一种检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法

文档序号:6189769阅读:386来源:国知局
一种检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法,包括步骤:(1)用真空镀膜机分别将聚氯乙烯、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚丙烯腈四种聚合物蒸镀在不同的石英基片上;(2)将蒸镀好的石英基片焊接在电路板上;应用本发明的方法制备的气敏传感器阵列尺寸小,成本低,重复性好,能长期稳定工作,共存气体产生的影响小,对混合气体的分辨性能高。且用其结合压电系统制成的电子鼻系统,在检测六必居干黄酱真伪时不需要样品繁琐的前处理过程,可直接进行,且响应速度快,准确度高。
【专利说明】一种检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于气敏传感器【技术领域】, 尤其是涉及一种检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法。
【背景技术】
[0002]豆酱(soybean paste)在我国有着悠久的历史,是人民生活中不可缺少的佐餐佳品[I]。随着人们饮食要求、鉴赏能力、安全意识的提高,人们对豆酱风味的要求越来越高,豆酱中挥发性组分对其组分起着最重要的作用,不同的原料、加工工艺和储运过程等对其风味物质具有不同程度的影响。近年来为了提高商品豆酱生产的质量,大大缩短了商品豆酱生产的周期,产品品质比较稳定,但其酱香、风味和适口性等方面仍远不及传统酿制的豆酱。近十年来,我国相继引进了国外较先进的仪器设备来检测豆酱的质量,但从整体来看,传统的检验方法已经满足不了社会的需求,因此,急需要新的行之有效的检测手段。
[0003]20世纪90年代,出现了一种通过气体传感器和模式识别技术相结合的方式模拟生物嗅觉系统,从而实现对挥发性物质进行检测和识别功能的新设备-电子鼻(又称气味扫描仪),其核心部件为气敏传感器,具有客观、快捷、重复性的优点。其中,气敏传感器阵列的选择和应用是关键因素,合适的传感器阵列对提高整个系统的性能至关重要。

【发明内容】

[0004]本发明目的是提供一种检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法,本发明尺寸小,成本低,重复性好,能长期稳定工作,共存气体产生的影响小,对混合气体的分辨性會泛1?。
[0005]实现本发明目的:检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法,包括步骤:
[0006](I)用真空镀膜机分别将聚氯乙烯、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚丙烯腈四种聚合物蒸镀在不同的石英基片上;
[0007](2)将蒸镀好的石英基片焊接在电路板上。
[0008]所述步骤(1)中真空镀膜机的真空度为I X 10_7_1 X 10_5mbar。
[0009]所述步骤(1)中四种聚合物薄膜蒸镀厚度为40μηι-60μηι。
[0010]所述步骤(1)中蒸镀温度为60-120°C。
[0011]应用该方法制成的气敏传感器阵列的有益效果:
[0012]本发明尺寸小,成本低,重复性好,能长期稳定工作,共存气体产生的影响小,对混合气体的分辨性能高。该气敏传感器阵列结合压电系统制成的电子鼻系统,在检测六必居干黄酱时不需要样品繁琐的前处理过程,可直接进行,且响应速度快,准确度高。
【具体实施方式】
[0013]为更好的说明本发明,下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0014]在实验室中通过GC-MS确定六必居干黄酱中的特征性挥发成分为3-甲基-1- 丁醇、3-甲基丁醛、苯乙醛、糠醛。依据3-甲基-1-丁醇分子中的羟基易和聚氯乙烯分子中的氯原子形成氢键,可以判断聚氯乙烯对3-甲基-1-丁醇具有较好的亲和性;依据3-甲基丁醛分子中含有亲电子基团,聚丙烯酰胺分子中含有给电子基团,根据溶剂化作用可判断聚丙烯酰胺易溶于3-甲基丁醛,即3-甲基丁醛对聚丙烯酰胺有较好的亲和性;依据苯乙醛分子中醛基上的H原子易和聚乙烯醇分子中羟基上的氧原子形成氢键作用,可以判断苯乙醛对聚乙烯醇具有较好的亲和性;依据相似相溶原理可判断聚丙烯腈易溶于糠醛,即聚丙烯腈对糠醛有较好的亲和性。
[0015]下表为六必居干黄酱的特征化合物及其亲和性敏感的聚合物树脂结构式:[0016]
[0017]
【权利要求】
1.一种检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法,其特征在于,包括步骤: (1)用真空镀膜机分别将聚氯乙烯、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚丙烯腈四种聚合物蒸镀在不同的石英基片上; (2)将蒸镀好的石英基片焊接在电路板上。
2.根据权利要求1所述的检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤(I)中真空镀膜机的真空度为lX10_7-lX10_5mbar。
3.根据权利要求1所述的检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤(I)中四种聚合物薄膜的蒸镀厚度为40μηι-60μηι。
4.根据权利要求1所述的检测六必居干黄酱的气敏传感器阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤(I)中蒸镀温度为60-120°C。
【文档编号】G01R27/00GK103743951SQ201310719018
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年12月23日 优先权日:2013年12月23日
【发明者】谷宇, 武力, 韩健, 梁星 申请人:中安高科检测科技(北京)有限公司
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