一种Zigbee的温度传感器制作方法
【专利摘要】本发明公开一种Zigbee的温度传感器制作方法，它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件，周围环境温度的变化引起其阻值的变化，达到测量温度，作为传感器的目的。本发明制作的器件还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。
【专利说明】一种Zigbee的温度传感器制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于传感器领域，具体涉及一种Zigbee的温度传感器制作方法。
【背景技术】
[0002]无线传感网络是近几年应用较多的网络之一，随着互联网技术的发展对无线传感网络的研究也会有大的发展，Zigbee技术正是众多无线传感网路技术中比较成熟的一种，它具有最低的功耗和成本、足够的传输速度和距离、较大的网络容量和较好的安全特性等特点。
[0003]温度传感器被广泛的应用于个人计算机、移动电话、汽车、医用设备、游戏控制台、微流体传感器等设备中。随着IC集成度的提高和笔记本电脑、移动终端、PDA等便携式设备的普及，功耗散热问题变得越来越突出。只有对芯片的工作温度进行精确的控制，才能保证设备稳定工作。微流体传感器中也需要体积很小的温度传感器来敏感气流的温度。传统的温度传感器由于体积大、功耗高、线性度不好等不足，从而制约了其进一步发展和应用。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种Zigbee的温度传感器制作方法，本方法制作出的温度传感器具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、测量精度高、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。。
[0005]为了实现上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的:
一种Zigbee的温度传感器制作方法，按照如下步骤进行:(I)在衬底上面涂覆一层聚二甲基硅氧烷层，并将聚二甲基硅氧烷层表面进行氧等离子体活化处理；紧接着在所述聚二甲基硅氧烷层上面重叠聚酰亚胺预聚体，经过阶梯式热固化后，形成聚酰亚胺层；
(2)在衬底下面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下衬底膜层⑵；
(3)在衬底局部中心细加工出凹槽；(4)采用磁控溅射工艺在聚酰亚胺层上溅射一层粘附层；(5)采用磁控溅射工艺在粘附层上面溅射一层温敏电阻层；(6)采用磁控溅射工艺在温敏电阻层上面溅射一层导电层；(7)将衬底放入酒精容器内，采用超声剥离工艺剥离掉温敏电阻层结构图形以外的粘附层、温敏电阻层、导电层，衬底上两侧露出聚酰亚胺层，形成粘附层、温敏电阻层、导电层结构层；(8)在导电层结构层上涂一层光刻胶，采用光刻工艺光刻形成导电层电极结构图形；(9)采用碘化钾湿法腐蚀工艺，腐蚀温敏电阻层上面中间部位的导电层，露出中间部位的温敏电阻层，温敏电阻层两端形成导电层电极结构；(10)在衬底上露出的两侧聚酰亚胺层上、露出中间部位的温敏电阻层上、导电层电极结构上面涂一层光刻胶，光刻出悬臂梁结构图形；(11)采用等离子体刻蚀工艺在聚酰亚胺层上面刻蚀形成悬臂梁结构，露出聚酰亚胺层下面的聚二甲基硅氧烷层；(12)采用氢氟酸缓冲液腐蚀掉露出聚酰亚胺层下面的聚二甲基硅氧烷层、悬臂梁结构下面的聚二甲基硅氧烷层，形成悬空的悬臂梁结构；(13)采用硅各向异性湿法腐蚀工艺腐蚀衬底形成腔体结构，悬臂梁、粘附层、温敏电阻层、导电层悬空固定在衬底腔体上，完成温度传感器制作。
作为进一步的说明，以上所述聚二甲基硅氧烷层厚度为30-35μπι，它采用二次变速方法涂覆于加工载体上的，初始速度为150rpm，使被涂覆的聚二甲基硅氧烷覆盖在整个衬底上，在缓慢提速至900rpm，保持40s，然后再缓慢提速至4500rpm，并在室温下固化48h。
[0006]作为进一步的说明，以上所述聚二甲基硅氧烷层表面的活化处理是采用氧等体活化处理，处理条件为100%氧气，压强为15mTorr，功率为50W，时间为30s。
[0007]作为进一步的说明，以上所述聚二甲基硅氧烷层上面四次重叠涂覆液态高粘度聚酰亚胺预聚体的阶梯式热固化的工艺是每重叠涂覆一次的转速比前一次的转速提高200rpm ;每次重叠涂覆后的预烘温度比前一次高5°C，并采用“由表及里”的阶梯式热处理方法预固化聚酰亚胺预聚物；最后一次聚酰亚胺预热聚体涂覆后，热板温度由95°C上升到200°C保温15min，然后缓慢降温至室温；所述聚酰亚胺预聚体的粘度为6000-7000mPa.s,形成聚酰亚胺层厚度为25-35mm。
[0008]作为进一步的说明，以上所述温敏电阻层厚度尺寸为5纳米至400纳米，采用磁控溅射的溅射浆料制备方法:是将有机钼化合物或有机金化合物150-190°C加热15-30分钟，得到由有机钼或有机金化合物的微分解固化物、超细钼粉或金粉、低分子量有机物、超细碳粉组成的混合物，将此混合物添加有机铑化合物、有机铋化合物、有机铅化合物、有机硅化合物、有机铬化合物、有机铜化合物、有机硼化合物中的一种或二种以上，钼或金与铑的重量比例控制在1: 0.0001?0.0005，金或钼与其他金属的比例(重量)控制在1: 0.003?
0.02之间，同时添加树脂和溶剂，形成混合型钼浆料或金浆料。
[0009]作为进一步的说明，以上所述下衬底膜层的厚度尺寸为300纳米至3000纳米。
[0010]作为进一步的说明，以上所述粘附层的厚度尺寸为5纳米至500纳米，采用铬、钛或镍铬制作。
[0011]作为进一步的说明，以上所述导电层的厚度尺寸为5纳米至3000纳米，采用金、铜或铝制作。
作为进一步的说明，以上所述衬底为单晶硅片，所述下衬底膜层为氮化硅膜层。
[0012]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
1、本发明的加工工艺制作成多层薄膜结构的温度测量传感器，器件体积极小温度测量精度高、线性度好、一致性好、性能稳定可靠、温度测量范围宽(可达-78°C至600°C )的优点。
[0013]2、本发明采用单晶硅片腔体结构和悬臂梁7结构，将整体结构悬空，使本发明制作的传感器降低热容量、温度响应快、功耗低。
[0014]3、本发明采用微机械工艺加工制作，使器件具有结构简单、重量轻、加工成品率高、成本低、便于批量生产等优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明Zigbee的红外线传感器的三维结构示意图；
图2是本发明Zigbee的红外线传感器的的主视图。
[0016]附图标记:
1-衬底，2-下衬底膜层，3-粘附层，4-温敏电阻层，5-导电层，6-悬臂梁，7-聚酰亚胺层，8-凹槽，9-聚二甲基硅氧烷层。
【具体实施方式】
[0017]下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式并不局限于实施例表示的范围。
[0018]实施例1:
一种Zigbee的温度传感器制作方法，按照如下步骤进行:(I)在衬底I上面涂覆一层聚二甲基硅氧烷层9，并将聚二甲基硅氧烷层表面进行氧等离子体活化处理；紧接着在所述聚二甲基硅氧烷层9上面重叠聚酰亚胺预聚体，经过阶梯式热固化后，形成聚酰亚胺层7 ; (2)在衬底I下面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下衬底膜层2 ；
(3)在衬底I局部中心细加工出凹槽9 ； (4)采用磁控溅射工艺在聚酰亚胺层7上溅射一层粘附层3 ; (5)采用磁控溅射工艺在粘附层3上面溅射一层温敏电阻层4 ; (6)采用磁控溅射工艺在温敏电阻层4上面溅射一层导电层5 ；(7)将衬底I放入酒精容器内，采用超声剥离工艺剥离掉温敏电阻层4结构图形以外的粘附层3、温敏电阻层4、导电层5，衬底I上两侧露出聚酰亚胺层7，形成粘附层3、温敏电阻层4、导电层5结构层；(8)在导电层5结构层上涂一层光刻胶，采用光刻工艺光刻形成导电层5电极结构图形；(9)采用碘化钾湿法腐蚀工艺，腐蚀温敏电阻层4上面中间部位的导电层5，露出中间部位的温敏电阻层4，温敏电阻层4两端形成导电层5电极结构；(10)在衬底I上露出的两侧聚酰亚胺层7上、露出中间部位的温敏电阻层4上、导电层5电极结构上面涂一层光刻胶，光刻出悬臂梁6结构图形；(11)采用等离子体刻蚀工艺在聚酰亚胺层7上面刻蚀形成悬臂梁6结构，露出聚酰亚胺层7下面的聚二甲基硅氧烷层9 ; (12)采用氢氟酸缓冲液腐蚀掉露出聚酰亚胺层7下面的聚二甲基硅氧烷层9、悬臂梁6结构下面的聚二甲基硅氧烷层9，形成悬空的悬臂梁6结构；(13)采用硅各向异性湿法腐蚀工艺腐蚀衬底I形成腔体结构，悬臂梁6、粘附层3、温敏电阻层4、导电层5悬空固定在衬底I腔体上，完成温度传感器制作。
聚二甲基硅氧烷层9厚度为30 μ m，它采用二次变速方法涂覆于加工载体上的，初始速度为150rpm，使被涂覆的聚二甲基硅氧烷覆盖在整个衬底I上，在缓慢提速至900rpm，保持40s，然后再缓慢提速至4500rpm，并在室温下固化48h。
[0019]聚二甲基硅氧烷层9表面的活化处理是采用氧等体活化处理，处理条件为100%氧气，压强为15mTorr，功率为50W，时间为30s。
[0020]聚二甲基硅氧烷层9上面四次重叠涂覆液态高粘度聚酰亚胺预聚体的阶梯式热固化的工艺是每重叠涂覆一次的转速比前一次的转速提高200rpm ;每次重叠涂覆后的预烘温度比前一次高5°C，并采用“由表及里”的阶梯式热处理方法预固化聚酰亚胺预聚物；最后一次聚酰亚胺预热聚体涂覆后，热板温度由95°C上升到200°C保温15min，然后缓慢降温至室温；所述聚酰亚胺预聚体的粘度为6000mPa.s,形成聚酰亚胺层厚度为25mm。
[0021]温敏电阻层4厚度尺寸为5纳米至400纳米，采用磁控溅射的溅射浆料制备方法:是将有机钼化合物或有机金化合物150°C加热15分钟，得到由有机金化合物的微分解固化物、超细金粉、低分子量有机物、超细碳粉组成的混合物，将此混合物添加有机铑化合物、有机铋化合物、有机铅化合物、有机硅化合物、有机铬化合物、有机铜化合物、有机硼化合物中的一种，金与铑的重量比例控制在1: 0.0001，金与其他金属的比例(重量)控制在I: 0.003，同时添加树脂和溶剂，形成混合型钼浆料或金浆料。
[0022]下衬底膜层2的厚度尺寸为300纳米。粘附层3的厚度尺寸为5纳米，采用铬制作。导电层5的厚度尺寸为5纳米，采用金制作。衬底I为单晶硅片，下衬底膜层2为氮化
娃膜层。
[0023]实施例2:
一种Zigbee的温度传感器制作方法，按照如下步骤进行:(I)在衬底I上面涂覆一层聚二甲基硅氧烷层9，并将聚二甲基硅氧烷层表面进行氧等离子体活化处理；紧接着在所述聚二甲基硅氧烷层9上面重叠聚酰亚胺预聚体，经过阶梯式热固化后，形成聚酰亚胺层7 ; (2)在衬底I下面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下衬底膜层2 ；
(3)在衬底I局部中心细加工出凹槽9 ； (4)采用磁控溅射工艺在聚酰亚胺层7上溅射一层粘附层3 ; (5)采用磁控溅射工艺在粘附层3上面溅射一层温敏电阻层4 ; (6)采用磁控溅射工艺在温敏电阻层4上面溅射一层导电层5 ；(7)将衬底I放入酒精容器内，采用超声剥离工艺剥离掉温敏电阻层4结构图形以外的粘附层3、温敏电阻层4、导电层5，衬底I上两侧露出聚酰亚胺层7，形成粘附层3、温敏电阻层4、导电层5结构层；(8)在导电层5结构层上涂一层光刻胶，采用光刻工艺光刻形成导电层5电极结构图形；(9)采用碘化钾湿法腐蚀工艺，腐蚀温敏电阻层4上面中间部位的导电层5，露出中间部位的温敏电阻层4，温敏电阻层4两端形成导电层5电极结构；(10)在衬底I上露出的两侧聚酰亚胺层7上、露出中间部位的温敏电阻层4上、导电层5电极结构上面涂一层光刻胶，光刻出悬臂梁6结构图形；(11)采用等离子体刻蚀工艺在聚酰亚胺层7上面刻蚀形成悬臂梁6结构，露出聚酰亚胺层7下面的聚二甲基硅氧烷层9 ; (12)采用氢氟酸缓冲液腐蚀掉露出聚酰亚胺层7下面的聚二甲基硅氧烷层9、悬臂梁6结构下面的聚二甲基硅氧烷层9，形成悬空的悬臂梁6结构；(13)采用硅各向异性湿法腐蚀工艺腐蚀衬底I形成腔体结构，悬臂梁6、粘附层3、温敏电阻层4、导电层5悬空固定在衬底I腔体上，完成温度传感器制作。
聚二甲基硅氧烷层9厚度为32 μ m，它采用二次变速方法涂覆于加工载体上的，初始速度为150rpm，使被涂覆的聚二甲基硅氧烷覆盖在整个衬底I上，在缓慢提速至900rpm，保持40s，然后再缓慢提速至4500rpm，并在室温下固化48h。
[0024]聚二甲基硅氧烷层9表面的活化处理是采用氧等体活化处理，处理条件为100%氧气，压强为15mTorr，功率为50W，时间为30s。
[0025]聚二甲基硅氧烷层9上面四次重叠涂覆液态高粘度聚酰亚胺预聚体的阶梯式热固化的工艺是每重叠涂覆一次的转速比前一次的转速提高200rpm ;每次重叠涂覆后的预烘温度比前一次高5°C，并采用“由表及里”的阶梯式热处理方法预固化聚酰亚胺预聚物；最后一次聚酰亚胺预热聚体涂覆后，热板温度由95°C上升到200°C保温15min，然后缓慢降温至室温；所述聚酰亚胺预聚体的粘度为6500mPa.s,形成聚酰亚胺层厚度为30mm。
[0026]温敏电阻层4厚度尺寸为5纳米至400纳米，采用磁控溅射的溅射浆料制备方法:是将有机金化合物160°C加热20分钟，得到由有机金化合物的微分解固化物、金粉、低分子量有机物、超细碳粉组成的混合物，将此混合物添加有机铑化合物、有机铋化合物、有机铅化合物、有机硅化合物、有机铬化合物、有机铜化合物、有机硼化合物中的二种，金与铑的重量比例控制在1: 0.0002，金与其他金属的比例(重量)控制在1: 0.01，同时添加树脂和溶剂，形成混合型金浆料。
[0027]下衬底膜层2的厚度尺寸为600纳米。粘附层3的厚度尺寸为300纳米，采用钛制作。导电层5的厚度尺寸为2000纳米，采用铜制作。衬底I为单晶硅片，下衬底膜层2为氮化硅膜层。
[0028]实施例3:
一种Zigbee的温度传感器制作方法，按照如下步骤进行:(I)在衬底I上面涂覆一层聚二甲基硅氧烷层9，并将聚二甲基硅氧烷层表面进行氧等离子体活化处理；紧接着在所述聚二甲基硅氧烷层9上面重叠聚酰亚胺预聚体，经过阶梯式热固化后，形成聚酰亚胺层7 ; (2)在衬底I下面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下衬底膜层2 ；
(3)在衬底I局部中心细加工出凹槽9 ； (4)采用磁控溅射工艺在聚酰亚胺层7上溅射一层粘附层3 ; (5)采用磁控溅射工艺在粘附层3上面溅射一层温敏电阻层4 ; (6)采用磁控溅射工艺在温敏电阻层4上面溅射一层导电层5 ；(7)将衬底I放入酒精容器内，采用超声剥离工艺剥离掉温敏电阻层4结构图形以外的粘附层3、温敏电阻层4、导电层5，衬底I上两侧露出聚酰亚胺层7，形成粘附层3、温敏电阻层4、导电层5结构层；(8)在导电层5结构层上涂一层光刻胶，采用光刻工艺光刻形成导电层5电极结构图形；(9)采用碘化钾湿法腐蚀工艺，腐蚀温敏电阻层4上面中间部位的导电层5，露出中间部位的温敏电阻层4，温敏电阻层4两端形成导电层5电极结构；(10)在衬底I上露出的两侧聚酰亚胺层7上、露出中间部位的温敏电阻层4上、导电层5电极结构上面涂一层光刻胶，光刻出悬臂梁6结构图形；(11)采用等离子体刻蚀工艺在聚酰亚胺层7上面刻蚀形成悬臂梁6结构，露出聚酰亚胺层7下面的聚二甲基硅氧烷层9 ; (12)采用氢氟酸缓冲液腐蚀掉露出聚酰亚胺层7下面的聚二甲基硅氧烷层9、悬臂梁6结构下面的聚二甲基硅氧烷层9，形成悬空的悬臂梁6结构；(13)采用硅各向异性湿法腐蚀工艺腐蚀衬底I形成腔体结构，悬臂梁6、粘附层3、温敏电阻层4、导电层5悬空固定在衬底I腔体上，完成温度传感器制作。
聚二甲基硅氧烷层9厚度为35 μ m，它采用二次变速方法涂覆于加工载体上的，初始速度为150rpm，使被涂覆的聚二甲基硅氧烷覆盖在整个衬底I上，在缓慢提速至900rpm，保持40s，然后再缓慢提速至4500rpm，并在室温下固化48h。
[0029]聚二甲基硅氧烷层9表面的活化处理是采用氧等体活化处理，处理条件为100%氧气，压强为15mTorr，功率为50W，时间为30s。
[0030]聚二甲基硅氧烷层9上面四次重叠涂覆液态高粘度聚酰亚胺预聚体的阶梯式热固化的工艺是每重叠涂覆一次的转速比前一次的转速提高200rpm ;每次重叠涂覆后的预烘温度比前一次高5°C，并采用“由表及里”的阶梯式热处理方法预固化聚酰亚胺预聚物；最后一次聚酰亚胺预热聚体涂覆后，热板温度由95°C上升到200°C保温15min，然后缓慢降温至室温；所述聚酰亚胺预聚体的粘度为7000mPa.s,形成聚酰亚胺层厚度为35mm。
[0031]温敏电阻层4厚度尺寸为5纳米至400纳米，采用磁控溅射的溅射浆料制备方法:是将有机钼化合物或有机金化合物150-190°C加热15-30分钟，得到由有机钼或有机金化合物的微分解固化物、超细钼粉、低分子量有机物、超细碳粉组成的混合物，将此混合物添加有机铑化合物、有机铋化合物、有机铅化合物、有机硅化合物、有机铬化合物、有机铜化合物、有机硼化合物中的三种，钼或金与铑的重量比例控制在1: 0.0005，钼与其他金属的比例(重量)控制在1: 0.02之间，同时添加树脂和溶剂，形成混合型钼浆料。
[0032]下衬底膜层2的厚度尺寸为300纳米至3000纳米。粘附层3的厚度尺寸为5纳米至500纳米，采用镍制作。导电层5的厚度尺寸为5纳米至3000纳米，采用铝制作。衬底I为单晶硅片，下衬底膜层2为氮化硅膜层。
【权利要求】
1.一种Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于，按照如下步骤进行: (1)在衬底(I)上面涂覆一层聚二甲基硅氧烷层(9)，并将聚二甲基硅氧烷层表面进行氧等离子体活化处理；紧接着在所述聚二甲基硅氧烷层(9)上面重叠聚酰亚胺预聚体，经过阶梯式热固化后，形成聚酰亚胺层(7)； (2)在衬底(I)下面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下衬底膜层(2); (3)在衬底(I)局部中心细加工出凹槽(9)； (4)采用磁控溅射工艺在聚酰亚胺层(7)上溅射一层粘附层(3)； (5)采用磁控溅射工艺在粘附层(3)上面溅射一层温敏电阻层(4)； (6)采用磁控溅射工艺在温敏电阻层(4)上面溅射一层导电层(5)； (7)将衬底(I)放入酒精容器内，采用超声剥离工艺剥离掉温敏电阻层(4)结构图形以外的粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)，衬底(I)上两侧露出聚酰亚胺层(7)，形成粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)结构层； (8)在导电层(5)结构层上涂一层光刻胶，采用光刻工艺光刻形成导电层(5)电极结构图形； (9)采用碘化钾湿法腐蚀工艺，腐蚀温敏电阻层(4)上面中间部位的导电层(5)，露出中间部位的温敏电阻层(4)，温敏电阻层(4)两端形成导电层(5)电极结构； (10)在衬底(I) 上露出的两侧聚酰亚胺层(7)上、露出中间部位的温敏电阻层(4)上、导电层(5)电极结构上面涂一层光刻胶，光刻出悬臂梁(6)结构图形； (11)采用等离子体刻蚀工艺在聚酰亚胺层(7)上面刻蚀形成悬臂梁(6)结构，露出聚酰亚胺层(7)下面的聚二甲基硅氧烷层(9)； (12)采用氢氟酸缓冲液腐蚀掉露出聚酰亚胺层(7)下面的聚二甲基硅氧烷层(9)、悬臂梁(6)结构下面的聚二甲基硅氧烷层(9)，形成悬空的悬臂梁(6)结构； (13)采用硅各向异性湿法腐蚀工艺腐蚀衬底(I)形成腔体结构，悬臂梁(6)、粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)悬空固定在衬底(I)腔体上，完成温度传感器制作。
2.根据权利要求1所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述聚二甲基硅氧烷层(9)厚度为30-35 μ m，它采用二次变速方法涂覆于加工载体上的，初始速度为150rpm，使被涂覆的聚二甲基硅氧烷覆盖在整个衬底(I)上，在缓慢提速至900rpm，保持40s，然后再缓慢提速至4500rpm，并在室温下固化48h。
3.根据权利要求1所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述聚二甲基硅氧烷层(9)表面的活化处理是采用氧等体活化处理，处理条件为100%氧气，压强为15mTorr，功率为50W，时间为30s。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述聚二甲基硅氧烷层(9)上面四次重叠涂覆液态高粘度聚酰亚胺预聚体的阶梯式热固化的工艺是每重叠涂覆一次的转速比前一次的转速提高200rpm ;每次重叠涂覆后的预烘温度比前一次高5°C，并采用“由表及里”的阶梯式热处理方法预固化聚酰亚胺预聚物；最后一次聚酰亚胺预热聚体涂覆后，热板温度由95°C上升到200°C保温15min，然后缓慢降温至室温；所述聚酰亚胺预聚体的粘度为6000-7000mPa.s，形成聚酰亚胺层厚度为25_35mm。
5.根据权利要求4所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述温敏电阻层(4)厚度尺寸为5纳米至400纳米，采用磁控溅射的溅射浆料制备方法:是将有机钼化合物或有机金化合物150-190°C加热15-30分钟，得到由有机钼或有机金化合物的微分解固化物、超细钼粉或金粉、低分子量有机物、超细碳粉组成的混合物，将此混合物添加有机错化合物、有机铋化合物、有机铅化合物、有机硅化合物、有机铬化合物、有机铜化合物、有机硼化合物中的一种或二种以上，钼或金与铑的重量比例控制在1: 0.0001~0.0005，金或钼与其他金属的比例(重量)控制在1: 0.003~0.02之间，同时添加树脂和溶剂，形成混合型钼浆料或金浆料。
6.根据权利要求4所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述下衬底膜层(2)的厚度尺寸为300纳米至3000纳米。
7.根据权利要求4所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述粘附层(3)的厚度尺寸为5纳米至500纳米，采用铬、钛或镍铬制作。
8.根据权利要求4所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述导电层(5)的厚度尺寸为5纳米至3000纳米，采用金、铜或铝制作。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于:所述衬底(I)为单晶硅片，所述下衬底膜层(2)为氮化硅膜层。
【文档编号】G01K7/22GK103542956SQ201310459228
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】王萌, 唐新来, 李健军 申请人:柳州市宏亿科技有限公司