专利名称：波形测试装置及其使用方法
技术领域：
本发明涉及一种波形测试装置及其使用方法，尤其涉及一种使用方便且准确度较高的波形测试装置及其使用方法。
背景技术：
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-kmiconductorField-Effect Transistor，简称MOSFET管)广泛应用在许多电源装置中，在电源装置的设计及制造过程中，经常需要对其中的MOSFET管的输出波形进行测试，以判断该MOSFET管的性能。在测试过程中，一般需要将示波器上的多个探针的接地线依次焊接至电路板上的接地端，以使每一探针的接地线共地设置。此类焊接过程的工作量较大，可能影响测试效率。另外，每次将一接地线焊接至电路板上时，都需要先将接地端上的焊锡熔开，如此将可能导致上一探针的焊接受损，从而降低上一探针的接地质量，影响测试的准确性。另外，多次熔化的焊锡也可能损坏电路板。
发明内容
针对上述问题，有必要提供一种使用方便且准确度较高的波形测试装置。另，有必要提供一种上述所述的波形测试装置的使用方法。一种波形测试装置，包括一电路板、一示波器及若干接地装置，该电路板上设置有一接地面，该示波器包括若干探针，每一探针均包括一接地端，每一接地装置包括一接地部及一缠绕部，所述缠绕部一端套设在与其相应的接地端上，另一端连接至接地部上，所述接地部依次串接在一起，最后一接地部焊接至所述接地面上，使得所述接地端共地设置。—种上述所述的波形测试装置的使用方法，该方法包括以下步骤将每一缠绕部分别穿过与其相应的探针，并套设在相应的接地端上，以与所述接地端电性连接；依次将下一接地装置上的接地部穿过上一接地装置上的接地部，并露出该下一接地装置的接地部； 将最后一接地装置的接地部焊接至所述接地面上，以使每一探针的接地端共地设置。相较于现有技术，本发明的波形测试装置在测试时，仅需将由金属环制成的接地部依次串接在一起，且将最后一接地装置中的接地部焊接至电路板上的接地面上，便可使得探针上的接地端共地设置。本发明所需的熔锡次数较少，可有效避免因多次焊接而出现的降低探针接地质量及损坏电路板等问题，有效提高了测试的准确性。
图1为本发明较佳实施方式波形测试装置的功能框图。图2为图1所示波形测试装置中示波器与接地装置的分解示意图。图3为图2所示示波器与接地装置的组装示意图。主要元件符号说明波形测试装置100
电路板10
供电单元12
MOSFET 管14
接地面16
示波器20
探针22
接地装置30
接地部32
缠绕部34
接地端221
隔离端222
探测端22具体实施例方式请参阅图1，本发明较佳实施例中的波形测试装置100包括一电路板10、一示波器 20及若干接地装置30。该电路板10上设置有一供电单元12、至少一待测的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-kmiconductor Field-EffectTransistor,简称 MOSFET 管)14 及一接地面16。该供电单元12可以为现有的电池等供电装置，用于为该等MOSFET管14及示波器 20提供电能。请一并参阅图2，该示波器20包括若干探针22，每一探针22均包括一接地端221、 一隔离端222及一探测端223。该隔离端222可以为一由绝缘材料制成的绝缘环，其套设在所述接地端221与探测端223之间，以隔离所述接地端221及探测端223。每一接地装置30均包括一接地部32及一缠绕部34。在本实施例中，该接地部32 为一金属圆环。该缠绕部34大致呈螺旋状，由一铜线等导电材料缠绕而成。该缠绕部34 — 端套设在与其相应的探针22上的接地端221上，另一端延伸而出以连接在该接地部32上， 以使探针22和接地部32建立电性连接。请一并参阅图3，使用该波形测试装置100时，首先将每一接地装置30的缠绕部 34分别穿过与其相应的探针22，并套设在相应的接地端221上，以与所述接地端221电性连接。接着依次将下一接地装置30上的接地部32穿过与其相邻的上一接地装置30上的接地部32，并露出该下一接地装置30的接地部。以使该等缠绕部34通过该接地部32依次串接在一起，从而使得探针22的接地端221通过该接地部32依次相连，并露出最后一接地装置30的接地部32。将该接地部32焊接至电路板10上的接地面16上，此时每一探针22 的接地端221共地设置。启动供电单元12，以为所述MOSFET管14及示波器20提供电源； 将每一探针22的探测端223分别连接至MOSFET管14上的相应测试点，观察该MOSFET管 14中各测试点的输出波形，进而判断MOSFET管14的性能。可以理解，当需要对设置于下一电路板10上的MOSFET管14的性能进行测试时， 仅需将该接地面16上的焊锡熔开一次，便可使得该等探针22上的接地端221与接地面16 相脱离。从而无须将上述多个接地装置30在接地面16上反复连接及脱离，有效降低了工作量，提高整体测试效率。可以理解，通过将所述接地装置30的接地部32设置呈环状且使得该等接地部32 依次相连，可使该波形测试装置100获得较短的接地路径及信号路径，有效降低测试过程中高频信号的干扰，提高整体测试的准确度。显然，本发明的波形测试装置100在测试时，仅需将由金属环制成的接地部32依次串接在一起，且将最后一接地装置30中的接地部32焊接至电路板10上的接地面16上， 便可使得探针22上的接地端221共地设置。本发明所需的熔锡次数较少，可有效避免因多次焊接而出现的降低探针22接地质量及损坏电路板10等问题，有效提高了测试的准确性。另外，本领域技术人员还可在本发明权利要求公开的范围和精神内做其它形式和细节上的各种修改、添加和替换。当然，这些依据本发明精神所做的各种修改、添加和替换等变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。
权利要求
1.一种波形测试装置，包括一电路板及一示波器，该电路板上设置有一接地面，该示波器包括若干探针，每一探针均包括一接地端，其特征在于所述波形测试装置还包括若干接地装置，每一接地装置包括一接地部及一缠绕部，所述缠绕部一端套设在与其相应的接地端上，另一端连接至接地部上，所述接地部依次串接在一起，最后一接地部焊接至所述接地面上，使得所述接地端共地设置。
2.如权利要求1所述的波形测试装置，其特征在于所述接地部为一金属环。
3.如权利要求1所述的波形测试装置，其特征在于所述缠绕部呈螺旋形状，由导电材料制成。
4.如权利要求1所述的波形测试装置，其特征在于所述电路板上设置有若干金属氧化物半导体场效应晶体管，每一探针均包括一探测端，每一探测端分别与所述金属氧化物半导体场效应晶体管上的测试点电性连接。
5.一种如权利要求1所述的波形测试装置的使用方法，其特征在于，该方法包括以下步骤将每一缠绕部分别穿过与其相应的探针，并连接在相应的接地端上，以与所述接地端电性连接；依次将下一接地装置上的接地部穿过上一接地装置上的接地部，并露出该下一接地装置的接地部；将最后一接地装置的接地部焊接至所述接地面上，以使每一探针的接地端共地设置。
6.如权利要求5所述的波形测试装置的使用方法，其特征在于，该方法还包括一将每一探针的探测端分别连接至一待测的测试点的步骤。
全文摘要
本发明提供一种波形测试装置及其使用方法，该波形测试装置包括一电路板、一示波器及若干接地装置，该电路板上设置有一接地面，该示波器包括若干探针，每一探针均包括一接地端，每一接地装置包括一接地部及一缠绕部，所述缠绕部一端套设在与其相应的接地端上，另一端连接至接地部上，所述接地部依次串接在一起，最后一接地部焊接至所述接地面上，使得所述接地端共地设置。
文档编号G01R31/26GK102279355SQ20101019846
公开日2011年12月14日 申请日期2010年6月11日 优先权日2010年6月11日
发明者田钧元 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司