OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法与流程

文档序号:11252700
OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法与流程

本发明属于显示技术领域,具体涉及一种OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法。



背景技术:

随着科学技术的不断进步,视觉资讯在人们生活中的地位越来越重要,因此,承载视觉资讯信息的平板显示器件也在人们生活中占据着越来越重要的地位。这些常见的平板显示器件包括液晶显示器件(LCD),有机电致发光二极管(OLED)等。

OLED基板中通常包括衬底基板、设置在衬底基板上方的平坦层、阳极和像素限定层。在现有OLED基板的制备过程中,通常在平坦层形成之后通过两步工艺制备阳极和像素限定层,而在制备像素限定层时,由于曝光量较大,会导致薄膜晶体管的特性Vth漂移,影响OLED基板的的稳定性;另外,阳极和像素限定层分开制备的工艺会造成产能降低、成本增加等问题。



技术实现要素:

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种能够避免在制备过程薄膜晶体管的特性Vth漂移,以保证基板稳定性,以及降低制备成本、提高产能的OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板的制备方法,包括:

通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形;其中,所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙,每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。

其中,所述通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形;其中,所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙,每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极包括:

在所述衬底的上方依次沉积第一极材料和像素限定层材料;

对像素限定层材料进行不同精度的曝光,形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域;

对曝光后的完全曝光区域和部分曝光区域的像素限定层材料进行显影、刻蚀,去除所述完全曝光区域的像素限定层材料,以暴露出与所述完全曝光区域对应的部分所述第一极材料;

对暴露出的所述第一极材料进行刻蚀,以形成所述第一极;

去除所述部分曝光区域剩余的像素限定层材料,以形成所述像素挡墙。

其中,在所述通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之前,还包括:

在所述衬底上依次形成薄膜晶体管的各层结构和平坦化层。

其中,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。

其中,在所述通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之后,还包括:

在所述衬底的上方且相邻两个所述OLED器件之间形成隔垫物。

其中,在所述通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之后,还包括:

形成位于所述第一极之上的发光层和第二极。

其中,所述第一极采用导电的反射材料制成。

作为另一技术方案,本发明还提供一种显示装置的制备方法,包括上述任意一项所述的OLED基板的制备方法的步骤。

作为另一技术方案,本发明还提供一种OLED基板,包括多个OLED器件,每个所述OLED器件包括第一极和位于所述第一极上的像素限定层,所述像素限定层包括多个像素挡墙,每一个所述像素挡墙和一个所述OLED器件的第一极在衬底上的正投影所限定的区域完全重合。

作为另一技术方案,本发明还提供一种显示装置,包括上述的OLED基板。

本发明的OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法中,该OLED基板的制备方法包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形,也就是说,第一极和像素限定层可以采用一次构图工艺制备,同时,像素限定层可以作为第一极的刻蚀保护层(即相当于光刻胶),既可以减少一次构图工艺,还可以减少光刻胶的使用,从而大幅度降低成本、提高OLED基板的产能;另外,第一极和像素限定层通过一次构图工艺制备,能够完全避免第一极和像素限定层分开制备时所产生的图案偏差,从而提高OLED基板的开口率;而且,在进行构图工艺时,由于第一极的存在能够反射光线,因此,能够有效的保护紫外光对位于第一极下方的薄膜晶体管的特性的影响,从而保证了OLED基板的稳定性。

附图说明

图1为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法的流程示意图;

图2为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S1之后的一种结构示意图;

图3为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S1之后的另一种结构示意图;

图4为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S21之后的结构示意图;

图5为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S23之后的结构示意图;

图6为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S24之后的结构示意图;

图7为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S25之后的结构示意图;

图8为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S3之后的结构示意图;

图9为本发明的实施例1的OLED基板的制备方法中执行完步骤S4之后的结构示意图;

其中,附图标记为:1、衬底;2、栅极;3、栅绝缘层;4、金属氧化物层;5、源极;6、漏极;7、绝缘层;8、平坦化层;9、低温多晶硅层;10、缓冲层;11、层间介质层;12、第一极材料;13、像素限定层材料;14、第一极;15、像素挡墙;16、隔垫物;17、发光层;18、第二极;A、完全曝光区域;B、部分曝光区域;C、未曝光区域。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1:

请参照图1至图9,本实施例提供一种OLED基板的制备方法,包括:

步骤S1,在衬底1上依次形成薄膜晶体管的各层结构和平坦化层8。

其中,薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。当然,薄膜晶体管的类型并不局限于此,在此不再赘述。

请参照图2,当薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管,该氧化物薄膜晶体管包括在衬底1上依次形成的栅极2、栅绝缘层3、金属氧化物层4(即有源层)、源极5、漏极6、绝缘层7,绝缘层7上形成平坦化层8。

请参照图3,当薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,该低温多晶硅薄膜晶体管包括在衬底1上依次形成的低温多晶硅层9((即有源层))、缓冲层10、栅极2、层间介质层11、源极5、漏极6、绝缘层7,绝缘层7上形成平坦化层8。

需要说明的是,本实施例中是以底栅结构的薄膜晶体管进行描述的,但并不局限于此,还可以采用顶栅结构,在此不再赘述。以下,以采用氧化物薄膜晶体管的OLED基板的制备方法进行描述,当然,采用低温多晶硅薄膜晶体管的OLED基板的制备方法相同,在此不再赘述。

步骤S2,通过一次构图工艺,在衬底1的上方形成包括OLED器件的第一极14和位于第一极14所在层上方的像素限定层的图形;其中,像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙15,每一个像素挡墙15限定一个OLED器件的第一极14。

其中,步骤S1具体包括:

请参照图4,步骤S21,在衬底1的上方依次沉积第一极材料12和像素限定层材料13。从图4中可以看出,第一极材料12实际上是沉积在平坦化层8上的,像素限定层材料13沉积在第一极材料12上。

步骤S22,对像素限定层材料13进行不同精度的曝光,形成完全曝光区域A、部分曝光区域B和未曝光区域C。需要说明的是,本实施例中所说的不同精度的曝光可采用灰阶掩膜板或半色调掩膜板进行曝光,但不局限于此。此时,像素限定层材料13的作用相当于现有技术工艺中的光刻胶层,即像素限定层材料13除了在后续步骤中能够形成像素限定层之外,还可以起到节省光刻胶的作用。

请参照图5,步骤S23,对曝光后的完全曝光区域A和部分曝光区域B的像素限定层材料13进行显影、刻蚀,去除完全曝光区域A的像素限定层材料13,以暴露出与完全曝光区域A对应的部分第一极材料12。

从图5中可以看出,在进行不同精度的曝光之后,第一极材料12完全裸露出来的区域为完全曝光区域A,像素限定层材料13的厚度减小的区域为部分曝光区域,像素限定层材料13的厚度没有发生变化的区域为未曝光区域C。

请参照图6,步骤S24,对暴露出的第一极材料12进行刻蚀,以形成第一极14。

优选地,第一极14采用导电的反射材料制成。之所以如此设置,是由于采用导电的反射材料制成第一极14,能够对照射到第一极14上的光线进行反射,因此,不会使照射到第一极14上的紫外光照射到位于第一极14下方的薄膜晶体管上,从而能够有效的保护紫外光对薄膜晶体管的特性的影响,进而保证了OLED基板的稳定性。

进一步优选地,第一极14采用ITO/Ag/ITO材料制成。之所以如此设置,是由于ITO/Ag/ITO材料具有较高的发光效率和电子取出率,当然,制备第一极14所采用的材料并不局限于此,还可以采用其他导电材料,在此不再赘述。

请参照图7,步骤S25,去除部分曝光区域B剩余的像素限定层材料13,以形成像素挡墙15。

在本实施例中,可采用灰化工艺去除部分曝光区域B中剩余的像素限定层材料13,从而形成像素限定层中的像素挡墙15(位于未曝光区域C中)。从图7中可以看出,在灰化工艺过程中,部分曝光区域B中的像素限定层材料13被去除,未曝光区域C中的像素限定层材料13的厚度被减小。

需要说明的是,每个OLED器件的第一极14上均形成有一个像素挡墙15,每个像素挡墙15包括图7中每个第一极14上的两个梯形图案,多个像素挡墙15共同组成像素限定层,也就是说,在本实施例中,像素限定层并不是一个整层结构,而是包括多个分开的像素挡墙15的不连接结构。

请参照图8,步骤S3,在衬底1的上方且相邻两个OLED器件之间形成隔垫物16。

从图8中可以看出,在平坦化层8上,且位于相邻两个OLED器件之间形成有隔垫物16,该隔垫物16能够用于支撑对盒基板或形成彩膜时所用的掩膜板。可以理解的是,隔垫物16的上表面的高度应大于像素挡墙15的上表面的高度。

请参照图9,步骤S4,形成位于第一极14之上的发光层17和第二极18。需要说明的是,第一极14和第二极18中的一者为阳极,另一者为阴极,在本实施例中,第一极14为阳极,第二极18为阴极,当然,本实施例的方案并不局限于此,也可第一极14为阴极,第二极18为阳极,在此不再赘述。

从图9中可以看出,发光层17形成在部分曝光区域中,以与第一极14连接,第二极18位于像素挡墙15上并与发光层17连接。需要说明的是,第二极18也采用导电材料制成。在本实施例中,可通过喷墨打印工艺形成发光层17,通过蒸镀工艺形成第二极18,当然,形成发光层17和第二极18的构图工艺并不局限于此,在此不再赘述。

本实施例的OLED基板的制备方法,包括:通过一次构图工艺,在衬底1的上方形成包括OLED器件的第一极14和位于第一极14所在层上方的像素限定层的图形,也就是说,第一极14和像素限定层可以采用一次构图工艺制备,同时,像素限定层可以作为第一极14的刻蚀保护层(即相当于光刻胶),既可以减少一次构图工艺,还可以减少光刻胶的使用,从而大幅度降低成本、提高OLED基板的产能;另外,第一极14和像素限定层通过一次构图工艺制备,能够完全避免第一极14和像素限定层分开制备时所产生的图案偏差,从而提高OLED基板的开口率;而且,在进行构图工艺时,由于第一极14的存在能够反射光线,不会使紫外光照射到位于第一极14下方的薄膜晶体管上,因此,能够有效的保护紫外光对薄膜晶体管的特性的影响,从而保证了OLED基板的稳定性。

实施例2:

本实施例提供一种显示装置的制备方法,包括实施例1的OLED基板的制备方法的步骤。

本实施例的显示装置的制备方法,包括实施例1的OLED基板的制备方法,详细描述可参照实施例1的OLED基板的制备方法,在此不再赘述。

本实施例的显示装置的制备方法,第一极14和像素限定层可以采用一次构图工艺制备,同时,像素限定层可以作为第一极14的刻蚀保护层(即相当于光刻胶),既可以减少一次构图工艺,还可以减少光刻胶的使用,从而大幅度降低成本、提高OLED基板的产能;另外,第一极14和像素限定层通过一次构图工艺制备,能够完全避免第一极14和像素限定层分开制备时所产生的图案偏差,从而提高OLED基板的开口率;而且,在进行构图工艺时,由于第一极14的存在能够反射光线,不会使紫外光照射到位于第一极14下方的薄膜晶体管上,因此,能够有效的保护紫外光对薄膜晶体管的特性的影响,从而保证了OLED基板的稳定性。

实施例3:

请参照图9,本实施例提供一种OLED基板,包括多个OLED器件,每个OLED器件包括第一极14和位于第一极14上的像素限定层,像素限定层包括多个像素挡墙15,每一个像素挡墙15和一个OLED器件的第一极14在衬底1上的正投影所限定的区域完全重合。

也就是说,每个像素挡墙15是完全位于第一极14上的,因此,每个像素挡墙15在衬底1上的正投影完全位于其下方的第一极14在衬底1上的正投影所限定的区域内。

本实施例的OLED基板,采用实施例1的OLED基板的制备方法制备而成,详细描述可参照实施例1的OLED基板的制备方法,在此不再赘述。

本实施例的OLED基板,采用实施例1的OLED基板的制备方法制备而成,其中,第一极14和像素限定层可以采用一次构图工艺制备,同时,像素限定层可以作为第一极14的刻蚀保护层(即相当于光刻胶),既可以减少一次构图工艺,还可以减少光刻胶的使用,从而大幅度降低成本、提高OLED基板的产能;另外,第一极14和像素限定层通过一次构图工艺制备,能够完全避免第一极14和像素限定层分开制备时所产生的图案偏差,从而提高OLED基板的开口率;而且,在进行构图工艺时,由于第一极14的存在能够反射光线,不会使紫外光照射到位于第一极14下方的薄膜晶体管上,因此,能够有效的保护紫外光对薄膜晶体管的特性的影响,从而保证了OLED基板的稳定性。

实施例4:

本实施例提供了一种显示装置,包括实施例3的OLED基板。显示装置可以为:电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本实施例的显示装置,其中,OLED基板的第一极14和像素限定层可以采用一次构图工艺制备,同时,像素限定层可以作为第一极14的刻蚀保护层(即相当于光刻胶),既可以减少一次构图工艺,还可以减少光刻胶的使用,从而大幅度降低成本、提高OLED基板的产能;另外,第一极14和像素限定层通过一次构图工艺制备,能够完全避免第一极14和像素限定层分开制备时所产生的图案偏差,从而提高OLED基板的开口率;而且,在进行构图工艺时,由于第一极14的存在能够反射光线,不会使紫外光照射到位于第一极14下方的薄膜晶体管上,因此,能够有效的保护紫外光对薄膜晶体管的特性的影响,从而保证了OLED基板的稳定性。

可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

再多了解一些
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