专利名称：纳米光栅沉积特性三维分析方法
技术领域：
本发明涉及利用三维仿真技术实现纳米光栅沉积特性的分析，即采用三维方法分 析纳米光栅沉积条纹的半高宽、对比度。
背景技术：
对于纳米光栅沉积制作过程的有关理论分析，国内外相关研究小组已对不同中性 原子在激光驻波场作用下的沉积特性进行了一维和二维仿真分析，得到了一些对实际应用 具有重要意义的结果。但仅通过一维、二维仿真不能给出激光驻波场作用下中性原子沉积 纳米光栅的全部信息，更不能反映纳米光栅沉积制作过程中的三维本质全貌。为能更深入 分析激光驻波场作用下中性原子的运动特性以及纳米光栅沉积过程的基本特征，唯有通过 三维信息的获取，利用三维仿真形式才能给出更详细、更本质、对实际应用更有指导意义的 结果，而该方面的工作国内外相关研究小组还未进行，相关的研究结果更未见诸报道，所以 对纳米光栅沉积特性的三维仿真研究是非常有意义和有实际应用价值的，也是该技术发展 中所必须面临和急待解决的一项关键问题。发明内容
本发明的目的是提供纳米光栅沉积特性三维分析方法，实现纳米光栅特性的三维 特征分析，通过该种分析方法可更直观、更本质、更详细的反映纳米光栅的半高宽和对比度 特征。
本发明的技术方案是一种纳米光栅沉积特性三维分析方法，包括如下步骤
(1)建立激光驻波场与中性原子相互作用的三维模型设激光驻波场作用下中性 原子偶极势为U，中性原子的总能量为E。，m为原子质量，则处于激光驻波场作用下中性原子 的运动方程可表示为
权利要求
1.一种纳米光栅沉积特性三维分析方法，其特征是包括如下步骤(1)建立激光驻波场与中性原子相互作用的三维模型设激光驻波场作用下中性原子 偶极势为U，中性原子的总能量为E。，m为原子质量，则处于激光驻波场作用下中性原子的运 动方程可表示为
2.根据权利要求书1所述的方法，可以得到中性原子在激光驻波场作用下纳米光栅沉 积条纹的半高宽和对比度。
全文摘要
本发明提供了一种纳米光栅沉积特性三维分析方法，(1)建立激光驻波场与中性原子相互作用的三维模型；(2)利用数值方法，通过设定适当步长的四阶Runge-Kutta算法，求解中性原子在三维空间的位置坐标，从而获得激光驻波场作用下中性原子的三维运动轨迹和沉积过程仿真；(3)利用累计算法，实现中性原子在激光驻波场作用下的三维沉积过程仿真，获得纳米光栅三维沉积条纹的对比度与半高宽特性，实现最优化的激光驻波场参数选择，得到最细化的纳米光栅沉积条纹三维仿真。该方法可用于分析沉积纳米光栅的基本特性。与一维、二维分析方法相比，该发明所采用的三维分析方法更细致、更本质、对实际应用更有指导意义。
文档编号G01B11/02GK102033996SQ20101057879
公开日2011年4月27日 申请日期2010年12月8日 优先权日2010年12月8日
发明者张文涛, 朱保华, 熊显名, 蒋曲博, 黄静 申请人:桂林电子科技大学