包含衬底的装置的制造方法
【专利摘要】实施方式的包含衬底的装置的制造方法如下：在具有第一面及第二面的衬底的第二面侧形成膜，将衬底切断，将膜切断，且对通过衬底的切断所形成的第一切断部或通过膜的切断所形成的第二切断部喷射粒子，对第一切断部或第二切断部进行加工。
【专利说明】包含衬底的装置的制造方法
[0001]相关串请案
[0002]本申请案享有以日本专利申请案2015-14570号(申请日:2015年I月28日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及一种包含衬底的装置的制造方法。
【背景技术】
[0004]形成在晶片等半导体衬底上的多个半导体元件通过沿着设置在半导体衬底的切割区域进行切割而被分割成多个半导体芯片。在半导体衬底的一个面形成有成为半导体元件的电极的金属膜、或黏晶膜等树脂膜时，在切割时必须将切割区域的金属膜或树脂膜也切断。
[0005]作为将半导体衬底、金属膜、或树脂膜切断的方法，有通过刀片切割予以切断的方法。在使用该方法的情况下，容易在半导体衬底、金属膜、或树脂膜的切断部产生毛边等形状异常。而且，作为其他方法，例如有通过激光束的照射予以切断的方法。在使用该方法的情况下，容易在半导体衬底、金属膜、或树脂膜的切断部产生碎片等形状异常。如果产生毛边或碎片等形状异常，便会将半导体芯片判定为外观检查不良或者产生底面与半导体芯片的接合不良，故而导致产品成品率降低，因此成为问题。
【发明内容】
[0006]本发明的实施方式提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0007]实施方式的装置的制造方法是在具有第一面及第二面的衬底的所述第二面侧形成膜，将所述衬底切断，将所述膜切断，且对通过所述衬底的切断所形成的第一切断部或通过所述膜的切断所形成的第二切断部喷射粒子，对所述第一切断部或所述第二切断部进行加工。
【附图说明】
[0008]图1A、1B、1C、1D、1E、IF是表示第一实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0009]图2A、2B、2C、2D、2E是表示第二实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0010]图3A、3B、3C、3D、3E、3F是表示第三实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0011]图4A、4B、4C、4D、4E是表示第四实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0012]图5A、5B、5C、ro、5E、5F是表示第五实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0013]图6A、6B、6C、6D、6E、6F是表示第六实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0014]图7A、7B、7C、7D、7E、7F、7G是表示第七实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0015]图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G是表示第八实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0016]图9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G是表示第九实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0017]图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G是表示第十实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0018]图11A、11B、11C、11D、11E、11F是表示第^^一实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0019]图12A、12B、12C、12D、12E是表示第十二实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
【具体实施方式】
[0020]本说明书中，所谓“毛边(burr) ”意指对被加工物进行加工时在被加工物的加工面或表面产生的多余突起。而且，本说明书中，所谓“碎片(debris)”意指通过激光束的照射对被加工物进行加工时，因蒸发或熔融的被加工物在被加工物的加工面或表面再凝固而产生的形状异常。
[0021]以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下说明中，对相同或类似的部件等标注相同符号，且对已说明过一次的部件等适当省略其说明。
[0022](第一实施方式)
[0023]本实施方式的装置的制造方法是在具有第一面及第二面的衬底的第二面侧形成膜，沿着切断预定区域将衬底切断，沿着切断预定区域将膜切断，且对通过衬底的切断所形成的第一切断部或通过膜的切断所形成的第二切断部喷射粒子，而对第一切断部或第二切断部进行加工。
[0024]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的情况为例进行说明。在该情况下，衬底成为半导体衬底。而且，膜成为金属膜。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。另外，所谓包含二氧化碳的粒子(以下，也简写为二氧化碳粒子)是指以二氧化碳作为主要成分的粒子。除二氧化碳以外，例如也可含有无法避免的杂质。
[0025]图1A、1B、1C、1D、1E、IF是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0026]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。保护膜例如为聚酰亚胺等树脂膜、氮化硅膜或氧化硅膜等无机绝缘膜。优选在设置在正面侧的切割区域的表面露出硅衬底10。
[0027]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图1A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0028]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图1B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。
[0029]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0030]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在金属膜14的表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图1C)。
[0031]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域将硅衬底10及金属膜14同时切断(图1D)。此处，所谓切割区域是指用来通过切割而将多个半导体元件分割成多个半导体芯片的具备规定宽度的切断预定区域。切割区域设置在硅衬底10的正面侧。切割区域也被称为切割道。在切割区域未形成半导体元件的图案。切割区域例如在硅衬底10正面侧以隔开半导体元件的方式设置成格子状。
[0032]硅衬底10及金属膜14是从正面侧通过刀片切割而同时予以切断。硅衬底10及金属膜14是使用旋转的刀片予以切断。
[0033]其次，将树脂片22贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片22即所谓的切割片。树脂片22例如被固定在金属框24。树脂片22被粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。然后，将背面侧的树脂片16剥离(图1E)。
[0034]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图1F)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。第一切断部21为所切断的硅衬底10的切断面、或切断面附近的硅衬底10的表面。第二切断部23为所切断的金属膜14的切断面、或切断面附近的金属膜14的表面。
[0035]所谓第一切断部21或第二切断部23的加工具体来说是指将因刀片切割而产生在第一切断部21或第二切断部23的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0036]二氧化碳粒子为固体状态的二氧化碳。二氧化碳粒子即所谓的干冰。二氧化碳粒子的形状例如为颗粒状、粉末状、球状、或不定形状。
[0037]二氧化碳粒子例如是通过使液化二氧化碳隔热膨胀而产生。所产生的二氧化碳粒子例如与氮气一起从喷嘴被喷射而被吹送到金属膜14。二氧化碳粒子的平均粒径优选10 μπι以上且200 μπι以下。二氧化碳粒子的平均粒径例如能够通过以下方式求出，S卩，利用高速相机拍摄从喷嘴所喷射的二氧化碳粒子，并对所拍摄的图像内的粒子进行测长。
[0038]二氧化碳粒子的平均粒径优选小于第一切断部21或第二切断部23的宽度。其原因在于，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边的去除效果提尚。
[0039]而且，二氧化碳粒子被吹送到金属膜14时在金属膜14表面上的点径例如优选Φ 3mm以上且Φ 10mm以下。
[0040]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选使树脂片22延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边的去除效果提尚。
[0041]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选像图1F所示那样利用掩膜26将树脂片22的区域覆盖。通过利用掩膜26将树脂片22的区域覆盖，例如可抑制树脂片22因二氧化碳粒子的冲击而从框架24剥落。掩膜26例如为金属。
[0042]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片22剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0043]以下，对本实施方式的装置的制造方法的作用及效果进行说明。
[0044]在像立式MOSFET那样在硅衬底10的背面侧也形成金属膜14的情况下，切割时必须将切割区域的背面侧的金属膜14也切断。例如，在通过刀片切割将半导体衬底10、及金属膜14从正面侧同时去除的情况下，切割区域的硅衬底10的切断面成为凹凸形状，产生所谓的毛边。而且，切割区域的金属膜14朝背面侧卷起，产生所谓的毛边。
[0045]如果产生硅衬底10的毛边，那么例如会有半导体芯片外观检查不良而无法产品化的担忧。而且，有半导体芯片的强度在毛边的部分降低的担忧。
[0046]而且，如果产生金属膜14的毛边，那么例如会有半导体芯片外观检查不良而无法产品化的担忧。而且，例如在利用焊料等接合材将半导体芯片与金属的底面接合时，有因密接性在毛边的部分变差而产生接合不良的担忧。
[0047]在本实施方式中，沿着切割区域将硅衬底10及金属膜14切断之后，从背面侧吹送二氧化碳粒子。利用二氧化碳粒子将硅衬底10或金属膜14的毛边去除。
[0048]认为硅衬底10及金属膜14的毛边的去除主要是因二氧化碳粒子的物理冲击而产生。此外，认为毛边被低温的二氧化碳粒子急冷，且与毛边发生碰撞的二氧化碳施加气化膨胀的力，由此促进物理冲击的毛边去除效果。
[0049]在本实施方式中，喷射二氧化碳粒子时，优选朝相对于金属膜14的表面(第二面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射二氧化碳粒子。通过朝相对于金属膜14的表面(第二面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射二氧化碳粒子，粒子容易与硅衬底10及金属膜14的切断面发生碰撞。因此，毛边的去除效率提高。
[0050]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0051](第二实施方式)
[0052]本实施方式的装置的制造方法并非从衬底的第二面侧而是从衬底的第一面侧对衬底喷射粒子，除该方面以外，与第一实施方式相同。因此，对于与第一实施方式重复的内容省略部分记述。
[0053]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0054]图2A、2B、2C、2D、2E是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0055]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0056]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图2A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0057]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图2B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。
[0058]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0059]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在金属膜14的表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图2C)。
[0060]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)将硅衬底10及金属膜14同时切断(图2D)。
[0061]硅衬底10及金属膜14是从硅衬底10的正面侧(第一面侧)通过刀片切割而同时切断。硅衬底10及金属膜14是使用旋转的刀片予以切断。
[0062]其次，从娃衬底10的正面侧(第一面侧)对娃衬底10喷射二氧化碳粒子(图2E)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0063]所谓第一切断部21或第二切断部23的加工具体来说是指将因刀片切割而产生在第一切断部21或第二切断部23的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0064]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选使树脂片16延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边的去除效果提尚。
[0065]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片16剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0066]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0067](第三实施方式)
[0068]本实施方式的装置的制造方法是通过激光束的照射从第一面侧同时进行衬底的切断及膜的切断，除该方面以外，与第一实施方式相同。因此，对于与第一实施方式重复的内容省略部分记述。
[0069]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0070]图3A、3B、3C、3D、3E、3F是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0071]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0072]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图3A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0073]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图3B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。
[0074]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0075]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在金属膜14的表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图3C)。
[0076]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)将硅衬底10及金属膜14同时切断(图3D)。
[0077]硅衬底10及金属膜14是从硅衬底10的正面侧(第一面侧)通过激光束的照射同时切断。
[0078]其次，将树脂片22贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片22即所谓的切割片。树脂片22例如被固定在金属框24。树脂片22被粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。然后，将背面侧的树脂片16剥离(图3E)。
[0079]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图3F)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0080]所谓第一切断部21或第二切断部23的加工具体来说是指将因激光束的照射而产生在第一切断部21或第二切断部23的碎片去除。碎片是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0081]在吹送二氧化碳粒子而去除碎片时，优选使树脂片22延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，碎片的去除效果提尚。
[0082]然后，通过将硅衬底10的背面侧的树脂片22剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0083]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0084](第四实施方式)
[0085]本实施方式的装置的制造方法与第二实施方式的不同方面在于通过激光束的照射从第二面侧同时进行衬底的切断及膜的切断。对于与第二实施方式重复的内容省略部分记述。
[0086]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0087]图4A、4B、4C、4D、4E是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0088]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0089]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图4A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0090]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图4B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离。
[0091]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0092]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在硅衬底10的表面(图4C)。
[0093]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)，从硅衬底10的背面侧将硅衬底10及金属膜14同时切断(图4D)。
[0094]硅衬底10及金属膜14是从硅衬底10的背面侧(第二面侧)通过激光束的照射而同时切断。
[0095]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对硅衬底10喷射二氧化碳粒子(图4E)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0096]所谓第一切断部21或第二切断部23的加工具体来说是指将因激光束的照射而产生在第一切断部21或第二切断部23的碎片去除。碎片是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0097]在吹送二氧化碳粒子而去除碎片时，优选使树脂片16延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，碎片的去除效果提尚。
[0098]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片16剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0099]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0100](第五实施方式)
[0101]本实施方式的装置的制造方法与第四实施方式的不同方面在于，从第二面侧通过激光束的照射进行膜的切断，且从第二面侧通过刀片切割进行衬底的切断。对于与第四实施方式重复的内容省略部分记述。
[0102]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0103]图5A、5B、5C、5D、5E、5F是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0104]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0105]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图5A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0106]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图5B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离。
[0107]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0108]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的正面侧(第一面侧)。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在硅衬底10的表面(图5C)。
[0109]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)将金属膜14切断(图f5D)。金属膜14是从硅衬底10的背面侧(第二面侧)通过激光束的照射予以切断。
[0110]其次，沿着切割区域将硅衬底10切断(图5E)。硅衬底10是从硅衬底10的背面侧(第二面侧)通过刀片切割予以切断。
[0111]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对硅衬底10喷射二氧化碳粒子(图5F)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0112]所谓第一切断部21的加工具体来说是指将因刀片切割而产生在第一切断部21的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。而且，所谓第二切断部23的加工具体来说是指将因激光束的照射而产生在第二切断部23的碎片去除。碎片是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0113]从提高加工裕度的观点来看，将金属膜14切断时的切断宽度优选比将硅衬底10切断时的切断宽度更宽。
[0114]在吹送二氧化碳粒子而将毛边或碎片去除时，优选使树脂片16延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边或碎片的去除效果提尚。
[0115]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片16剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0116]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0117](第六实施方式)
[0118]本实施方式的装置的制造方法与第五实施方式的不同方面在于在切断衬底前进行粒子的喷射。对于与第五实施方式重复的内容省略部分记述。
[0119]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0120]图6A、6B、6C、6D、6E、6F是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0121]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0122]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图6A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0123]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图6B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离。
[0124]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0125]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的正面侧(第一面侧)。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在硅衬底10的表面(图6C)。
[0126]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)将金属膜14切断(图6D)。金属膜14是从硅衬底10的背面侧(第二面侧)通过激光束的照射予以切断。
[0127]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对硅衬底10喷射二氧化碳粒子(图6E)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0128]所谓第二切断部23的加工具体来说是指将因激光束的照射而产生在第二切断部23的碎片去除。碎片是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0129]其次，沿着切割区域将硅衬底10切断(图6F)。硅衬底10是从硅衬底10的背面侧(第二面侧)通过刀片切割予以切断。
[0130]从提高加工裕度的观点来看，将金属膜14切断时的切断宽度优选比将硅衬底10切断时的切断宽度更宽。
[0131]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片16剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0132]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0133](第七实施方式)
[0134]本实施方式的装置的制造方法与第一实施方式的不同方面在于，从第一面侧通过等离子体切割进行衬底的切断，且从第二面侧通过激光束的照射进行膜的切断。对于与第一实施方式重复的内容省略部分记述。
[0135]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0136]图7A、7B、7C、7D、7E、7F、7G是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0137]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0138]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图7A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0139]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图7B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。
[0140]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0141]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在金属膜14的表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图7C)。
[0142]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)，以露出背面侧的金属膜14的方式从正面侧将硅衬底10切断(图7D)。
[0143]硅衬底10是通过等离子体蚀刻予以切断。等离子体蚀刻例如为所谓的波希法，其反复进行使用F系自由基的各向同性蚀刻步骤、使用cf4€自由基的保护膜形成步骤、使用F系离子的各向异性蚀刻。
[0144]其次，将树脂片22贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片22即所谓的切割片。树脂片22例如被固定在金属框24。树脂片22被粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。然后，将背面侧的树脂片16剥离(图7E)。
[0145]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)将金属膜14切断(图7F)。金属膜14是从硅衬底10的背面侧(第二面侧)通过激光束的照射予以切断。
[0146]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图7G)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0147]所谓第一切断部21的加工具体来说是指将因等离子体蚀刻而产生在第一切断部21的毛边去除。而且，所谓第二切断部23的加工具体来说是指将因激光束的照射而产生在第二切断部23的碎片去除。毛边或碎片是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0148]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边或碎片时，优选使树脂片22延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边或碎片的去除效果提尚。
[0149]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片22剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0150]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0151](第八实施方式)
[0152]本实施方式的装置的制造方法与第一实施方式的不同方面在于，从第一面侧通过等离子体切割进行衬底的切断，且从第二面侧通过粒子的喷射进行膜的切断，然后，通过粒子的喷射进行第一切断部及第二切断部的加工。对于与第一实施方式重复的内容省略部分记述。
[0153]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0154]图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0155]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0156]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图8A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0157]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图8B) O金属膜14设置在背面的大致整个面。
[0158]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0159]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在金属膜14的表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图8C)。
[0160]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)，以露出背面侧的金属膜14的方式从正面侧将硅衬底10切断(图8D)。
[0161]硅衬底10是通过等离子体蚀刻予以切断。等离子体蚀刻例如为所谓的波希法，其反复进行使用F系自由基的各向同性蚀刻步骤、使用CF4€自由基的保护膜形成步骤、使用F系离子的各向异性蚀刻。
[0162]其次，将树脂片22贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片22即所谓的切割片。树脂片22例如被固定在金属框24。树脂片22被粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。然后，将背面侧的树脂片16剥离(图SE)。
[0163]其次，从硅衬底10的背面侧对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图8F)。二氧化碳粒子例如是对金属膜14的表面(第二面)垂直地喷射。
[0164]通过喷射二氧化碳粒子，将硅衬底10被切断的部位的背面侧的金属膜14切断。金属膜14是通过被二氧化碳粒子物理性地削落到空腔部而予以切断。
[0165]二氧化碳粒子为固体状态的二氧化碳。二氧化碳粒子即所谓的干冰。二氧化碳粒子的形状例如为颗粒状、粉末状、球状、或不定形状。
[0166]二氧化碳粒子例如是通过使液化二氧化碳隔热膨胀而产生。所产生的二氧化碳粒子例如与氮气一起从喷嘴被喷射而被吹送到金属膜14。二氧化碳粒子的平均粒径优选10 μπι以上且200 μπι以下。二氧化碳粒子的平均粒径例如能够通过以下方式求出，S卩，利用高速相机拍摄从喷嘴所喷射的二氧化碳粒子，并对所拍摄的图像内的粒子进行测长。
[0167]而且，二氧化碳粒子被吹送到金属膜14时，在金属膜14表面上的点径例如优选Φ 3mm以上且Φ 10mm以下。
[0168]在吹送二氧化碳粒子而去除金属膜14时，优选像图8F所示那样利用掩膜26将树脂片22的区域覆盖。通过利用掩膜26将树脂片22的区域覆盖，例如可抑制树脂片22因二氧化碳粒子的冲击而从框架24剥落。掩膜26例如为金属。
[0169]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图SG)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0170]所谓第一切断部21的加工具体来说是指将因等离子体蚀刻而产生在第一切断部21的毛边去除。而且，所谓第二切断部23的加工具体来说是指将第二切断部23的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0171]二氧化碳粒子是朝相对于金属膜14的表面(第二面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射。通过朝相对于金属膜14的表面(第二面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射二氧化碳粒子，粒子容易与硅衬底10及金属膜14的切断面发生碰撞。因此，毛边的去除效率提尚。
[0172]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选使树脂片22延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边的去除效果提尚。
[0173]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片22剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0174]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0175](第九实施方式)
[0176]本实施方式的装置的制造方法与第一实施方式的不同方面在于，以使衬底残留的方式进行衬底的切断，且从第二面侧通过粒子的喷射进行膜及残留的衬底的切断，然后，通过粒子的喷射进行第一切断部及第二切断部的加工。对于与第一实施方式重复的内容省略部分记述。
[0177]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0178]图9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0179]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0180]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图9A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0181]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图9B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。
[0182]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0183]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在金属膜14的表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图9C)。
[0184]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)，以背面侧的硅衬底10部分残留的方式形成沟槽20 (图9D)。使沟槽20的背面侧的半导体衬底残留20 μ m以下、更优选1ym以下。
[0185]沟槽20例如通过刀片切割而形成。沟槽20例如也能够通过等离子体蚀刻而形成。
[0186]其次，将树脂片22贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片22即所谓的切割片。树脂片22例如被固定在金属框24。树脂片22被粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。然后，将背面侧的树脂片16剥离(图9E)。
[0187]其次，从硅衬底10的背面侧对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图9F)。二氧化碳粒子例如是对金属膜14的表面(第二面)垂直地喷射。
[0188]通过喷射二氧化碳粒子，将形成有沟槽20的部位的背面侧的金属膜14及残留的硅衬底10切断。金属膜14及硅衬底10是通过被二氧化碳粒子物理性地削落到作为空腔部的沟槽20而予以切断。
[0189]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图9G)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过金属膜14的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0190]所谓第一切断部21或第二切断部23的加工具体来说是指将因刀片切割而产生在第一切断部21的毛边去除。而且，是指将第二切断部23的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0191]二氧化碳粒子是朝相对于金属膜14的表面(第二面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射。通过朝相对于金属膜14的表面(第二面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射二氧化碳粒子，粒子容易与硅衬底10及金属膜14的切断面发生碰撞。因此，毛边的去除效率提尚。
[0192]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选使树脂片22延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边的去除效果提尚。
[0193]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片22剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0194]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0195](第十实施方式)
[0196]本实施方式的装置的制造方法与第一实施方式的不同方面在于，以露出膜的方式进行衬底的切断，并从第一面侧通过粒子的喷射进行第一切断部的加工，然后从第二面侧进行粒子的喷射而将膜切断。对于与第一实施方式重复的内容省略部分记述。
[0197]以下，以所制造的装置为使用在两面具备金属电极的硅(Si)的立式功率MOSFET的情况为例进行说明。而且，以所喷射的粒子为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。
[0198]图10A、10B、10C、10D、10E、10F、1G是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0199]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成立式MOSFET(半导体元件)的基极区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅极电极、源极电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。
[0200]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图10A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0201]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成金属膜14 (图10B)。金属膜14设置在背面的大致整个面。
[0202]金属膜14是MOSFET的漏极电极。金属膜14例如为不同种金属的积层膜。金属膜14例如为从硅衬底10的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜14例如利用溅镀法形成。金属膜14的膜厚例如为0.5 μm以上且1.0 μm以下。
[0203]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在金属膜14的表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图10C)。
[0204]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)，以露出背面侧的金属膜14的方式从正面侧将硅衬底10切断(图10D)。
[0205]硅衬底10例如是通过刀片切割予以切断。硅衬底10例如也能够通过等离子体蚀刻予以切断。
[0206]其次，从硅衬底10的正面侧对硅衬底10喷射二氧化碳粒子(图10E)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21进行加工。
[0207]所谓第一切断部21的加工具体来说是指将因刀片切割而产生在第一切断部21的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0208]二氧化碳粒子是朝相对于硅衬底10的表面(第一面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射。通过朝相对于硅衬底10的表面(第一面)以未达90度的角度倾斜的方向喷射二氧化碳粒子，粒子容易与硅衬底10的切断面发生碰撞。因此，毛边的去除效率提高。
[0209]其次，将树脂片22贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片22即所谓的切割片。树脂片22例如被固定在金属框24。树脂片22被粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。然后，将背面侧的树脂片16剥离(图10F)。
[0210]其次，从硅衬底10的背面侧对金属膜14喷射二氧化碳粒子(图10G)。二氧化碳粒子例如是对金属膜14的表面(第二面)垂直地喷射。
[0211]通过喷射二氧化碳粒子，将形成有第一切断部21的部位的背面侧的金属膜14切断。金属膜14是通过被二氧化碳粒子物理性地削落到空腔部而予以切断。
[0212]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片22剥离而获得经分割的多个M0SFET。
[0213]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0214](第^实施方式)
[0215]本实施方式的装置的制造方法与第一实施方式的不同方面在于制造在衬底10的第二面侧并非具备金属膜而是具备树脂膜的半导体装置。以下，对于与第一实施方式重复的内容省略记述。
[0216]以下，以所制造的装置为使用在背面侧具备树脂膜的硅(Si)的半导体存储器的情况为例进行说明。
[0217]图11A、11B、11C、11D、IlEUlF是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0218]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成半导体存储器(半导体元件)的存储器晶体管、周边电路、电源电极、接地电极、I/o电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。保护膜例如为聚酰亚胺等树脂膜、氮化硅膜或氧化硅膜等无机绝缘膜。
[0219]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图11A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0220]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成树脂膜30 (图11B)。树脂膜30设置在背面的大致整个面。[0221 ] 树脂膜30例如为用来将分割后的半导体芯片粘结到衬底的DAF (Die AttachFilm，黏晶膜)。树脂膜30的膜厚例如为10 μπι以上且200 μπι以下。
[0222]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接在树脂膜30表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图11C)。
[0223]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域将硅衬底10及树脂膜30同时切断(图11D)。此处，所谓切割区域是指用来通过切割将多个半导体元件分割成多个半导体芯片的具备规定宽度的切断预定区域，且设置在硅衬底10的正面侧。切割区域也被称为切割道。在切割区域未形成半导体元件的图案。切割区域例如是在硅衬底10正面侧以隔开半导体元件的方式设置成格子状。
[0224]硅衬底10及树脂膜30是从正面侧通过刀片切割同时予以切断。硅衬底10及树脂膜30是使用旋转的刀片予以切断。
[0225]其次，将树脂片22贴附在硅衬底10的正面侧。树脂片22即所谓的切割片。树脂片22例如被固定在金属框24。树脂片22被粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。然后，将背面侧的树脂片16剥离(图11Ε)。
[0226]其次，从硅衬底10的背面侧(第二面侧)对树脂膜30喷射二氧化碳粒子(图HF)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过树脂膜30的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0227]所谓第一切断部21或第二切断部23的加工具体来说是指将因刀片切割而产生在第一切断部21或第二切断部23的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0228]二氧化碳粒子为固体状态的二氧化碳。二氧化碳粒子即所谓的干冰。二氧化碳粒子的形状例如为颗粒状、粉末状、球状、或不定形状。
[0229]二氧化碳粒子例如是通过使液化二氧化碳隔热膨胀而产生。所产生的二氧化碳粒子例如与氮气一起从喷嘴被喷射而被吹送到金属膜14。二氧化碳粒子的平均粒径优选10 μπι以上且200 μπι以下。二氧化碳粒子的平均粒径例如能够通过以下方式求出，S卩，利用高速相机拍摄从喷嘴所喷射的二氧化碳粒子，并对所拍摄的图像内的粒子进行测长。
[0230]而且，二氧化碳粒子被吹送到金属膜14时在树脂膜30表面上的点径例如优选Φ 3mm以上且Φ 10mm以下。
[0231]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选使树脂片22延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边的去除效果提尚。
[0232]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选像图1lF所示那样利用掩膜26将树脂片22的区域覆盖。通过利用掩膜26将树脂片22的区域覆盖，例如可抑制树脂片22因二氧化碳粒子的冲击而从框架24剥落。掩膜26例如为金属。
[0233]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片22剥离而获得经分割的多个半导体存储器。
[0234]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0235](第十二实施方式)
[0236]本实施方式的装置的制造方法与第二实施方式的不同方面在于制造在衬底的第二面侧并非具备金属膜而是具备树脂膜的半导体装置。以下，对于与第二实施方式重复的内容省略记述。
[0237]以下，以所制造的装置为使用在背面侧具备树脂膜的硅(Si)的半导体存储器的情况为例进行说明。
[0238]图12A、12B、12C、12D、12E是表示本实施方式的装置的制造方法的示意步骤剖视图。
[0239]首先，在具备第一面(以下，也称为正面)及第二面(以下，也称为背面)的硅衬底(衬底)10的正面侧形成半导体存储器(半导体元件)的存储器晶体管、周边电路、电源电极、接地电极、I/o电极等图案。然后，在硅衬底10的最上层形成保护膜。保护膜例如为聚酰亚胺等树脂膜、氮化硅膜或氧化硅膜等无机绝缘膜。
[0240]其次，将支撑衬底(支撑体)12贴合在硅衬底10的正面侧(图12A)。支撑衬底12例如为石英玻璃。
[0241]其次，通过研磨将硅衬底10的背面侧去除而将硅衬底10薄膜化。然后，在硅衬底10的背面侧形成树脂膜30 (图12B)。树脂膜30设置在背面的大致整个面。
[0242]树脂膜30例如为用来将分割后的半导体芯片粘结到衬底的DAF (DieAttachFilm)。树脂膜30的膜厚例如为1ym以上且200 μ m以下。
[0243]其次，将树脂片16贴附在硅衬底10的背面侧。树脂片16即所谓的切割片。树脂片16例如被固定在金属框18。树脂片16被粘接到树脂膜30表面。然后，从硅衬底10将支撑衬底12剥离(图12C)。
[0244]其次，沿着设置在硅衬底10的正面侧的切割区域(切断预定区域)将硅衬底10及树脂膜30同时切断(图12D)。此处，所谓切割区域是指用来通过切割将多个半导体元件分割成多个半导体芯片的具备规定宽度的切断预定区域，且设置在硅衬底10的正面侧。切割区域也被称为切割道。在切割区域未形成半导体元件的图案。切割区域例如是在硅衬底10正面侧以隔开半导体元件的方式设置成格子状。
[0245]硅衬底10及树脂膜30是从正面侧通过刀片切割同时予以切断。硅衬底10及树脂膜30是使用旋转的刀片予以切断。
[0246]其次，从娃衬底10的正面侧(第一面侧)对娃衬底10喷射二氧化碳粒子(图12E)。通过喷射二氧化碳粒子，对通过硅衬底10的切断所形成的第一切断部21、或通过树脂膜30的切断所形成的第二切断部23进行加工。
[0247]所谓第一切断部21或第二切断部23的加工具体来说是指将因刀片切割而产生在第一切断部21或第二切断部23的毛边去除。毛边是通过被二氧化碳粒子削落而去除。
[0248]在吹送二氧化碳粒子而去除毛边时，优选使树脂片16延伸而扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度。其原因在于，通过扩大第一切断部21及第二切断部23的宽度，二氧化碳粒子容易与第一切断部21或第二切断部23的切断面发生碰撞，毛边的去除效果提尚。
[0249]然后，通过将硅衬底10的正面侧的树脂片16剥离而获得经分割的多个半导体存储器。
[0250]以上，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制对衬底或形成在衬底上的膜进行加工时的形状异常的装置的制造方法。
[0251]另外，在第一至第十二实施方式中，以半导体元件为立式M0SFET、半导体存储器的情况为例进行了说明，但半导体元件并不限定于立式M0SFET、半导体存储器。
[0252]而且，在第一至第十二实施方式中，以用于制造M0SFET、半导体存储器的情况为例进行了说明，但也能够将本发明应用于IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)、小信号系装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)的制造。
[0253]而且，在第一至第十二实施方式中，作为衬底，以半导体衬底为例进行了说明，但也能够将本发明应用于半导体衬底以外的衬底、例如陶瓷衬底、玻璃衬底、蓝宝石衬底等其他衬底。
[0254]而且，在第一至第十二实施方式中，以对金属膜或树脂膜喷射二氧化碳粒子的情况作为一例进行了说明，但也能够应用从喷嘴喷射时为固体且在常温等放置着衬底的环境中气化的其他粒子。例如，也能够应用氮粒子或氩粒子。
[0255]而且，在第一至第十二实施方式中，作为形成在第二面侧的膜，以金属膜及树脂膜为例进行了说明，但例如也能够应用氮化膜或氧化膜等无机绝缘膜等其他膜。
[0256]对本发明的若干个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例进行提示，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种形态实施，可在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变化包含在发明的范围或主旨，并且包含在权利要求书的范围所记载的发明及其均等的范围内。
【主权项】
1.一种装置的制造方法，其特征在于: 在具有第一面及第二面的衬底的所述第二面侧形成膜； 将所述衬底切断； 将所述膜切断；并且 对通过所述衬底的切断所形成的第一切断部或通过所述膜的切断所形成的第二切断部喷射粒子，对所述第一切断部或所述第二切断部进行加工。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:沿着切断预定区域将所述衬底及所述膜切断。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述粒子为包含二氧化碳的粒子。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述膜为金属膜。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述膜为树脂膜。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述衬底为半导体衬底。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:通过喷射所述粒子而将所述第一切断部或所述第二切断部的毛边去除。8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:通过喷射所述粒子而将所述第一切断部或所述第二切断部的碎片去除。9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:朝相对于所述第一面或所述第二面以未达90度的角度倾斜的方向喷射所述粒子。10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:从所述第一面侧通过刀片切割同时进行所述衬底的切断、以及所述膜的切断。11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:通过激光束的照射进行所述衬底的切断或所述膜的切断。
【文档编号】H01L21/02GK105826253SQ201510553511
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年9月2日
【发明人】鹰野正宗
【申请人】株式会社东芝