一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法及装置与流程

本发明涉及材料加工技术领域，尤其涉及一种控制蓝宝石晶片抛光ttv/ltv的方法。

背景技术：

目前蓝宝石衬底单面抛光主要目的：1、去除表面残留划痕，2、保持ttv/ltv一致性及稳定性，蓝宝石衬底单面抛光的过程是化学机械抛光原理，由于为了效率及产品相对稳定性，抛光过程多采用高压力，高温度加工方式进行，此方案去除速率可以有效的提高，快速的去除残留划痕；由于高速的腐蚀去除，相对于晶片本身质量晶片边缘ttv/ltv破坏相对严重。

以现有蓝宝石晶片抛光为例，由于晶片边缘5mm位置，ttv/ltv数值相对于晶片中心区域平整度较差，通常晶片中心区域ttv均值达到2.0um左右，ltv均值达到1.0um左右，此数值可以满足客户最大利用率水准。但是由于晶片边缘ttv均值/ltv均值略差于中心区域。客户不能完全利用，造成成本的浪费。

技术实现要素：

针对上述现有技术存在的不足，本发明提供了一种控制蓝宝石晶片抛光ttv/ltv的方法，对盘面实施边缘修整，将盘面边缘按晶片不良尺寸进行计算修低，使晶片在加工过程中，边缘磨损相对较低，从而保证较高去除速率同时，保证晶片ttv/ltv质量的稳定性，解决了现有技术中存在的不足。

本发明是通过以下技术方案来实现的：一种控制蓝宝石晶片抛光ttv/ltv的方法及装置，其具体控制步骤包括：

步骤一，首先通过现有设备对蓝宝石晶片进行抛光；

步骤二，对抛光后的蓝宝石晶片进行测绘；

步骤三，通过测绘分析得出蓝宝石晶片边缘ttv/ltv偏高的区域；

步骤四，根据对蓝宝石晶片边缘ttv/ltv数值的分析结合晶片最大利用率原则对抛光盘面进行修整；

步骤五，用调整后的抛光盘面对蓝宝石晶片进行抛光，测量抛光后蓝宝石晶片的ttv/ltv。

进一步的，对蓝宝石晶片进行单面抛光，抛光采用高温、高压的加工方式。

进一步的，对晶片边缘产生不良位置处进行测绘。

一种控制蓝宝石晶片抛光ttv/ltv的装置，包括压力气缸、抛光盘面、转动主轴，驱动装置和基座，驱动装置设置于基座内，转动主轴与驱动装置连接，抛光盘面与转动主轴连接，压力气缸位于抛光盘面上方，蓝宝石晶片位于抛光盘面和压力气缸之间，所述抛光盘面与蓝宝石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；

进一步的，所述抛光盘面与蓝宝石晶片不完全接触。

本发明的有益效果：

本发明提供了一种控制蓝宝石晶片抛光ttv/ltv的方法及装置，对盘面实施边缘修整，将盘面边缘按晶片不良尺寸进行计算修低，使晶片在加工过程中，边缘磨损相对较低，从而保证较高去除速率同时，保证晶片ttv/ltv质量的稳定性，通过本发明所采用的实施方案，有效的控制了晶片边缘的ttv/ltv，从而提高了蓝宝石晶片整体平整度，大大增加了晶片利用率。

附图说明

图1为本发明的方法流程图；

图2是本发明的结构示意图。

图中：1、压力气缸，2、晶片，3、抛光盘面，4、转动主轴，5、驱动装置，6、基座。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进一步说明，需要说明的是，本实施例是描述性的，不是限定性的，不能由此限定本发明的保护范围。

如图1、图2所示，一种控制蓝宝石晶片抛光ttv/ltv的方法及装置，包括压力气缸1、抛光盘面3、转动主轴4，驱动装置5和基座6，驱动装置设置于基座内，转动主轴与驱动装置连接，抛光盘面与转动主轴连接，压力气缸位于抛光盘面上方，蓝宝石晶片2位于抛光盘面和压力气缸之间，所述抛光盘面与蓝宝石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；具体控制方法的步骤包括：

步骤一，首先通过现有设备(为市场上的现有设备，在此具体型号不明确指出)对蓝宝石晶片进行抛光；

步骤二，对抛光后的蓝宝石晶片进行测绘；

步骤三，通过测绘分析得出蓝宝石晶片边缘ttv/ltv不符合要求的区域；

步骤四，根据对蓝宝石晶片边缘ttv/ltv数值的分析结合晶片最大利用率原则对抛光盘面进行修整；

步骤五，用调整后的抛光盘面对蓝宝石晶片进行抛光，测量抛光后蓝宝石晶片的ttv/ltv。

进一步的，对蓝宝石晶片进行单面抛光，抛光采用高温、高压的加工方式。

进一步的，所述抛光盘面与蓝宝石晶片不完全接触。

本发明所述的一种高速抛光保持晶片ttv/ltv的控制方法及装置，在保持晶片高速率去除的基础上，保持晶片ttv/ltv质量，如图2中左侧所示，传统的盘面尺寸与晶片实现完全接触，通过数据分析，晶片ttv/ltv相对变化质量最差的地方位于晶片的边缘，基于以上因素，我们对抛光盘面按照上述的五个步骤作出调整，按照晶片边缘变化明显的区域长度，对盘面实施边缘修整，如图2中右侧所示，将盘面边缘按晶片不良尺寸进行计算修低，使晶片在加工过程中，边缘磨损相对较低，从而保证较高去除速率同时，保证晶片ttv/ltv质量稳定性。

例如：本实施例中根据实际对晶片易产生不良位置进行测绘发现，晶片边缘5mm位置区域由于线性速度加工原理，边缘磨损较为严重，通常5mm以内ltv区域平整度可达到1.0um左右，但是边缘5mm位置ltv区域平整度达到1.5um左右，相对于中心区域下降较为严重，为了改善客户对于晶片的利用率，实现晶片边缘ltv高标准的原则，按照上述五个步骤对抛光盘面进行修整，采用修整后的抛光盘面对蓝宝石进行抛光，经过实际加工可到达1.0-1.2um的高平整度要求，ttv均值2.0um左右，通过调整使得晶片边缘5mm位置，ttv均值可达到2.2um(改善前2.5um左右)。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性改进或未经过改进本发明的构思和技术方案直接用于其他场合的，均在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明涉及材料加工技术领域，尤其涉及一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法及装置，首先通过现有设备对蓝宝石晶片进行抛光；然后对抛光后的蓝宝石晶片进行测绘；在通过测绘分析得出蓝宝石晶片边缘TTV/LTV偏高的区域；根据对蓝宝石晶片边缘TTV/LTV数值的分析结合晶片最大利用率原则对抛光盘面进行修整；最后用调整后的抛光盘面对蓝宝石晶片进行抛光，测量抛光后蓝宝石晶片的TTV/LTV，直到达到平整度要求。本发明在加工过程中，边缘磨损相对较低，从而保证较高去除速率同时，保证晶片TTV/LTV质量的稳定性，有效的控制了晶片边缘的TTV/LTV，从而提高了蓝宝石晶片整体平整度，大大增加了晶片利用率。

技术研发人员：王鑫
受保护的技术使用者：青岛嘉星晶电科技股份有限公司
技术研发日：2017.07.14
技术公布日：2017.09.08