位置检测器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种位置检测器（10），其具有第一和第二磁体（40、45），第一和第二磁体具有与间隙（30）的间隙宽度（W1）不同的磁体宽度（W2）。结果，间隙宽度和磁体宽度相互独立。间隙宽度相对于对霍尔元件（54）进行模制成型的模制构件（55）被最小化。第一磁体和第二磁体具有产生所需磁通密度的特定磁体宽度，而并不会增大磁体宽度，这样能够使位置检测器的体积减小。
【专利说明】位置检测器
【技术领域】
[0001]本公开总体涉及一种用于对检测对象的位置进行检测的位置检测器。
【背景技术】
[0002]通常，磁性式位置检测器对检测对象的位置相对于参照部分的变化进行检测。例如，专利文献I (即，第JP-A-H08-292004号日本专利公开)中所公开的位置检测器被构造成
(i)使用两个磁体和两个磁轭形成闭合磁路。位置检测器还具有设置在两个磁轭之间的间隙内的闭合磁路内部的磁通密度检测器。两个磁轭均具有平板形状，并且两个磁轭之间的间隙的宽度沿磁轭的纵向方向并且在两个磁轭的整个纵向长度上的所有位置处是恒定的。两个平板形状的磁轭通常束缚或者把两个磁体夹在中间。即，两个磁体中的一个磁体位于每个磁轭的第一端之间，并且两个磁体中的另一磁体位于每个磁轭的第二端之间。
[0003]从一个磁体的N极流出的磁通被划分成三种类型，即:返回磁通，流动通过两个磁轭中的一个并从一个磁体流向另一磁体；溢磁通(spill magnetic flux),从一个磁轭流入两个磁轭之间的间隙，然后流向另一磁轭；直接磁通，没有穿过任何磁轭地直接流入两个磁轭之间的间隙，然后流向S极。磁通密度检测器检测在此流动的两种磁通，即，溢磁通和直接磁通中的任何一个或者两者。穿过磁通密度检测器的磁通的密度根据磁通密度检测器相对于磁轭的位置而变化。位置检测器基于由磁通密度检测器检测的磁通的密度对检测对象的位置进行检测。
[0004]在专利文献I所公开的位置检测器中，磁体的宽度等于两个磁轭之间的间隙的宽度，并且两个磁轭之间的间隙的宽度被确定为中间组件的总宽度(即，两个磁通收集构件的宽度与磁通密度检测器的宽度之和)。因此，当要求两个磁轭之间的间隙大于由两个磁通收集构件和置于它们之间的磁通密度检测器的总宽度所决定的用于产生所要求的磁通密度的磁体的最佳宽度时，磁体的大小和宽度也必须较大，从而填充两个磁轭之间的比所要求的更大的间隙。结果，位置检测器的体积增大，这样会导致大于所需求的磁体的不必要的成本。此外，当两个磁通收集构件和磁通密度检测器的总宽度小于用于产生所需的磁通密度的磁体的最佳宽度时，具有平板形状的两个磁轭之间的间隙的宽度大于磁体的最佳宽度定义的宽度，这也导致大于所需求的位置检测器的不必要的成本。
【发明内容】
[0005]本公开的目的是提供一种具有较小的整体尺寸和体积的位置检测器。
[0006]在本公开的一方面中，用于对检测对象相对于参照部件的位置进行检测的位置检测器包括设置在参照部件或检测对象中的一个上的第一磁通传输部件。第一磁通传输部件具有第一端和第二端，并且第二磁通传输部件设置成在第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间限定间隙。第二磁通传输部件具有第一端和第二端。第一磁通产生器设置在第一磁通传输部件的第一端和第二磁通传输部件的第一端之间的位置处。第二磁通产生器设置在位于第一磁通传输部件的第二端和第二磁通传输部件的第二端之间的位置处。磁通密度检测器位于所述间隙内，设置在参照部件或检测对象的另一个上，并根据穿过磁通密度检测器的磁通的密度输出信号。
[0007]具体地讲，在本公开中，当所述间隙的间隙宽度通过在第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间的垂直方向上横向测量所述间隙而定义时，在第一磁通产生器和第二磁通产生器的垂直方向上的磁体宽度被配置为与所述间隙宽度不同。
[0008]因此，磁体的宽度可独立于两个磁通传输部件之间的间隙的宽度。在这种结构中，磁体可具有用于产生所需磁通密度的最佳宽度，而与两个磁通传输部件之间的间隙宽度无关，从而防止磁体的体积和尺寸增大。即，磁体将不再具有大于所需的宽度，从而填充在磁体小于磁轭(在磁轭具有直的平板形状时)之间的间隙时出现的空闲空间。此外，相对于磁通密度检测器的宽度，两个磁通传输部件之间的间隙的尺寸在尺寸方面更小更窄，从而实现具有小体积的位置检测器。
[0009]此外，第一磁通产生器和第二磁通产生器的磁体宽度小于间隙的间隙宽度。
[0010]甚至更进一步，第一磁通产生器和第二磁通产生器的磁体宽度大于间隙的间隙宽度。
[0011]另外，第一磁通传输部件和第二磁通传输部件位于检测对象上，磁通密度检测器位置参照部件上。
[0012]而且，当假设:检测范围被定义为在其内检测检测对象的位置的角范围，运动范围被定义为磁通密度检测器在所述间隙内的运动范围，实际输出线表示检测对象的位置和磁通密度检测器的输出信号之间的关系，点O被定义为穿过磁通密度检测器的磁通的量等于零的实际输出线上的点，并且理想直线被定义为穿过点O并具有理想斜率的线时，运动范围包括在检测范围内的实际输出线的输出信号和理想直线的输出信号之间的信号差，所述信号差小于或等于预定值。
[0013]此外，当检测范围被定义为在其内检测检测对象的位置的角范围，运动范围被定义为磁通密度检测器在间隙内并且相对于第一磁通传输部件的运动范围，相对运动方向被定义为磁通密度检测器相对于第一磁通传输部件的运动的方向时，检测范围沿相对运动方向的中心偏离运动范围沿相对运动方向的中心。
[0014]甚至更进一步，检测对象相对于参照部件旋转，并且第一磁通传输部件和第二磁通传输部件具有沿检测对象相对于参照部件的相对运动方向延伸的弧形。
[0015]另外，检测对象相对于参照部件线性运动，并且第一磁通传输部件和第二磁通传输部件具有沿检测对象相对于参照部件的相对运动方向线性延伸的线形(直线)形状。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]通过下面参照附图进行的详细描述，本公开的目标、特征和优点将变得更清楚，在附图中:
[0017]图1是应用了本公开的第一实施例中的位置检测器的旋转驱动设备的构造略图；
[0018]图2是图1中的线I1-1I的剖视图；
[0019]图3是图1中的箭头III表示的部分的放大剖视图；
[0020]图4是图1中的箭头IV表示的部分的放大剖视图；
[0021]图5是示出旋转角和穿过霍尔元件的磁通的密度之间的关系的图；[0022]图6是图2中的霍尔元件的输出性能示意图；
[0023]图7是本公开的第二实施例中的位置检测器的第一磁轭的第一端和第二磁轭的第一端的剖视图；
[0024]图8是本公开的第三实施例中的位置检测器的剖视图；
[0025]图9是图8中的霍尔元件的输出性能示意图；
[0026]图10是本公开的第四实施例中的位置检测器的剖视图。
【具体实施方式】
[0027]基于附图描述了本公开的多个实施例。附图中相同的部件具有相同的标号，并且为了说明书的简洁，不再重复对它们的描述。
[0028](第一实施例)
[0029]本公开的第一实施例中的位置检测器被应用于图1中示出的旋转驱动设备。旋转驱动设备80用于执行废气旁通阀(未示出)的开-闭驱动。在涡轮增压发动机中，废气旁通阀使围绕涡轮增压器的涡轮壳体的废气流转向。
[0030]首先，基于图1解释旋转驱动设备80的构造。旋转驱动设备80设置有壳体81、箱体(case) 82、电机85、旋转体87、输出轴92和位置检测器10。
[0031]壳体81具有用于电机的空腔。壳体81可被固定在车辆主体上或者被固定到附接于车辆主体的构件上。
[0032]箱体82形成被固定到壳体81的开口的盖部件83。箱体82还具有从盖部件83朝向箱体82的外侧伸出的连接器部件84。
[0033]电机85位于壳体81中并经电源端子93电连接到电子控制单元(E⑶)95。当E⑶95供电时，电机85使电机轴86旋转。
[0034]旋转体87是同轴地设置在电机轴86上的盘构件。旋转体87具有弧形的通孔88，通孔88在远离盘状的轴心96的位置处沿周向方向延伸。旋转体87连接到电机轴86，这样能够将旋转体87的旋转传输到电机轴86。
[0035]输出轴92同轴地设置在电机轴86上并被箱体82可旋转地支撑。输出轴92还连接到旋转体87，这使得旋转体87的旋转能够传输到轴92。输出轴92经未示出的连杆机构连接到废气旁通阀。
[0036]位置检测器10设置在沿着电机轴86与旋转体87具有相同的轴位置的位置处。位置检测器10还设置在偏离轴心96的径向位置(即，沿设备80的半径的位置)处，用于检测旋转体87相对于箱体82的相对旋转角。箱体82可等价于权利要求书中的参照部件，旋转体87可等价于权利要求书中的检测对象。位置检测器10经信号端子94电连接到E⑶95。
[0037]当从E⑶95供电时，旋转驱动设备80通过电机85使输出轴92旋转，并根据旋转体87的旋转角将电压从位置检测器10输出到E⑶95。E⑶95基于位置检测器10的输出电压驱动电机85，并执行反馈控制，从而旋转体87的旋转角匹配目标值。
[0038]下面基于图1至图3解释位置检测器10的构造。
[0039]位置检测器10设置有第一磁轭20、第二磁轭25、第一磁体40、第二磁体45和短路磁路部件50。
[0040]第一磁轭20由软磁材料制成，并形成外弧部分21，外弧部分21沿旋转体87的通孔88的面向内的壁89延伸。此外，第一磁轭20从第一磁轭20的第一端22延伸到第一磁轭20的第二端23。第一磁轭20被固定在旋转体87上，并可等价于权利要求书中的第一磁通传输部件。
[0041]第二磁轭25由软磁材料制成，并形成沿旋转体87的通孔88的面向外的壁91延伸的内弧部分26。此外，第二磁轭25从第二磁轭25的第一端27延伸到第二磁轭25的第二端28。第一磁轭20的外弧部分21和第二磁轭25的内弧部分26限定间隙30。间隙30具有沿箱体82的周向方向延伸的弧形形状。第二磁轭25被固定到旋转体87上，并可等价于权利要求书中的第二磁通传输部件。
[0042]第一磁体40设置在第一磁轭20的第一端22和第二磁轭25的第一端27之间的位置处，并可等价于权利要求书中的第一磁通产生器。在本实施例中，第一磁体40的磁化方向与旋转体87的径向方向匹配。这样，N极41朝向磁体40的径向外侧定位，S极42朝向磁体40的径向内侧定位。
[0043]第二磁体45设置在第一磁轭20的第二端23和第二磁轭25的第二端28之间的位置处，并可等价于权利要求书中的第二磁通产生器。在本实施例中，第二磁体45的磁力与第一磁体40的磁力相同。第二磁体45的磁化方向与旋转体87的径向方向匹配。这样，N极46朝向磁体45的径向内侧定位，S极47朝向磁体45的径向外侧定位。即，第二磁体45的极性与第一磁体40的极性相反。
[0044]第一磁轭20和第二磁轭25是连接第一磁体40和第二磁体45的磁路组件，并与第一磁体40和第二磁体45 —起形成闭合的磁路。从第一磁体40的N极41流出的磁通包括:返回磁通，流动穿过第一磁轭20以流到第二磁体45 ;溢磁通，从第一磁轭20流动穿过间隙30并流到第二磁轭25 ;直路磁通，流动穿过间隙30至S极42而不穿过第一磁轭20和第二磁轭25。此外，从第二磁体45的N极46流出的磁通包括:返回磁通，流动穿过第二磁轭25以流到第一磁体40 ;溢磁通，从第二磁轭25流动穿过间隙30以流到第一磁轭20 ;直路磁通，流动穿过间隙30至S极47而不穿过第一磁轭20和第二磁轭25。
[0045]短路磁路部件50具有霍尔IC53和磁通收集磁轭51、52，磁通收集磁轭51、52用于收集并集中漏磁通以使其流到霍尔IC53。磁通收集磁轭51、52和霍尔IC53位于由树脂制成的模制构件55上。模制构件55被固定在箱体82上。磁通收集磁轭51、52被设置成使得磁通收集磁轭51、52在间隙30内径向对齐。霍尔IC53被设置在磁通收集磁轭51、52之间的位置处并具有霍尔元件54。霍尔元件54是利用霍尔效应的磁电式传感器，并可等价于权利要求书中的磁通密度检测器。霍尔元件54根据穿过其磁敏表面的磁通的密度输出电压。通过当霍尔元件54相对于闭合磁路的位置根据旋转体87的相对旋转改变时的增大或减小，穿过霍尔元件54的磁通的密度变化。在本实施例中，设置了 一个霍尔元件54。
[0046]基于图2和图4-6描述位置检测器10中的特征组件。下面的描述假设:(i)在相对于设备80的圆柱形状的半径的径向方向上测量第一磁轭20和第二磁轭25之间的间隙30的宽度；(ii)第一磁轭20和第二磁轭25在相对运动方向上相对于短路磁路部件50运动。
[0047]沿径向方向测量的间隙30的间隙宽度Wl在沿相对运动方向上的所有位置处都是恒定的。间隙30的间隙宽度Wl可根据霍尔元件54的模制构件55的尺寸而被最小化。此夕卜，沿径向方向截取的第一磁体40和第二磁体45的磁体宽度W2与间隙宽度Wl无关,而是其尺寸被设定成具有用于产生所需磁通量的最佳值。在本实施例中，磁体宽度W2小于间隙宽度W1。
[0048]图5示出了在直角坐标系中旋转体87相对于箱体82的相对旋转角与检测到的穿过霍尔元件54的磁通密度B之间的关系。图6示出了旋转角与通过霍尔IC53由检测的磁通密度B转化的转化输出电压V之间的关系。旋转角等价于权利要求书中的检测对象的位置，输出电压V等价于权利要求书中的输出信号。此外，参照图5和图6，点PO被定义为检测的磁通密度B等于O的点，穿过点PO并具有理想斜率“a”的理想直线L2用双点的点划线表示。当使用位置检测器10可检测的角范围被指定为检测范围0fs，并且允许霍尔元件54相对于第一磁轭20在间隙30内相对运动的霍尔元件54的运动范围被指定为运动范围0m时，本实施例中的运动范围0m被设定为具有差电压，所述差电压为实际输出线LI和理想直线L2之间在检测范围0fs内的差，所述差电压等于或小于预定值VI。预定值Vl是考虑到要求的精确性而确定的值。即，当假设:检测范围(9fs，0fs’)被定义为在其内检测到检测对象的位置的角范围，运动范围(θπι，ΘΠ!’)被定义为间隙内的磁通密度检测器的运动范围，实际输出线(LI)表示检测对象的位置(Θ )和磁通密度检测器的输出信号(V)之间的关系，点O (零)被定义为穿过磁通密度检测器的磁通的量等于零的实际输出线上的点，理想直线(L2)被定义为穿过点O并具有理想斜率的线，运动范围包括在检测范围内实际输出线的输出信号与理想直线的输出信号之间的小于或等于预定值(Vl)的信号差。
[0049]具体地讲，按照下面的顺序经过下述步骤(1)、(2)、(3)和(4)确定间隙30沿相对运动方向的尺寸。在下文中，运动范围θπι被分为三个互相排斥的范围，g卩，位于检测范围Qfs —侧的第一余角Qsl,位于角Qfs另一侧的第二角Θ s2以及角Qfs本身。
[0050](1)确定检测范围Θ fs。
[0051](2)如图5所示，在上述直接磁通的影响下，检测的磁通密度B变得极大。由于直接磁通的影响由与第一磁体40和第二磁体45的距离确定，所以输出电压V的线性通过第一余角Qsl和第二余角0S2的设置确定。因此，确定第一余角Θ si和第二余角0S2，从而在检测范围Θ fs内实际输出线LI和理想直线L2之间的电压差的最大值被测量为等于或小于预定值VI。
[0052](3)将运动范围0 m确定为计算第一余角Θ Sl、第二余角0S2和检测范围Θ fs的和的值。
[0053](4)基于运动范围0 m和模制构件55沿相对运动方向的尺寸，确定间隙30沿相对运动方向的尺寸。
[0054]在本实施例中，第一余角Θ sl与第二余角0S2相同。此外，检测范围0fs沿相对运动方向的中心位置Pfs与运动范围沿相对运动方向的中心位置Pm重合。此外，第一磁体40和第二磁体45具有相同的磁力。因此，中心位置Pm是与点O对应的角位置。
[0055]如上所解释的，在第一实施例的位置检测器10中，第一磁体40和第二磁体45的磁体宽度W2小于间隙宽度Wl (B卩，与间隙宽度Wl不同)。即，可不用考虑第一磁体40和第二磁体45的磁体宽度W2，确定间隙30的间隙宽度W1。间隙30的间隙宽度Wl的尺寸可确定成相对于对霍尔元件54进行模制成型的模制构件55尽可能地小。此外，第一磁体40和第二磁体45的磁体宽度W2的大小可确定成用于产生所需磁通密度的最佳宽度，这样防止磁体尺寸的不必要的增大。因此，实现较小体积的位置检测器10。[0056]此外，在第一实施例中，闭合磁路设置在旋转体87中，霍尔IC53设置在箱体82中。因此。闭合磁路与旋转体87—起旋转，而具有线连接的霍尔IC53具有固定的位置。换言之，可使霍尔IC可移动所需的线连接被分配成使位置检测器10具有简单的结构。
[0057]此外，在第一实施例中，运动范围θπι确定为使得在检测范围9fs内实际输出线LI和理想直线L2之间的电压差等于或小于预定值VI，所述预定值Vl是在考虑到准确性的情况下确定的。即，确定间隙30的大小以在检测范围0fs内获得所需的准确性。因此，这种考虑到所需准确性的确定可产生具有满意的线性的霍尔元件54的输出电压V。
[0058](第二实施例)
[0059]基于图7解释本公开的第二实施例中的位置检测器。
[0060]位置检测器60设置有第一磁轭61和第二磁轭64。第一磁体67设置在第一磁轭61的第一端62和第二磁轭64的第二端65之间的位置处，第二磁体设置在第一磁轭61的另一端与第二磁轭64的另一端之间的位置处。第一磁轭61的另一端、第二磁轭64的另一端以及第二磁体的构造具有与第一磁轭61的第一端62、第二磁轭64的第二端65以及第一磁体67的构造相同的构造,省略对它们的解释。
[0061]第一磁轭61的外弧部分63与第二磁轭64的内弧部分66之间的间隙68的间隙宽度W3可根据将霍尔构件模制成型的模制构件的尺寸被最小化。第一磁体67的磁体宽度W4被设定为具有用于产生所需磁通的最佳值，而与间隙宽度W3无关。在本实施例中，第一磁体67的磁体宽度W4大于间隙宽度W3，S卩，间隙68的间隙宽度W3与第一磁体67的磁体宽度W4不同。
[0062]在如上所述设置的被设置成与(i)两个磁轭之间的间隙(B卩，磁轭内间隙)和(ii)磁体的宽度相同的传统间隙中，磁轭内间隙的宽度变得太大(即，大于所需要的)，这样导致位置检测器60具有大的体积。
[0063]然而，由于第二实施例中的位置检测器的构造允许自由设置间隙68的间隙宽度W3,即，与第一磁体67的磁体宽度W4和第二磁体的宽度无关并独立于第一磁体67的磁体宽度W4和第二磁体的宽度，所以位置检测器60的体积减小，与第一实施例类似。
[0064](第三实施例)
[0065]基于图8和图9解释本公开的第三实施例中的位置检测器。
[0066]位置检测器69使第一余角Θ Si’设置成大于第二余角Θ S2。因此，检测范围Θ fs’沿相对运动方向的中心位置Pfs’相对于运动范围Θ m的中心位置Pm朝向第二磁体45偏移。
[0067]在第三实施例中，与第一实施例的原点PO相比，旋转角等于O (零)的原点PO’更靠近中心位置Pm。结果，在靠近原点PO’的位置处的检测准确性提高，这是因为原点PO’越靠近中心位置Pm,温度特性则得以改善。因此,在废气旁通减压阀(wastegate valve)的与原点PO’周围的位置对应的完全闭合位置的充分接近处，应用了第三实施例中的位置检测器69的废气旁通减压阀能够执行高精确性的阀打开程度控制。
[0068](第四实施例)
[0069]基于图10描述本公开的第四实施例中的位置检测器。
[0070]位置检测器70应用于换挡致动器(shift actuator) 78。换挡致动器78是设置在例如变速箱中的致动器，变速箱包括机械式自动变速器、双离合变速器等。换挡致动器78可执行换挡操作和位置范围选择操作。换挡致动器78的输出构件79抵靠壳体(未示出)线性运动。换言之，输出构件79的运动是相对于壳体的线性运动。输出构件79等价于权利要求书中的检测对象，并且上述壳体等价于权利要求中的参照部件。
[0071]位置检测器70具有包括第一磁轭71、第二磁轭73、第一磁体40和第二磁体45的闭合磁路。第一磁轭71具有沿输出构件79的相对运动的路径延伸的直的形状，并具有第一直部分72。第一磁轭71被固定在输出构件79上，并等价于权利要求书中的第一磁通传输部分。
[0072]第二磁轭73也具有沿输出构件79的相对运动的路径的直的形状，并具有第二直部分74。第二磁轭73被固定在输出构件79上，并等价于权利要求书中的第二磁通传输部件。
[0073]第一磁轭71和第二磁轭73限定了位于第一磁轭71和第二磁轭73之间/之内的位置处的间隙75。间隙75的间隙宽度W5在沿输出构件79的相对运动路径的所有位置处是恒定的，并可根据模制构件55的尺寸被最小化。在本实施例中，磁体宽度W2小于间隙宽度W5。
[0074]根据第四实施例，间隙75的间隙宽度W5及第一磁体40和第二磁体45的磁体宽度W2相互独立，并被任意确定。因此，根据第四实施例，以与第一实施例的方式相同的方式，位置检测器70的体积减小。
[0075](其它实施例)
[0076]根据本公开的其它实施例，闭合电路形式的构件可设置在箱体中，并且霍尔IC可提供在旋转体上。
[0077]根据本公开的其它实施例，可用例如其它类型(诸如电磁体等)的磁通产生器来代替第一磁体和第二磁体。
[0078]根据本公开的其它实施例，位置检测器可设置在其它旋转部件或组件上，诸如设置在作为电机和输出轴之间的组件的减速器的最终减速构件上。
[0079]根据本公开的其它实施例，旋转驱动设备不仅可应用于废气旁通阀装置，还可应用于诸如具有可变润轮容量的可变叶片控制器、用于废气节流阀(exhaust gas throttle)或废气开关阀(exhaust gas switch throttle)的阀操作装置、用于可变进气机构的阀操作装置等的其它装置。
[0080]尽管已经参照附图结合本公开的上述实施例充分地描述了本公开，但是需要注意的是，各种改变和变型对本领域技术人员来说将变得清楚，并且这种改变和变型将被理解为在权利要求限定的本公开的范围内。
【权利要求】
1.一种检测相对于参照部件(82)运动的检测对象的位置的位置检测器(10、60、69、70)，所述位置检测器包括: 第一磁通传输部件(20、71)，设置在参照部件或检测对象中的一个上，所述第一磁通传输部件具有第一端(22 )和第二端(23 ); 第二磁通传输部件(25、73)，设置成在第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间限定间隙(30、68、75 )，第二磁通传输部件具有第一端(27 )和第二端(28 ); 第一磁通产生器(40、67),位于第一磁通传输部件的第一端(22)和第二磁通传输部件的第一端(27)之间； 第二磁通产生器(45),位于第一磁通传输部件的第二端(23)和第二磁通传输部件的第二端(28)之间；和 磁通密度检测器(54)，位于所述间隙内，设置在参照部件或检测对象中的另一个上，并根据穿过磁通密度检测器的磁通的密度输出信号，其中 当所述间隙具有通过在第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间沿垂直方向横向测量所述间隙而定义的间隙宽度(Wl、W3、W5)时，沿着第一磁通产生器(40)和第二磁通产生器(45)的垂直方向的磁体宽度(W2、W4)被配置为与所述间隙宽度不同。
2.根据权利要求1所述的位置检测器(10、69、70)，其特征在于 第一磁通产生器(40)和第二磁通产生器(45)的磁体宽度(W2)小于间隙(30、75)的宽度(W1、W5)。
3.根据权利要求1所述的位置检测器(60)，其特征在于 第一磁通产生器(67)和第二磁通产生器(45)的磁体宽度(W4)大于间隙(68)的宽度(W3)。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的位置检测器，其特征在于 第一磁通传输部件和第二磁通传输部件设置在检测对象上，并且 磁通密度检测器设置在参照部件上。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的位置检测器，其特征在于 当 检测范围(0fs，0fs’)被定义为在其内检测检测对象的位置的角范围， 运动范围(Θm，Θm’)被定义为磁通密度检测器在所述间隙内的运动范围， 实际输出线(LI)表示检测对象的位置(Θ )和磁通密度检测器的输出信号(V)之间的关系， 点O (零)被定义为穿过磁通密度检测器的磁通的量等于零时的实际输出线上的点，和 理想直线(L2)被定义为穿过点O并具有理想斜率的线， 时 运动范围包括在检测范围内的实际输出线的输出信号和理想直线的输出信号之间的信号差，所述信号差小于或等于预定值(VI)。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的位置检测器(69)，其特征在于 当 检测范围被定义为在其内检测检测对象的位置的角范围， 运动范围被定义为磁通密度检测器在间隙内并且相对于第一磁通传输部件的运动范围，和 相对运动方向被定义为磁通密度检测器相对于第一磁通传输部件的运动的方向， 时 检测范围沿相对运动方向的中心(Pf S ’)偏离运动范围沿相对运动方向的中心(Pm’)。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的位置检测器(10、60、69)，其特征在于 检测对象(87)相对于参照部件(82)旋转，和 第一磁通传输部件(20)和第二磁通传输部件(25)具有沿检测对象相对于参照部件的相对运动方向延伸的弧形。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的位置检测器(70)，其特征在于 检测对象(79 )相对于参照部件线性运动，和 第一磁通传输部件(71)和第二磁通传输部件(73)具有沿检测对象相对于参照部件的相对运动方向线性延伸的线形形状。
【文档编号】G01D5/12GK103900454SQ201310739661
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月26日 优先权日:2012年12月27日
【发明者】河野尚明, 山中哲尔 申请人:株式会社电装