专利名称：粘弹性的测定方法以及粘弹性的测定装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在化学、材料、生物化学以及物理领域中使用的、测定溶液状或者半固体状的测定物质的粘弹性的方法以及粘弹性的测定装置。
背景技术：
权利要求
1.一种粘弹性的测定方法，其特征在于， 使溶液状或者半固体状的测定物质接触到由晶体振子构成的传感器的电极上，测定所述晶体振子的共振频率Fs的变化量△ Fs、和成为作为共振频率Fs的传导率Gniax的半值的传导率l/2Gmax的第I频率F1以及第2频率F2的半值半频率(F1 - F2)/2的变化量A Fw，至少求出所述测定物质的储存弹性率G’和所述测定物质的损失弹性率G"中的至少某一个，其中，根据所述共振频率的变化量AFs以及半值半频率的变化量AFw各自的平方差，求出所述测定物质的储存弹性率G’，并且根据所述共振频率的变化量AFsW及半值半频率的变化量A Fw之积，求出所述测定物质的损失弹性率G "。
2.根据权利要求I所述的粘弹性的测定方法，其特征在于， 所述储存弹性率G’如下式(I)所示， [式I]
3.根据权利要求I所述的粘弹性的测定方法，其特征在于， 使测定频率成为所述晶体振子的基波或者谐波，其中谐波为3倍波、5倍波、7倍波…。
4.根据权利要求I所述的粘弹性的测定方法，其特征在于， 所述测定物质仅接触到所述电极。
5.根据权利要求I所述的粘弹性的测定方法，其特征在于， 使所述测定物质成为100 y L以下。
6.一种粘弹性的测定装置，其特征在于，具备 传感器，由晶体振子构成； 测定单元，用于测定所述晶体振子的共振频率匕的变化量AFs以及成为作为共振频率Fs的传导率Gmax的半值的传导率l/2Gmax的第I频率F1以及第2频率F2的半值半频率(F1 —F2)/2的变化量A Fw;以及 运算单元，用于通过运算求出所述共振频率的变化量AFs以及半值半频率的变化量A Fw各自的平方差、以及所述共振频率的变化量△ Fs以及半值半频率的变化量△ Fw之积。
全文摘要
本发明提供即使测定物质是微量也能够测定其粘弹性的测定方法以及测定装置。使溶液状或者半固体状的测定物质接触到由晶体振子构成的传感器的电极上，测定所述晶体振子的共振频率Fs的变化量ΔFs、和成为作为共振频率Fs的传导率Gmax的半值的传导率1/2Gmax的第1频率F1以及第2频率F2的半值半频率(F1－F2)/2的变化量ΔFw，至少求出所述测定物质的储存弹性率G'和所述测定物质的损失弹性率G″中的至少某一个，其中，根据所述共振频率的变化量ΔFs以及半值半频率的变化量ΔFw各自的平方差，求出所述测定物质的储存弹性率G'，并且根据所述共振频率的变化量ΔFs以及半值半频率的变化量ΔFw之积，求出所述测定物质的损失弹性率G″。
文档编号G01N19/00GK102782473SQ201180011669
公开日2012年11月14日 申请日期2011年3月14日 优先权日2010年3月16日
发明者伊藤敦, 市桥素子, 铃木友纪子 申请人:株式会社爱发科