专利名称：电学性能测试方法及其测试设备的制作方法
电学性能测试方法及其测试设备
技术领域：
本发明涉及电学性能测试方法及其装置，尤其涉及一种可以缩短测试时间的电学 性能测试方法及其测试设备。
背景技术：
如附图1所示，现有技术中的电学性能测试方法依次包括如下步骤步骤11，提供 一测试设备；步骤12，放置一半导体封装器件于所述测试设备的一测试区；步骤13，进行第 一次电学性能测试；步骤14，等待所述测试设备自然冷却；步骤15 ；进行第二次电学性能测
试ο首先，在步骤11中，提供一测试设备，所述测试设备包括至少一测试区；接着，在 步骤12中，放置一半导体封装器件于所述测试设备的所述测试区；之后，在步骤13中，将所 述测试设备的所述测试区加热至预订文图，并于高温状态下对所述半导体封装器件进行第 一次电学性能测试步骤；接着，在步骤14中，所述测试设备停止对所述测试区加热，并等待 所述测试设备自然冷却，以使所述测试区的温度降至常温，其中等待所述测试设备的所述 测试区冷却的时间约需60分钟以上；最后，在步骤15中，在操作测试人员确认所述测试区 之温度已经达到常温之后，在常温状态下对所述半导体封装器件进行第二次电学性能测试 步骤。由于上述步骤可知，在从步骤14进行至步骤15的过程中，必须等候60分钟以上， 以使所述测试设备的所述测试区与温度降至可以进行第二次电学测试步骤的温度，其所需 要的等待时间过于冗长，不利于节约人力以及时间成本，并且不利于提高所述半导体封装 器件的生产效率。
发明内容本发明所要解决的技术问题是，提供一种可以缩短测试时间的电学性能测试方法 及其测试设备。为了解决上述问题，本发明提供了一种电学性能测试方法，包括如下步骤提供一 测试设备，所述测试设备包括至少一测试区及一设置于所述测试区的散热装置；放置一半 导体封装器件于所述测试区；于高温状态下对所述半导体封装器件进行第一次电学性能测 试；利用所述散热装置对所述测试区进行冷却，使所述测试区的温度降至常温；以及于常 温状态下对所述半导体封装器件进行第二次电学性能测试。作为可选的技术方案，所述测试设备还包括一控制单元，所述控制单元用于控制 所述散热装置开启或关闭。作为可选的技术方案，所述测试设备还包括一温度监测单元，所述温度监测单元 设置于所述测试区并与所述控制单元电学连接。另外，本发明提供了一种测试设备，包括至少一测试区，还包括一散热装置，所述 散热装置设置于所述测试区；以及一控制单元，所述控制单元控制所述散热装置开启或关闭。作为可选的技术方案，所述测试设备还包括一温度监测单元，所述温度监测单元 设置于所述测试区并与所述控制单元电学连接。本发明的优点在于，由于所述测试设备设置有所述散热装置使所述测试区的温度 能快速降至常温，并于常温状态下进行第二电学性能测试，节省等待所述测试区降温时间， 从而节约人力以及时间成本，提高生产效率。
附图1是现有技术的电学性能测试方法的实施步骤流程图；附图2是本发明的具体实施方式
所述的一种电学性能测试方法的实施步骤流程 图；附图3是本发明的具体实施方式
所述的测试装置的结构示意图。
具体实施方式下面结合附图对本发明提供的一种电学性能测试方法及其测试设备的具体实施 方式做详细说明。附图2是本发明的具体实施方式
所述的一种电学性能测试方法的实施步骤流程 图，依次包括如下步骤步骤11，提供一测试设备；步骤12，放置一半导体封装器件于所述 测试设备的一测试区；步骤13，进行第一次电学性能测试；步骤14，利用所述散热装置对所 述测试区进行冷却；步骤15 ；进行第二次电学性能测试。首先，参考附图2以及附图3，在步骤21中，提供一测试设备100，所述测试设备 100包括至少一测试区110 ；—设置于所述测试区100的散热装置120、一控制单元130以 及一温度监测单元140。所述控制单元130用于控制所述散热装置120开启或关闭，所述温 度监测单元140用于监测所述测试区110的温度。继续参考附图2，在步骤22中，放置一半导体封装器件于所述测试区110。继续参考附图2，在步骤23中，将所述测试设备100的所述测试区110加热至预订 温度，例如130°C，并于高温状态下对所述半导体封装器件进行第一次电学性能测试继续参考附图2以及附图3，在步骤24中，利用所述测试设备100的所述散热装 置120进行一冷却步骤使所述测试区110的温度降至常温。在本具体实施方式
中，测试的 操作人员需启动所述测试设备100的一温度转换控制开关(图中未示出)，使所述测试设备 100接受启动所述散热装置120的指令并将指令传达至所述控制单元130，并使所述控制单 元130启动所述散热装置120以降低所述测试区110的温度。在本具体实施方式
中，所述 散热装置120具有至少一“L”形或者圆管形的散热管件121，所述散热管件121具有多个吹 气孔122且这些吹气空122对准所述测试区域110，以将冷空气送至所述测试区域110。在 本具体实施方式
中，所述散热装置120所设定的冷空气吹送时间约为10分钟。作为一种较佳的技术方案，所述测试设备100还包括一显示面板150。所述显示面 板可显示剩余等待时间以及温度，以使所述操作测试人员可顺利进行后续步骤，此外，若冷 空气吹送时间结束而所述测试区110的温度未达到测试所需温度时，所述测试设备100的 一报警装置(图中未示出)将提醒所述测试的操作人员可再次启动所述散热装置120。
继续参考附图2以及附图3，在步骤25中，所述测试设备100的所述温度监测单元 140将目前所述测试区110的温度信息传送至所述显示面板150，且所述测试的操作人员确 认所述显示面板150所显示的所述测试区110的温度已达常温后，例如25°C，于常温状态下 对所述半导体封装器件进行第二次电学性能测试以确保所述半导体封装器件的良率。本发明的优点在于借由所述测试设备100设置有所述散热装置120使所述测试区 110的温度能快速降至常温，并于常温状态下进行第二电学性能测试，节省等待所述测试区 110降温时间，从而提高生产效率。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人 员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为 本发明的保护范围。
权利要求
一种电学性能测试方法，其特征在于包括如下步骤提供一测试设备，所述测试设备包括至少一测试区及一设置于所述测试区的散热装置；放置一半导体封装器件于所述测试区；于高温状态下对所述半导体封装器件进行第一次电学性能测试；利用所述散热装置对所述测试区进行冷却，使所述测试区的温度降至常温；以及于常温状态下对所述半导体封装器件进行第二次电学性能测试。
2.根据权利要求1所述的电学性能测试方法，其特征在于所述测试设备还包括一控 制单元，所述控制单元用于控制所述散热装置开启或关闭。
3.根据权利要求1所述的电学性能测试方法，其特征在于所述测试设备还包括一温 度监测单元，所述温度监测单元设置于所述测试区并与所述控制单元电学连接。
4.一种测试设备，包括至少一测试区，其特征在于还包括 一散热装置，所述散热装置设置于所述测试区；以及 一控制单元，所述控制单元控制所述散热装置开启或关闭。
5.根据权利要求4所述的测试设备，其特征在于还包括一温度监测单元，所述温度监 测单元设置于所述测试区并与所述控制单元电学连接。
全文摘要
一种电学性能测试方法，包括如下步骤提供一测试设备，所述测试设备包括至少一测试区及一设置于所述测试区的散热装置；放置一半导体封装器件于所述测试区；于高温状态下对所述半导体封装器件进行第一次电学性能测试；利用所述散热装置对所述测试区进行冷却，使所述测试区的温度降至常温；以及于常温状态下对所述半导体封装器件进行第二次电学性能测试。
文档编号G01R31/26GK101813745SQ20091011802
公开日2010年8月25日 申请日期2009年2月20日 优先权日2009年2月20日
发明者云正隆, 刘致宏, 叶明修, 方家彦, 柯昆龙 申请人:日月光半导体制造股份有限公司