备，采用溶胶法制备，即在正硅酸已酯(TE0S、上海硅山高分子材料厂)中加入无水乙醇(EtOH)(国药集团上海化学试剂有限公司)催化，冷水浴中搅拌成均相溶液，加入纯水进行水解，再缓慢加入浓度O. 05、. lmol/L的NaOH溶液(国药集团上海化学试剂有限公司)进行缩合，得到二氧化硅溶胶；
(2)、将步骤(I)所得的二氧化硅溶胶在转速为15(T200r/min的条件下搅拌，并依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，搅拌均匀后，最终得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的pH为8. 5 12，所得的化学机械抛光液中SiOJ交体颗粒的粒径介于IOnm 90nm，优选为20 70nm。上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液用于蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理。本发明的有益效果
本发明的上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，由于米用硬度小于蓝宝石和SiC晶体的水溶性SiO2胶体,而市场上的抛光液多采用硬度大的A1203、Cr2O3的粉料，本发明抛光液的粒径小于IOOnm ;市场上抛光液的粒径一般大于IOOnm ;小粒径的抛光液对LED衬底表面的损伤小,不产生亚表面损伤和极低的加工应力。本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，对LED衬底的除去速率可以达到2 μ m/h，蓝宝石甚至可以达到4 μ m/h，抛光效率高，目前市场上的抛光液对LED衬底的化学作用低，尤其是对SiC衬底，除去速率低于O. 2 μ m/h0本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的pH介于8. 5 12 ;对加工的设备不会产生腐蚀性；不污染环境。而目前市场上的抛光液多为酸性，严重腐蚀设备，抛光液的废料不易回收。本发明的上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液中磨料为采用溶胶法制备水溶性硅溶胶，其制备工艺简单，可批量生产，具有生产成本低，适宜于工业化生产的特点。采用本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液加工的LED衬底，表面杂质颗粒数少易于清洗。对于清洗后的LED衬底，杂质元素的个数均小于106atm/cm2。
图I是对比实施例I中经本发明实施例I中所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学抛光液进行抛光处理后的SiC晶片表面形貌 图2是对比实施例I中采用市售抛光液进行抛光处理后的SiC晶片表面形貌图。实施例I
一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料组分与含量如下
磨料IOOg (2%)
螯合剂250g(5%)
表面活性剂500g(10%)
分散剂500g(10%)
氧化剂IOOOg (20%)
去离子水2650g(53%)；
所述的磨料为溶胶法制备的水溶性的二氧化硅溶胶，溶胶中SiO2胶体粒径为70 80nm ；
所述的螯合剂为乙二胺四乙酸铵；
所述的表面活性剂为烷基三甲基溴化铵；
所述的分散剂为聚乙二醇；
所述的氧化剂为次氯酸钠。上述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法，包括如下步骤
(1)、二氧化硅溶胶的制备，在IL的正硅酸已酯(TE0S、上海硅山高分子材料厂)中加入3. 8L无水乙醇(上海国药集团化学试剂有限公司)进行催化，在冷水浴中搅拌20min成混合均相溶液，加入6. 4L的纯水进行水解，再缓慢加入O. 085L、浓度O. lmol/L的NaOH溶液(上海国药集团化学试剂有限公司)进行缩合，得到二氧化硅溶胶；
(2)、将步骤(I)所得的二氧化硅溶胶在转速150r/min的磁力搅拌器中强烈的搅拌下，依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，搅拌均匀后，最终得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的PH值为10. 3，SiO2胶体颗粒的粒径为60 85nm。
用上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液在AMT610C型抛光机上对8片2英寸SiC晶片进行抛光试验，实验过程控制压力为1000g/cm2，抛光盘转速为50r/min，抛光液流量为10ml/min。上述抛光结束后，用Veeco Dimension 3100 AFM测抛光后的SiC晶片表面粗糙度，8片测量结果的均值是O. 19nm ；
采用Sartorius CP225D型精密电子天平(精度为O. Olg)对8片SiC晶片抛光前后称重计算SiC晶片的材料除去率除去速率平均为2. 08 μ m/h0采用SiC标准清洗对衬底清洗后，用电感耦合等离子体质谱仪BASF AgilentICP-MS 7500cs对衬底进行检测,杂质原子个数均低于106atm/cm2。上述的SiC晶片的抛光试验结果表明了经本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液抛光后的SiC晶片表面无损伤，粗糙度低，抛光效率高，抛光液对晶片表面无污染，因此满足LED衬底的要求。实施例2
一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料组分与含量如下
磨料1500g(30%)
螯合剂250g(5%)
表面活性剂500g(10%)
分散剂500g(10%)
氧化剂IOOOg (20%)
去离子水1250g(25%)；
所述的磨料为溶胶法制备的水溶性的二氧化硅溶胶，溶胶中SiO2胶体粒径为70 80nm ；
所述的螯合剂为乙二胺四乙酸铵；
所述的表面活性剂为烷基三甲基溴化铵；
所述的分散剂为聚乙二醇；
所述的氧化剂为次氯酸钠。上述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法，包括如下步骤
(1)、二氧化硅溶胶的制备，在IL的正硅酸已酯(TE0S、上海硅山高分子材料厂)中加入3. 8L无水乙醇(上海国药集团化学试剂有限公司)进行催化，在冷水浴中搅拌20min成混合均相溶液，加入6. 4L的纯水进行水解，再缓慢加入0. 085L、浓度0. lmol/L的NaOH溶液(上海国药集团化学试剂有限公司)进行缩合，得到二氧化硅溶胶；
(2)、将步骤(I)所得的二氧化硅溶胶在转速150r/min的磁力搅拌器中强烈的搅拌下，依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，搅拌均匀后，最终得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的PH值为8. 9，粒径为62 88nm。用上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液在AMT610C型抛光机上对8片2英寸蓝宝石晶片进行抛光试验，实验过程控制压力为1000g/cm2，抛光盘转速为50r/min，抛光液流量为10ml/min。上述抛光结束后，用Veeco Dimension 3100 AFM测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度，8片测量结果的均值是O. 18nm ；
采用Sartorius CP225D型精密电子天平(精度为O. Olg)对8片蓝宝石晶片抛光前后称重计算蓝宝石晶片的材料除去率除去速率平均为2. 2 μ m/ho采用蓝宝石标准清洗对衬底清洗后,用电感稱合等离子体质谱仪BASF AgilentICP-MS 7500cs对衬底进行检测,杂质原子个数均低于106atm/cm2。上述的蓝宝石晶片的抛光试验结果表明了经本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液抛光后的蓝宝石晶片表面无损伤，粗糙度低，抛光效率高，抛光液对晶片表面无污染，因此满足LED衬底的要求。 实施例3
一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料组分与含量如下
磨料1500g(30%)
螯合剂IOOg (2%)
表面活性剂IOOg (2%)
分散剂IOOg (2%)
氧化剂IOOg (2%)
去离子水3100g(62%)；
所述的磨料为溶胶法制备的水溶性的二氧化硅溶胶，溶胶中SiO2胶体颗粒粒径为20 40nm ；
所述的螯合剂为乙二胺四乙酸铵；
所述的表面活性剂为烷基三甲基溴化铵；
所述的分散剂为聚乙二醇；
所述的氧化剂为次氯酸钠。上述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法，包括如下步骤
(1)、二氧化硅溶胶的制备，在0.2L的正硅酸已酯(TE0S、上海硅山高分子材料厂)中加入6. 2L无水乙醇(上海国药集团化学试剂有限公司)进行催化，在冷水浴中搅拌30min成混合均相溶液，加入10. 8L的纯水进行水解，再缓慢加入0. 085L、浓度0. 05mol/L的NaOH溶液(上海国药集团化学试剂有限公司)进行缩合，得到二氧化硅溶胶；
(2)、将步骤(I)所得的二氧化硅溶胶在转速200r/min的磁力搅拌器中强烈的搅拌下，依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，搅拌均匀后，最终得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的PH值为10. 3，粒径为40 65nm。用上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液对8片2英寸蓝宝石晶片在AMT610C型抛光机上进行抛光试验，实验过程控制压力为1000g/cm2，抛光盘转速为50r/min，抛光液流量为10ml/min。上述抛光结束后，用Veeco Dimension 3100 AFM测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度，8片测量结果的均值是O. 13nm ；
采用Sartorius CP225D型精密电子天平(精度为O. Olg)对8片蓝宝石晶片抛光前后称重计算蓝宝石晶片的材料除去率除去速率平均为4. 3 μ m/ho采用蓝宝石的标准清洗衬底后，用电感稱合等离子体质谱仪BASF AgilentICP-MS 7500cs对衬底进行检测,杂质原子个数均低于106atm/cm2。上述的蓝宝石晶片的抛光试验结果表明了经本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液抛光后的蓝宝石晶片表面无损伤，粗糙度低，抛光效率高，抛光液对晶片表面无污染，满足LED衬底的要求。 实施例4
一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，所述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶的表面处理用的化学机械抛光液的原料组分与含量如下
磨料IOOg (2%)
螯合剂0.5g(0.01%)
表面活性剂0. 5g(0.01%)
分散剂0.5g(0.01%)
氧化剂5g(0. 1%)
去离子水4893. 5g(97. 87%);
所述的磨料为溶胶法制备的水溶性的二氧化硅溶胶，溶胶中SiO2胶体颗粒粒径为30 50nm ；
所述的螯合剂为乙二胺四乙酸铵；
所述的表面活性剂为烷基三甲基溴化铵；
所述的分散剂为聚乙二醇；
所述的氧化剂为次氯酸钠。上述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法，包括如下步骤
(1)、二氧化硅溶胶的制备，在0.5L的正硅酸已酯(TE0S、上海硅山高分子材料厂)中加入9. 6L无水乙醇(上海国药集团化学试剂有限公司)进行催化，在冷水浴中搅拌30min成混合均相溶液，加入10. 8L的纯水进行水解，再缓慢加入0. 085L、浓度0. 05mol/L的NaOH溶液(上海国药集团化学试剂有限公司)进行缩合，得到二氧化硅溶胶；
(2)、将步骤(I)所得的二氧化硅溶胶在转速200r/min的磁力搅拌器中强烈的搅拌下，依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，搅拌均匀后，最终得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的PH值为10. 8，粒径为50 70nm。用上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液对8片2英寸蓝宝石晶片在AMT610C型抛光机上进行抛光试验，实验过程中控制压力为1000g/cm2,抛光盘转速为50r/min,抛光液流量为10ml/min。上述抛光结束后的用Veeco Dimension 3100 AFM测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度，8片测量结果的均值是O. 16nm ；
采用Sartorius CP225D型精密电子天平(精度为O. Olg)对8片蓝宝石晶片抛光前后称重计算蓝宝石晶片的材料除去率除去速率平均为3. 8 μ m/ho采用蓝宝石的标准清洗衬底后，用电感稱合等离子体质谱仪BASF AgilentICP-MS 7500cs进行检测，杂质原子个数均低于106atm/cm2。上述的蓝宝石晶片的抛光试验结果表明了经本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学抛光液抛光后的蓝宝石晶片表面无损伤，粗糙度低，
抛光效率高，抛光液对晶片表面无污染，满足LED衬底的要求。实施例5
一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料组分与含量如下
磨料1500g(30%)
螯合剂0.5g(0.01%)
表面活性剂O. 5g(0.01%)
分散剂0.5g(0.01%)
氧化剂5g(0. 1%)
去离子水3493. 5g(69. 87%);
所述的磨料为溶胶法制备的水溶性的二氧化硅溶胶，溶胶中SiO2胶体颗粒粒径为30 50nm ；
所述的螯合剂为乙二胺四乙酸铵；
所述的表面活性剂为烷基三甲基溴化铵；
所述的分散剂为聚乙二醇；
所述的氧化剂为次氯酸钠。上述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法，包括如下步骤
(1)、二氧化硅溶胶的制备，在O.5L的正硅酸已酯(TE0S、上海硅山高分子材料厂)中加入9. 6L无水乙醇(上海国药集团化学试剂有限公司)进行催化，在冷水浴中搅拌30min成混合均相溶液，加入10. 8L的纯水进行水解，再缓慢加入0. 085L、浓度0. 05mol/L的NaOH溶液(上海国药集团化学试剂有限公司)进行缩合，得到二氧化硅溶胶；
(2)、将步骤(I)所得的二氧化硅溶胶在转速200r/min的磁力搅拌器中强烈的搅拌下，依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，搅拌均匀后，最终得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的PH值为11. 5，粒径为50 70nm。用上述所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液对8片2英寸蓝宝石晶片在AMT610C型抛光机上进行抛光试验，实验过程中控制压力为1000g/cm2,抛光盘转速为50r/min,抛光液流量为10ml/min。
上述抛光结束后的用Veeco Dimension 3100 AFM测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度，8片测量结果的均值是O. 19nm ；
采用Sartorius CP225D型精密电子天平(精度为O. Olg)对8片蓝宝石晶片抛光前后称重计算蓝宝石晶片的材料除去率除去速率平均为3. 5 μ m/ho采用蓝宝石的标准清洗衬底后，用电感稱合等离子体质谱仪BASF AgilentICP-MS 7500cs进行检测，杂质原子个数均低于106atm/cm2。上述的蓝宝石晶片的抛光试验结果表明了经本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液抛光后的蓝宝石晶片表面无损伤，粗糙度低，抛光效率高，抛光液对晶片表面无污染，满足LED衬底的要求。对比实施例I
分别取实施例I所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学 机械抛光液IOL和市售的日本Fujimi公司的Compol 80抛光液，在AMT610C型抛光机上分别对8片2英寸SiC晶片化学机械抛光试验，实验过程中压力均为lOOOg/cm2，抛光盘转速均为50r/min，抛光液流量为10ml/min。用Veeco Dimension 3100 AFM分别对上述经不同的抛光液抛光处理后的SiC晶片表面粗糙度进行检测，结果表明本发明的实施例I所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液抛光后的SiC晶片的粗糙度均值是O. 18nm ;而Fujimi公司的Compol 80抛光液抛光后的SiC晶片的粗糙度均值为8nm。采用Sartorius CP225D型精密电子天平(精度为O. Olg)分别对上述经不同的抛光液抛光处理后的8片SiC晶片抛光前后称重计算SiC晶片的材料除去率，结果表明本发明的实施例I所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶的表面处理用的化学机械抛光液的除去速率平均为2. 2 μ m/h,而Fujimi公司的Compol 80抛光液的除去速率平均为O.19 μ m/ho将上述分别经不同的抛光液抛光处理后的8片SiC晶片分别经Vecco NT9100型光学轮廓仪进行检测后的表面形貌图，分别见图I及图2。图I为经本发明的实施例I所得的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液进行抛光处理后的SiC晶片表面的形貌图，从图I中可以看出，其表面无损伤，图2为采用Fujimi公司的抛光液抛光处理后的SiC晶片表面的形貌图，从图2中可以看出，其表面存在很多划伤。综上所述，本发明的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液具有抛光效率高，抛光后的晶片表面无损伤，晶片表面粗糙度值低，对晶片表面无污染的特点，从而解决了现有技术中的对蓝宝石和SiC的化学作用极低，抛光效率低下，抛光后的晶片存在大量的微刮和损伤的问题。以上所述内容仅为本发明构思下的基本说明，而依据本发明的技术方案所作的任何等效变换，均应属于本发明的保护范围。
具体实施例方式下面通过实施例对本发明进一步阐述，但并不限制本发明。
权利要求
1.一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，其特征在于按重量百分比计算，其原料组分与含量如下 磨料2 30% 螯合剂O. 01 5% 表面活性剂O. 01 10% 分散剂O. 01 10% 氧化剂O. I 20% 余量为去离子水； 所述的磨料为采用溶胶法制备的水溶性的二氧化硅溶胶，且二氧化硅溶胶中SiO2胶体颗粒的粒径介于IOnm 90nm ； 所述的螯合剂为溶于水、无重金属离子的羟胺、柠檬酸铵或胺盐； 所述的表面活性剂为聚氧乙烯烷基胺或烷基醇酰胺； 所述的分散剂为溶于水的聚醇、聚丙烯酸、聚胺盐或聚羧酸盐； 所述的氧化剂为非金属过氧化物、次氯酸盐或高锰酸盐。
2.如权利要求I所述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，其特征在于所述的二氧化娃溶胶中SiO2胶体颗粒的粒径介于2(T70nm ； 所述的螯合剂羟胺为乙二胺四乙酸铵； 所述的表面活性剂烷基醇酰胺为十六烷基三甲基溴化铵； 所述的分散剂聚醇为聚乙二醇； 所述的氧化剂次氯酸盐为次氯酸钠。
3.如权利要求I所述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，其特征在于所述的非金属过氧化物为过氧化氢。
4.如权利要求I所述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，其特征在于所述的高锰酸盐为高锰酸钾。
5.如权利要求1、2、3或4所述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液的制备方法，其特征在于包括如下步骤 (1)、磨料二氧化硅溶胶的制备 即在正硅酸已酯中加入无水乙醇进行催化，冷水浴中搅拌成均相溶液，再加入纯水进行水解，再缓慢加入浓度O. 05、. lmol/L的NaOH溶液进行缩合，得到二氧化硅溶胶； (2)、将步骤(I)所得的二氧化硅溶胶在转速为15(T200r/min的条件下搅拌，并依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，搅拌均匀后，最终得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。
6.如权利要求1、2、3或4所述的一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液在蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理方面的应用。
全文摘要
本发明公开一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料由2～30%的磨料、0.01～5%的螯合剂、0.01～10%的表面活性剂、0.01～10%的分散剂、0.1～20%的氧化剂和余量的去离子水组成。其制备方法即首先制备磨料二氧化硅溶胶，然后将所得二氧化硅溶胶在搅拌条件下依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，继续搅拌均匀后得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。该化学机械抛光液对LED衬底表面无损伤、无划痕和无腐蚀坑、不污染环境；原材料价格便宜、成本低，适合工业化生产。
文档编号H01L33/00GK102888193SQ201210208418
公开日2013年1月23日 申请日期2012年6月25日 优先权日2012年6月25日
发明者储耀卿, 徐家跃 申请人:上海应用技术学院