专利名称：半导体器件漏电流检测方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及半导体器件漏电流的检测方法。
背景技术：
当前，半导体器件的功率损耗，尤其是由于器件本身原因造成的静态功 率损耗是电路设计时所要考虑的主要问题。大的静态功率损耗会严重影响器 件的性能，由此，如何进行器件静态功率损耗的检测已成为设计人员亟待解 决的首要问题。
实际生产中，由于制程因素限制，在实际器件内部会产生一定的缺陷， 这些缺陷会在实际器件工作时产生寄生效应，等同于在实际器件内部形成有 寄生器件。通常，此寄生器件的阈值电压低于理想器件的阈值电压，所述理 想器件内无寄生效应，即在理想器件开启前，寄生器件已开启，造成实际器 件在亚阈值区的漏极电流的增大，相当于实际器件的漏电流增加，导致实际 器件在待机状态也会发生电流的泄漏，进而引起实际器件静态功率损耗，影 响实际器件的性能，严重时，甚至会导致电路失效。
由于器件处于亚阈值状态时，漏极电流较小，为清晰地表明器件漏极电 流与栅极电压的对应关系，本申请文件内将器件的漏极电流与栅极电压关系
曲线对应的漏纟及电流I d均耳又为对It坐标。
图l为理想器件漏极电流与栅极电压关系曲线示意图，如图1所示，理想 器件的漏极电流Id为栅极电压V(;的单调增加函数，在亚阈值区内，V。〈Vt(岡 值电压)，漏极电流Id随栅极电压V(;的增加迅速增大；器件进入饱和区后，Vc 〉VT, Id随V。的增加上升缓慢；然而，由于器件内部缺陷的存在，实际器件 的漏极电流Id并非为栅极电压V。的单调增加函数，图2为实际器件漏极电流与 栅极电压关系曲线示意图，如图2所示，在亚阈值区内，V。<VT,漏极电流Id 随栅极电压Ve的增加而迅速增大，但此实际器件漏极电流与栅极电压关系曲线 却并非为单调增加的函数曲线，而是在此亚阈值区域内存在一拐点。研究发
现，此拐点的出现可用以证明实际器件工作时存在寄生效应，即实际器件漏 极电流与栅极电压关系曲线可视为由理想器件漏极电流与栅极电压关系曲线 与寄生器件漏极电流与栅极电压关系曲线复合而成的函数曲线。由此，研究
此拐点附近区域的实际器件漏极电流I d的变化，即对此拐点附近亚阈值区域 内的实际器件的漏电流进行研究，可用以分析实际器件内寄生效应产生的漏 电流是否会影响到器件性能。
申请号为"96106893.0"的中国专利申请文件中提供了 一种测量半导体 器件结区漏电流的方法，采用此方法可以测量半导体器件结区漏电流，但此 方法的应用依赖于特定的器件制造工艺，且结区漏电流的测量在器件完成前
进行，无法检测经由不同制程的完整器件的漏电流，且此专利申请文件中也 未提供明确的器件漏电流的检测方法，无法判断最终形成的半导体器件的漏 电流是否满足产品要求。由此，急需一种更具一般性的半导体器件漏电流检 测方法，可对经由不同制程的实际器件的漏电流进行检测，以判断器件漏电 流是否超出产品要求。
发明内容
本发明提供了 一种半导体器件漏电流检测方法，可检测出器件的漏电流 是否超出产品要求。
本发明提供的 一种半导体器件漏电流检测方法，包括 获得漏极电流与栅极电压关系曲线；
将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得 具有第 一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；
计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值 的比值；
将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判 定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准， 则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
得到所述漏极电流与栅极电压关系曲线前，需给定器件工作电压及衬底 电压；所述器件工作电压为使器件工作于线性区或饱和区的任意电压值；所 述器件衬底电压为任意合理电压值；所述跨导取值区间为小于栅极电压测试 范围的任意合理电压值；所述预设判别标准为所述比值小于1.1。
本发明提供的一种半导体器件漏电流检测方法，包括
获得亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线；
将所述亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨
导，获得具有第 一峰值和第二峰值的亚阈值区跨导与栅极电压关系曲线；
计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值
的比值；
将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判 定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准， 则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
得到所迷亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线前，需给定器件工作电 压及衬底电压；所述器件工作电压为使器件工作于线性区或初始饱和区的任 意电压值；所述器件衬底电压为任意合理电压值；所述跨导取值区间为小于 栅极电压测试范围的任意合理电压值；所述预设判别标准为所述比值小于 1. 1。
本发明提供的 一种半导体器件漏电流检测方法，包括 施加使器件进入初始饱和状态的栅极电压，记录所述4册极电压值； 以所述栅极电压值为起始电压，通过逐渐减小所述4册极电压值，逆序进
行电性测试，获得亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线；
将所述亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨
导，获得具有第 一峰值和第二峰值的亚阈值区跨导与栅极电压关系曲线； 计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值
的比值；
将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判 定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准， 则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
通过控制电流调节栅极电压，使所述栅极电压值接近器件的阈值电压； 所述控制电流值取为l微安；得到所述漏极电流与栅极电压关系曲线前，需给 定器件工作电压及衬底电压；所述器件工作电压为使器件工作于线性区或初 始饱和区的任意电压值；所述器件衬底电压为任意合理电压值；所述跨导取 值区间为小于栅极电压测试范围的任意合理电压值；所述预设判别标准为所 述比值小于l. 1。
与现有技术相比，本发明具有以下优点
1. 检测范围广；利用本发明方法可检测出实际器件在不同器件工作电压 及衬底电压条件下的漏电流是否超出产品要求，且对器件无特殊要求；
2. ^r顶'J简^f更；利用晶片可4妻受'f生测;式(wafer acceptance testing, WAT) 系统，采用本发明方法对实际器件进行漏电流检测，既保证了检测的精确性， 又提高了检测效率；
3. 可节约4全测时间；应用本发明方法对实际器件进行漏电流;险测时，可 预先设置测试条件使器件达到初始饱和状态，继而逆序进行电性测试，可大 大缩短检测时间。
4. 可辅助指明失效分析方向；若检测出的漏电流严重偏离产品要求，可 辅助说明实际器件制造过程中的隔离工艺可能出现了问题。
图1为理想器件漏极电流与栅极电压关系曲线示意图； 图2为实际器件漏极电流与栅极电压关系曲线示意图； 图3为本发明方法实施例的不同V。分段区间的漏极电流与栅极电压关系 曲线示意图4为实际器件跨导K与栅极电压Vi;关系曲线示意图5为实际器件漏电流检测分析示意图6为il明本发明方法实施方式一的漏电流检测分冲斤图7为说明本发明方法实施方式二的漏电流检测分析图8为说明本发明方法实施方式三的漏电流检测分析图9至图17为说明本发明方法其它实施方式的漏电流检测分析图。
其中
100:漏极电流与4册极电压关系曲线；
101:亚阈<直区漏4及电流与4册才及电压关系曲线；
102:分段内漏极电流与栅极电压关系曲线；
110:漏才及电流与棚4及电压关系曲线亚阈j直区内拐点；
200:跨导K与栅极电压V(;关系曲线；
201:亚阈值区跨导K与栅极电压V。关系曲线；
210:跨导K第一峰值；
211:亚阈值区跨导K第一峰值；
220: ^争导K第二峰ii; 221:亚阈值区跨导K第二峰值； 230:两峰值之间跨导K最小值； 231:亚阈值区两峰值之间跨导K最小值。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图 对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
应用本发明方法检测器件漏电流的流程为给定工作电压V。s及衬底电压 VK，得到实际器件的漏极电流与栅极电压关系曲线；将对应所述漏极电流与栅
极电压关系曲线的栅极电压Vc;分段，并测量对应不同分段点处栅极电压V,;对
应的漏极电流Id;将不同分段区间的漏极电流与栅极电压关系曲线求斜率， 得到具有双峰值的跨导K与栅极电压^曲线；计算对应跨导K第二峰值与两 峰值之间跨导K最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比 值超出预设判别标准，则判定漏电流对此器件性能的影响已超出产品要求。 应用本发明方法检测器件漏电流的具体步骤为
首先，给定工作电压V。s及衬底电压VB，对器件进行电性测试，得到器件 漏极电流与栅极电压关系曲线100。
本发明方法最终检测到的漏电流主要为器件处于亚阈值状态时的漏电 流，器件处于亚阈值状态时，器件的漏极电流较小，为便于说明本发明方法 的具体实施方式
，将器件的漏极电流与栅极电压关系曲线对应的漏极电流Id 取为对数坐标，得到如图2所示的漏极电流与栅极电压关系曲线100。显然， 利用此漏极电流与栅极电压关系曲线IOO，可使得器件处于亚阈值状态下的漏 电流Id与栅极电压V(;间的对应关系更易于观测，且不改变器件电性测试规律。
如图2所示，所述器件漏极电流与栅极电压关系曲线10 0在亚阈值区内具 有拐点IIO，而不是理想的光滑的单调递增的函数曲线，说明此器件内存在寄 生效应，所述寄生效应产生的漏电流对器件性能是否产生影响，需经由后续 步骤判断。
所述器件工作电压V。s为使器件工作于线性区或饱和区的任意电压值；所 述器件衬底电压VB为任意合理电压值。
而后，利用所述器件漏极电流与栅极电压关系曲线IOO，得到器件跨导K 与栅极电压Ve关系曲线。
线示意图，如图2及图3所示，将所述器件漏极电流与栅极电压关系曲线100的 栅极电压V(;取值范围均分为n段，等距间隔为Ve;同时，测量对应不同分段点 处栅极电压Ve对应的漏极电流Id。。然后，求出对应不同栅才及电压V。分段区间的 跨导K。对应栅极电压V。分段i的跨导为Ki， L =(Id「Idw)/ Ve。
图4为实际器件跨导K与栅极电压V(,关系曲线示意图，如图4所示，以分段 点处的栅极电压VG为横坐标，以求得的对应不同栅极电压l分段区间的跨导K 为纵坐标作图，得到如图4所示的跨导K与栅极电压Ve曲线200。
所述栅极电压V。取值范围分段的等距间隔Ve及段数n根据检测要求及测 试范围确定。为保证检测结果的精确性，所述等距间隔Ve应尽量小，段数n 应尽量大；作为本发明方法的实施例，栅极电压W分段间隔Ve定为0. 025v。
如图4所示，所述跨导K与栅极电压V(;曲线200为双峰曲线，其跨导K 第一峰值210对应器件由耗尽区进入亚阈值区时的跨导K与栅极电压V。关系 200;其跨导K第二峰值220及两峰值之间间隔区域内栅极电压V。对应的器件 跨导K与栅极电压V。关系曲线200用以证明器件内由于存在寄生效应而产生 的漏电流对器件性能的影响。
图5为实际器件漏电流检测分析示意图，如图5所示，为清晰地表明器 件漏极电流与栅极电压关系曲线100与器件跨导K与栅极电压、关系曲线的 关系，可将图2及图4共同组成器件漏电流检测分析示意图，继而围绕不同 器件的漏电流检测分析图，说明本发明方法的具体实施方式
。
图6为说明本发明方法实施方式一的漏电流检测分析图，如图6所示，本 发明方法实施方式一的具体实施步骤为
首先，选择沟道宽度及沟道长度分别为4微米及0. 35微米的器件进行电性 测试，得到器件漏极电流与栅极电压关系曲线100。
所述器件工作电压V。s取为0. lv,衬底电压VB取为-3v。
诚然，所述工作电压V。s及村底电压VB的具体数值为便于说明本发明具体实 施例而做出的特殊选择，不应作为对测试条件的限定，本领域技术人员对测
试条件作出的任意合理的改变不影响本发明方法的实施，且包含在本发明的 保护范围内。
而后，利用所述器件漏极电流与栅极电压关系曲线IOO，得到器件跨导K
与栅极电压V,;关系曲线。
如图6所示，所述^争导K与栅极电压Ve曲线200为双峰曲线，其跨导K第一峰
导K第二峰值220及两峰值之间间隔区域内栅极电压V。对应的器件跨导K与栅极 电压V(;关系曲线200用以证明器件内由于存在寄生效应而产生的漏电流对器件 性能的影响。
随后，计算跨导K第二峰值220与两峰值之间跨导K最小值230之比，如果 所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响超出产品要求。
所述预设判别标准根据器件性能参数及产品要求确定。作为本发明的实 施例，所述预设判别标准为所述跨导K第二峰值220与两峰值之间跨导K最小值 230的比值小于1. 1,即如果所述比值超过l. 1，则判定漏电流对此器件性能的 影响已超出产品要求。需强调的是，若所述比值严重偏离所述预设判别标准 还可说明器件制造过程中隔离工艺可能出现了问题。
利用WAT系统，采用本发明方法对器件进行漏电流检测，可自动检出不合 格器件，所述不合格器件的漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
特别地，为缩短检测时间，对器件进行电性测试时，可只得到器件的亚 阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线，进而获得器件亚阈值区跨导K与栅极电 压V(;关系曲线，计算所述曲线内跨导K第二峰值与两峰值之间跨导K最小值之 比，如果所述比值超出预定范围，确定漏电流对器件性能的影响超出产品要 求。
图7为说明本发明方法实施方式二的漏电流检测分析图，如图7所示，本 发明方法实施方式二的具体实施步骤为
首先，选择沟道宽度及沟道长度分别为4微米及0. 35微米的器件进行电性 测试，得到器件亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线101 。
所述器件工作电压V。s取为0. lv，衬底电压VB取为-3v。
诚然，所述工作电压V。s及衬底电压VB的具体数值为便于说明本发明具体实 施例而做出的特殊选择，不应作为对测试条件的限定，本领域技术人员对测
试条件作出的^壬意合理的改变不影响本发明方法的实施，且包含在本发明的 保护范围内。
而后，利用所述器件亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线101，得到器 件亚阈值区跨导K与栅极电压V。关系曲线201。
如图7所示，所述亚阈值区跨导K与栅极电压Vc曲线201为双峰曲线，其跨
导K与栅极电压V。关系曲线201用以证明器件内由于存在寄生效应而产生的漏 电流对器件性能的影响。
随后，计算跨导K第二峰值221与两峰值之间跨导K最小值231之比，如果 所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响超出产品要求。
所述预设判别标准根据器件性能参数及产品要求确定。作为本发明的实 施例，所述预设判别标准为所述跨导K第二峰值221与两峰值之间跨导K最小值 231的比值小于1.1，即如果所述比值超过l. 1,则判定漏电流对此器件性能的 影响已超出产品要求。需强调的是，若所述比值严重偏离所述预设判别标准 还可说明器件制造过程中隔离工艺可能出现了问题。
利用WAT系统，采用本发明方法对器件进行漏电流检测，可自动检出不合 格器件，所述不合格器件的漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
特别地，为缩短检测时间，对器件进行电性测试时，可预先设置测试条 件使器件达到初始饱和状态，并记录此时的栅极电压V"继而，以所述栅极电 压V,;为起始电压，通过逐渐减小栅极电压V。，逆序进行器件电性测试，只得到 器件的亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线，进而获得器件亚阈值区跨导K 与栅极电压V(;关系曲线，计算所述曲线内跨导K第二峰值与两峰值之间跨导K 最小值之比，如果所述比值超出预定范围，确定漏电流对器件性能的影响超 出产品要求。
图8为说明本发明方法实施方式三的漏电流;险测分析图，如图8所示，作 为本发明方法的第三实施例，本发明方法的具体实施步骤为
首先，给定器件工作电压V。s及衬底电压VB,对器件施加栅极电压V。，所述 栅极电压V。可使器件达到初始饱和状态，记录所述栅极电压Ve值，并以记录的
栅极电压V。值为起始电压，通过逐渐减小栅极电压Ve,逆序进行器件电性测试，
得到器件的亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线。
所述器件工作电压V DS为使器件工作于线性区或初始饱和区的任意电压
值；所述器件衬底电压VB为任意合理电压值。作为本发明方法的具体实施例二， 选择沟道宽度及沟道长度分别为4微米及0. 35微米的器件进行漏电流的检测。 所述器件工作电压Vds耳又为O. lv;衬底电压取为-3v。
诚然，所述工作电压及衬底电压的具体数值为便于说明本发明具体实施 例而做出的特殊选择，不应作为对测试条件的限定，本领域技术人员对测试 条件作出的任意合理的改变不影响本发明方法的实施，且包含在本发明的保 护范围内。
通过控制电流调节施加于器件上的栅极电压Vc，使所述栅极电压v。值接近 器件的阈值电压。所述控制电流值根据器件的性能参数确定；作为本发明的 实施例，所述控制电流值取为l微安。
所述逆序电性测试具体为以记录的栅极电压Ve值为起始电压，逐渐减小 栅极电压VJ直，继而器件漏极电流Id,所述器件漏极电流Id对应不同的逐渐减 小的栅极电压V。值，进而得到器件的亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线 101。
而后，利用所述器件亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线IOI，得到器 件亚阈值区5夸导K与 一册;f及电压V。关系曲线2 01 。
如图8所示，所述亚阈值区跨导K与栅极电压V。曲线201为双峰曲线，其跨
阈值区跨导K与栅极电压Ve关系曲线201用以证明器件内由于存在寄生效应而 产生的漏电流对器件性能的影响。
随后，计算跨导K第二峰值221与两峰值之间跨导K最小值231之比，如果 所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响超出产品要求。
所述预设判别标准根据器件性能参数及产品要求确定。作为本发明的实 施例，所述预设判别标准为所述跨导K第二峰值221与两峰值之间跨导K最小值 231的比值小于1. 1，即如果所述比值超过l. 1，则判定漏电流对此器件性能的
影响已超出产品要求。需强调的是，若所述比值严重偏离所述预设判别标准 还可说明器件制造过程中隔离工艺可能出现了问题。
利用WAT系统，采用本发明方法对器件进行漏电流;险测，可自动检出不合 格器件，所述不合格器件的漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
图9至图17为说明本发明方法其它实施方式的漏电流检测分析图，如图所 示，作为本发明方法的具体实施例，可对具有不同沟道宽度及沟道长度的器 件给定器件工作电压V。s及衬底电压VB,利用与实施例一至实施例三相同的方 法，进行漏电流检测。所述器件的工作电压VDs及衬底电压VB根据器件参数具体 选定。
诚然，所迷工作电压及衬底电压的具体数值为便于说明本发明具体实施 例而做出的特殊选择，不应作为对测试条件的限定，本领域技术人员对测试 条件作出的任意合理的改变不影响本发明方法的实施，且包含在本发明的保
护范围内。
需说明的是，由于工艺条件及测试精度的限制，当漏极电流小于1E-11安 培时，说明本发明方法的各具体实施例中的测试数据会存在相对误差。所述 相对误差只影响到漏极电流小于1E-ll安培时测试it据的准确性，不影响本发
明方法的实施。
采用本发明方法，可检测出器件在不同工作电压V。s及衬底电压Vb条件下的 漏电流变化情况，且对器件无特殊要求；同时，利用WAT系统对器件进行漏电 流检测，既保证了检测的精确性，又提高了检测效率；通过预先设置测试条 件使器件先达到初始饱和状态，继而逆序进行电性测试，还可大大缩短检测 时间；此外，若检测出的漏电流严重偏离产品要求，还可辅助说明实际器件 制造过程中的隔离工艺可能出现了问题，辅助指明失效分析方向。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何 本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和 修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种半导体器件漏电流检测方法，其特征在于，包括获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于得到所述漏极电流与栅极 电压关系曲线前，需给定器件工作电压及衬底电压。
3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述器件工作电压为使器 件工作于线性区或饱和区的任意电压值。
4. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述器件衬底电压为任意 合理电压值。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述跨导取值区间为小于 栅极电压测试范围的任意合理电压值。
6. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于所述预设判别标准为所述 比值小于1. 1。
7. —种半导体器件漏电流检测方法，其特征在于，包括 获得亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨 导，获得具有第 一峰值和第二峰值的亚阈值区跨导与栅极电压关系曲线； 计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判 定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准， 则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于得到所述亚阈值区漏极电 流与栅极电压关系曲线前，需给定器件工作电压及衬底电压。
9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于所述器件工作电压为使器 件工作于线性区或初始饱和区的任意电压值。
10. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于所述器件衬底电压为任 意合理电压值。
11. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述跨导取值区间为小 于栅极电压观'j试范围的任意合理电压值。
12. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述预设判别标准为所 述比值小于1. 1。
13. —种半导体器件漏电流检测方法，其特征在于，包括 施加使器件进入初始饱和状态的栅极电压，记录所述栅极电压值； 以所述栅极电压值为起始电压，通过逐渐减小所述栅极电压值，逆序进行电性测试，获得亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第 一峰值和第二峰值的亚阈值区跨导与栅极电压关系曲线； 计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所迷比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判 定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准， 则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
14. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于通过控制电流调节栅极 电压，使所述栅极电压值接近器件的阈值电压。
15. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于所述控制电流值取为1 微安。
16. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于得到所述漏极电流与栅 极电压关系曲线前，需给定器件工作电压及村底电压。
17. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于所述器件工作电压为使 器件工作于线性区或初始饱和区的任意电压值。
18. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于所述器件衬底电压为任 意合理电压值。
19. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述跨导取值区间为小于才册极电压测-武范围的^f壬意合理电压值。
20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述预设判别标准为所 述比值小于1. 1。
全文摘要
一种半导体器件漏电流检测方法，包括获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
文档编号G01R31/26GK101105518SQ20061002878
公开日2008年1月16日 申请日期2006年7月10日 优先权日2006年7月10日
发明者程仁豪, 苏鼎杰, 郑敏祺, 陈文桥, 黄俊诚 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司