一种垂直磁化薄膜测试装置制造方法
【专利摘要】本发明一种垂直磁化薄膜测试装置，涉及电磁检测装置。它有计算机，激光器、起偏棱镜组成入射光路，向样品架投射入射光；检偏棱镜和光电检测器组成反射光路；磁场扫描电源与电磁铁成电连接；电磁铁为磁场气隙为30mm时磁场强度不低于1T的单线包双轭电磁铁，座放时磁场方向水平，且在无线包侧的极头轴线上打有直通磁场气隙的通光孔；其样品架上设有四个成十字形分布的可调节的导电探针；恒流源输出端口连接样品架上一对相对设置的导电探针，纳伏表输入端口连接样品架上另一对导电探针；计算机的连个控制输出端口分别连接磁场扫描电源及恒流源控制输入端口，计算机的两个信号输入端口分别连接光电检测器及纳伏表的输出端口。
【专利说明】一种垂直磁化薄膜测试装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种电磁检测装置。
【背景技术】
[0002]垂直磁化膜由于具有包括磁光、磁电、磁各向异性及磁致伸缩等多种效应，是微电子与信息技术中一类重要的功能材料，并被广泛应用于微电机、磁传感、光通信，特别是高密度磁存储【技术领域】。但是，随着膜系中磁性层厚度减小至纳米尺度，体系的磁矩降低，增加了磁超薄膜系的磁表征难度。随着现代薄膜制备工艺的提高及应用设计要求，仅包含数个原子层的纳米结构垂直磁超薄膜系成为当前磁学与自旋电子学领域中一个极其重要的研究热点。
[0003]另一方面，磁电子学，作为凝聚态物理领域中一门新兴前沿学科与技术，由于在高速高密度信息存储、集成电路与器件以及自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景而快速发展起来。磁电子学是通过磁场等在介观尺度上调制自旋状态，借助电子传导与磁性间的关联效应，实现对电子输运特性的调制。故在磁电子学的研究中，足够大的均匀磁场以保证实现磁化薄膜的磁翻转和饱和是不可缺少的实验条件。
[0004]由光与磁化介质间相互作用而引起的磁光克尔效应(Magneto-optical Kerreffect)不仅可达单原子层厚度磁性检测的灵敏度，而且可实现非接触式原位微区测量，是表面磁性测量的基础手段之一。例如，2006年，上海复旦天欣科教仪器有限公司的胡顺全等人申请的发明专利ZL200620041198.9，“一种表面磁光克尔效应测量装置”，公开了一种表面磁光克尔效应(surface magneto-optic kerr effect缩写为SMOKE)测量系统,它采用半导体激光器作为光源，应用第一光阑、起偏棱镜组成入射光路，向设置在电磁铁磁场气隙中的样品架投射入射光；用第二光阑、检偏棱镜、透镜和光电检测器组成反射光路，检测该样品架上被测磁性薄膜反射的光信号。该光电检测器输出的信号送入操作控制系统中的克尔信号检测装置进一步放大，由数字电压表显示。该操作控制系统中还有磁场扫描电源控制装置，该装置可在计算机的控制下为电磁铁提供扫描磁场所需的电流。该SMOKE测量系统的特点是半导体激光器电源采用二级稳压电源，解决了半导体激光器光输出稳定性差的问题；电磁铁采用小体积的环状铁芯结构，均匀磁场可达0.3T，可放入真空系统中。但是在进一步的研究中，有必要进一步提高激光器的输出功率，电磁铁磁场气隙中的磁场强度也有待提闻。
[0005]磁电效应中霍尔电压信号与膜厚成反比，故磁电霍尔效应(Magneto-opticalKerr effect)测量也特别适合于磁超薄膜的磁表征。目前，磁性薄膜的磁光和磁电性能是单独测试的。但是，由于薄膜样品的磁化状态和测量过程的磁经历有关，反复磁化测量后的样品测试结果可能会产生不一致。为了更好地研究薄膜磁光、磁电特性及其相互作用，需要研制开发通过一次磁场扫描就能够同时获得磁光和磁电特性的磁学测量新设备。
【发明内容】
[0006]本发明旨在提供一种垂直磁化薄膜测试装置，它可通过一次磁场扫描就能够同时测量垂直磁化薄膜的磁光与磁电特性。
[0007]本发明的技术方案是:一种垂直磁化薄膜测试装置，它有计算机；它用激光器、起偏棱镜组成入射光路，向设置在电磁铁磁场气隙中的样品架投射入射光；用检偏棱镜和光电检测器组成反射光路，光电检测器接收该样品架上被测磁性薄膜反射的光信号；它的磁场扫描电源与电磁铁成电连接；该光电检测器的输出端口与计算机的第一信号输入端口连接；该磁场扫描电源的控制端口与计算机的第一控制输出端口连接；该电磁铁为磁场气隙为30mm时磁场强度不低于IT的单线包双轭电磁铁,该电磁铁座放时磁场方向水平，且在无线包侧的极头轴线上打有贯通该电磁铁磁轭及该极头直通磁场气隙的通光孔；其样品架上设有四个成十字形分布的可调节的导电探针；它还有恒流源、纳伏表，该恒流源的输出端口连接该样品架上一对相对设置的导电探针，该纳伏表的输入端口连接该样品架上另一对相对设置的导电探针；该计算机的第二控制输出端口与该恒流源的控制输入端口连接，该计算机的第二信号输入端口与该纳伏表的输出端口连接。
[0008]本发明采用上述的电磁铁与磁场扫描电源组成均匀大磁场发生单元；用激光器、起偏棱镜组成入射光路，向设置在电磁铁磁场气隙中的样品架投射入射光；用检偏棱镜和光电检测器组成反射光路，光电检测器接收该样品架上被测磁性薄膜反射的光信号，形成磁光特性测量单元；用样品架上四个成十字形分布的可调节的导电探针、恒流源、纳伏表组成磁电特性测试单元；有计算机统一控制和管理均匀大磁场发生单元、磁光特性测量单元和磁电特性测试单元的运行，实现了通过一次磁场扫描就能够同时测量垂直磁化薄膜的磁光与磁电特性的发明目的。解决了现有分离式磁光特性测量装置和磁电特性测量装置分别测量时，由于薄膜样品的磁化状态和测量过程的磁经历有关，反复磁化测量后的样品测试结果不一致的问题。
[0009]在优选的实施结构中:所述电磁铁为单线包双轭单调谐可调气隙电磁铁，其磁场气隙在O-1OOmm范围内可调节,其极面直径为50mm ;所述电磁铁上通光孔的孔径为1mm。
[0010]这种电磁铁的测试磁场，不仅磁场强度大而均匀，还便于放置被测样品和进行调整，适合多种不同实验。限定电磁铁上通光孔的孔径为1mm，可以保证磁光特性测量的需要，又能最大限度地保持测试磁场的均匀性和磁场强度的指标不受损失。
[0011]在优选的实施结构中:所述样品架上靠近被测样品处设有霍尔传感器，该霍尔传感器的输出端口连接一个高斯计的输入端口，该高斯计的数据输出端口连接所述计算机的第三信号输入端口。
[0012]通过设置上述磁场测量单元，可以发挥计算机对磁场扫描电源的控制作用，保证电磁铁能产生各种精密磁光特性与磁电特性实验所需要的均匀大磁场。
[0013]在优选的实施结构中:所述激光器为稳定性为0.2%的氦氖激光器；该激光器波长为632.8nm，功率5mW，偏振度为500:1 ;在该激光器与起偏棱镜之间设有1/2玻片。
[0014]这种激光器与1/2玻片配合，可以使激光器线偏振光的振动面转过两倍的入射光振动方向和玻片光轴的夹角，从而可灵活实现激光器线偏振光的偏振面的旋转变化。I/2玻片是为了旋转激光的偏振方向，从而改变入射到样品上的激光功率大小，满足各种不同激光功率大小条件下的测试需要。
[0015]在优选的实施结构中:所述起偏棱镜与检偏棱镜由一对已装配格兰-汤普森方解石偏振器实现，该起偏棱镜与检偏棱镜上设有波长为350-700nm的增透膜,该起偏棱镜与检偏棱镜的消光比为100000:1。
[0016]这种起偏棱镜与检偏棱镜的正交设置组合可以使经过检偏棱镜后的光强直接近似正比于磁光克尔角的变化。
[0017]在优选的实施结构中:所述的入射光路中在起偏棱镜与样品架之间设有光学焦距为Im的长焦距透镜。
[0018]长焦距透镜可以克服电磁铁上孔径很小的通光孔对激光入射角的限制，调整入射到被测磁性薄膜表面的激光光斑大小。
[0019]在优选的实施结构中:所述的反射光路中在检偏棱镜与光电检测器之间设有窄带滤光片，该窄带滤光片的中心波长为632.8±0.6nm，半高宽为3±2nm。
[0020]这种中心波长与氦氖激光器配合的窄带滤光片，可以有效地排除其它杂散光对光电检测器的干扰，提高光电检测器输出信号的信噪比。
[0021]在优选的实施结构中；所述样品架具有无磁硬铝材料制成的L形托板、绝缘材料制成的底板、无磁的黄铜材料制成的四个铜螺柱和四个弹性的导电探针；底板安装在L形托板上，四个铜螺柱成十字形分布设置在底板上，并分别夹持一个导电探针；导电探针后部被铜螺柱夹持的部分开有长条形的调整槽，导电探针的前部向上抬起且在前端处设向下伸出的圆头触点。
[0022]这种样品架，托板为底板提供了稳定、可靠的支撑；使得操作者可以放心地进行安放和取下被测磁性薄膜的操作。弹性的导电探针与被测磁性薄膜的接触可靠，且不会伤及被测磁性薄膜的膜面。另外，四个导电探针可以调整为各个导电探针的圆头触点成十字分布，以便采用与电流垂直的十字交叉四端法测量磁电霍耳效应；或者是四个导电探针的圆头触点共线，以便测量磁阻效应。
[0023]本发明垂直磁化薄膜测试装置，为公众提供了一种一次正负扫场即可可同时测量垂直磁化薄膜的磁光与磁电特性的一体化设备。它可提供较大区域的、强度达IT以上的均匀磁场，并可研究偏振光场、导电电子与磁介质之间的复杂相互作用。该测试设备适用于垂直磁性薄膜与多层膜特别是超薄膜系的测量和研究。对研究磁电子学领域如电流辅助磁翻转等现象有重要作用，并可广泛用于磁性材料，功能薄膜和工程技术等领域。
[0024]与现有技术相比，本发明有如下优点:
[0025]I)组合了磁光和磁电霍尔测量这两种高灵敏纳米磁性薄膜的表征技术，特别适用于磁超薄垂直膜系的测量与研究。
[0026]2)可研究垂直磁化薄膜的磁光电耦合作用。利用该系统，不仅可研究偏置电流对磁光特性的影响；也可研究入射激光功率对磁电霍尔特性的影响。是其他测量装置所不具备的。
[0027]3)本发明实现了垂直磁化膜系及多层膜的磁光和磁电特性的同时测量，操作简便，不会伤及样品膜面，重复性和稳定性高；
[0028]4)采用连续施加扫场的方式，扫描磁场的速率由程控电流源的电流变化速率控制并可发生三角波及正弦波等多种扫场波型。可根据外加磁场的大小，改变扫场驱动电流源变化速率，一次测量就可同步获得薄膜样品的磁光及磁电霍尔回线，缩短了测试时间，具有很高的测量效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1为本发明垂直磁化薄膜测试装置一个实施例的结构示意图。
[0030]图2为图1实施例中单线包双轭单调谐可调气隙电磁铁的立体结构示意图。
[0031]图3为图2中单线包双轭单调谐可调气隙电磁铁在工作状态的立体结构示意图。
[0032]图4为图1实施例中样品架的立体结构示意图。
[0033]图5为图4样品架另一种使用方式的立体结构示意图。
[0034]图6为使用本装置同时检测Co2FeAla5Sia5(1.7nm)磁超薄膜样品的磁电霍尔和磁光特性曲线。
[0035]图7为使用本装置检测Co2FeAla5Sia5(1.7nm)磁超薄膜样品在不同偏置电流下的磁光特性曲线。
[0036]图8为使用本装置检测Co2FeAla5Sia5Q.7nm)磁超薄膜样品在有/无激光入射的磁电霍尔特性曲线。
【具体实施方式】
[0037]一、实施例一
[0038]本发明垂直磁化薄膜测试装置采用磁光极向克尔效应表征垂直磁化薄膜的磁光特性，采用磁电霍尔效应表征垂直磁化薄膜的磁电特性。请参看图1，该垂直磁化薄膜测试装置包含均匀大磁场发生单元、磁光特性测量单元、磁电特性测试单元、磁场测量单元及计算机19等组成部分。
[0039]均匀大磁场发生单元采用程控可变电流速率的磁场扫描电源13驱动单线包双轭单调谐可调气隙电磁铁12实现。该电磁铁12的结构请参看图2和图3，在底盘121上倾斜45°安装双轭式磁轭122。一个柱套123从右侧穿过磁轭122右侧立轭的中部伸入磁轭122的内部空间中并在磁轭122内部套装线包125，电磁铁12座放时线包2产生的磁场方向水平。可使线包125左右移动的调节螺杆穿套在柱套123内并从柱套123的右端伸出并安装3把124。线包125的左端沿其轴线设有第一极头126，磁轭122左侧立轭中部的内侧对应第一极头126设有第二极头127。第一极头126和第二极头127的极面直径均为50mm，第一极头126与第二极头127之间的磁场气隙在O-1OOmm范围内可调节，取放样品方便，适用于多次重复测量。在磁轭122无线包侧的立轭中部及第二极头127轴线上打有贯通该立轭及第二极头127直通磁场气隙的通光孔128，通光孔128的孔径为1_。
[0040]电磁铁12的磁轭122上部的横轭左侧安装有翻转座129，样品架14安装在该翻转座129的翻转部上，当样品架14向上翻起时，可在样品架14的底板上安放或取下被测磁性薄膜15(见图2);当样品架14向下翻时，样品架14的底板处在第一极头126于第二极头127之间，被测磁性薄膜15正对通光孔128并垂直于第一极头126和第二极头127的极面(见图3)。
[0041]磁场扫描电源13为大功率恒流源,它的输出端口与电磁铁12成电连接,磁场扫描电源13的控制端口与计算机19的第一控制输出端口 195连接。当磁场扫描电源13以最大电流输出，电磁铁12的磁场气隙为30mm时,磁场强度可达IT以上。
[0042]磁光特性测量单元依次用激光器1、1/2玻片2、起偏棱镜3和长焦距透镜4组成入射光路，向设置在电磁铁12磁场气隙中的样品架14投射入射光；另外，依次用长焦距透镜5、光阑6、检偏棱镜7、窄带滤光片8和光电检测器9组成反射光路，光电检测器9接收样品架14上被测磁性薄膜15反射的光信号；光电检测器9的输出端口与计算机19的第一信号输入端口 191连接。
[0043]激光器I为稳定性为0.2%的高稳定性氦氖激光器；激光器I的波长为632.8nm,功率5mW，偏振度为500:1。1/2玻片2用于改变激光的偏振方向及入射到样品上的激光功率大小。起偏棱镜3与检偏棱镜7由一对已装配格兰-汤普森方解石偏振器实现，该起偏棱镜3与检偏棱镜7上设有波长为350-700nm的增透膜，该起偏棱镜3与检偏棱镜7的消光比为100000:1。两个长焦距透镜4、5的光学焦距均为lm。入射光路中的长焦距透镜4用于调整激光光斑入射到被测磁性薄膜15表面的大小；反射光路中的长焦距透镜5用于会聚从样品表面反射回来的激光，可以有效增加磁光信号强度，提高探测的精确性和灵敏度。光阑6的孔径可调。窄带滤光片8的中心波长为632.8±0.6nm,半高宽为3±2nm。光电检测器9采用增益可调硅探测器，其开关增益为350-1100nm，带宽10MHz，有效接收面积13mm2 ；光电检测器9内部配有低噪声的弱信号放大电路。
[0044]磁电特性测试单元包括设在样品架14上四个成十字形分布的可调节的导电探针146、高精度恒流源10及纳伏表11。恒流源10的输出电流范围典型值为0.1μΑ-50πιΑ，其典型可选产品为吉时利仪器公司(Keithley) 2400。纳伏表11的输入电压范围典型值为0.1 μ V-30V，其典型可选产品是吉时利仪器公司(Keithley) 2182Α。恒流源10的输出端口连接样品架14上一对相对设置的导电探针146，纳伏表11的输入端口连接样品架14上另一对相对设置的导电探针146。计算机19的第二控制输出端口 194与恒流源10的控制输入端口连接，计算机19的第二信号输入端口 192与纳伏表11的输出端口连接。
[0045]样品架16的底板161用绝缘材料制成并安装在用无磁硬铝材料精加工而成的L形托板142上，托板142的短立边上设有长杆143。长杆143的自由端处安装配重块144。四个探针夹持件一铜螺柱145成十字形分布设置在底板141上，并分别夹持一个可调节的导电探针146 ;铜螺柱145和导电探针146由无磁的黄铜材料精加工而成。弹性黄铜片制成的导电探针145，其后部被铜螺柱145夹持的部分开有长条形的调整槽，导电探针145的前部向上抬起且在前端处设向下伸出的圆头触点，这种弹性的导电探针146，与被测磁性薄膜15的接触可靠，且不会伤及被测磁性薄膜15的膜面。四个导电探针146通过底板141上的印刷电路与引出电极相连，在通过电缆线与外部恒流源12和纳伏表13构成测量回路。通过改变四个导电探针146与被测磁性薄膜15的接触位置可灵活实现磁电霍尔效应和磁阻效应的测量转换。例如图4所示，四个导电探针146的圆头触点成十字分布，可以采用与电流垂直的十字交叉四端法测量磁电霍耳效应。又如图5所示，通过四个导电探针146的圆头触点共线测量磁阻效应。
[0046]磁场测量单元是在样品架14的托板142后侧靠近被测样品处设霍尔传感器16，该霍尔传感器16的输出端口连接一个高斯计17的输入端口，该高斯计17的数据输出端口连接计算机19的第三信号输入端口 193。
[0047]使用过程中，磁场扫描电源13在计算机19的控制下驱动电磁铁12产生正负磁场扫描。磁场大小由置于电磁铁12第一极头126与第二极头127之间磁场区被测样品附近线性电压输出的霍尔探头传感器16与高斯计17测量。高斯计14输出的磁场强度信号被传送至计算机19，以便计算机19调整磁场扫描电源13的输出，使电磁铁12按照实验要求精确产生规定强度的磁场。计算机19在米集光电检测器9输出的磁光信号的同时,控制高精度恒流源12向样品架14上两个对应导电探针146供电。并通过纳伏表13获取样品架14上另外两个导电探针146传递的磁电霍尔电压信号。遮掩一来,一次正负扫场即可同时测量垂直磁化薄膜的磁光和磁电特性，计算机19将获得的测量信号进行存储和处理，得到具有同步性的磁光克尔及磁电霍尔特性回线。
[0048]采用本装置进行测量作业的具体步骤如下:
[0049]I)，在样品架14上放置被测磁性薄膜15:首先翻转座129翻起样品架14，拧动样品架14上的铜螺柱145，松开四个导电探针146与底板141的接触，将被测磁性薄膜15 (样品)放置于底板141的中心位置，按照十字交叉四端法测量磁电霍尔效应的方式，使四个导电探针146的圆头触点压在样品上，然后再拧动各个铜螺柱145分别锁定四个导电探针146。通过万用电表检测四个导电探针146间样品的电阻值，保证四个导电探针146的所有圆头触点与样品的膜面有良好的电接触。通过翻转座129使样品架14向下翻，将样品放入电磁铁12第一极头126与第二极头127之间的均匀磁场区域中，微调翻转座129与样品架14的连接，使样品膜面垂直磁场方向，样品中心区对准通光孔128。由于霍尔探头传感器16已安装在样品架14的托板142背后的中央，此时测量磁场的霍尔探头传感器16也处在电磁铁第一极头126与第二极头127之间的样品附近。
[0050]2)，打开氦氖激光器I的电源，调整光路使激光依次经过调整功率用1/2波片2、起偏棱镜3、长焦距透镜4，再通过电磁铁12左侧的通光孔128入射到样品架14上由四个导电探针146固定的样品中心区域。从样品表面反射回来的光则通过电磁铁12左侧的通光孔128、第二个长焦距透镜5、孔径可调光阑6、与起偏器近似正交设置的检偏棱镜7、窄带滤光片8后进入可变增益的光电检测器9的光接收敏感区。
[0051]3)，打开磁场扫描电源13，恒流源10，纳伏表11及计算机电源19的电源。运行计算机数据采集处理软件；对计算机19的数据采集及控制端口进行初始化操作，设置扫场范围，磁场扫描电源13扫场速率及扫场次数等参数，并设置恒流源10应输出的导电探针偏置电流大小。调节光电检测器9的增益及偏置电流大小，以产生合适计算机19采样的磁光与磁电电压信号。
[0052]4)，操作计算机19控制磁场扫描电源13驱动电磁铁12产生正负扫场磁场，同时计算机19采集磁场大小、磁光及磁电电压信号，开始数据处理和存储；正负扫场结束，计算机19将采集存储得到的磁光、磁电电压数据及磁场值进行处理，得到磁光和磁电特性曲线。
[0053]实验者可以通过旋转1/2玻片2研究不同入射功率激光对磁电效应的影响或者设置不同的偏置电流研究其对磁光特性的影响。
[0054]图6示出使用本装置同时检测Co2FeAla5Sia5 (1.7nm)磁超薄膜样品获得的磁电霍尔和磁光特性曲线。图7示出使用本装置检测Co2FeAla5Sia5(LTnm)磁超薄膜样品在不同偏置电流下的磁光特性曲线。图8示出使用本装置检测Co2FeAla5Sia5(LTnm)磁超薄膜样品在有/无激光入射的磁电霍尔特性曲线。
[0055]以上所述，仅为本发明较佳实施例，不以此限定本发明实施的范围，依本发明的技术方案及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应属于本发明涵盖的范围。
【权利要求】
1.一种垂直磁化薄膜测试装置，它有计算机；它用激光器、起偏棱镜组成入射光路，向设置在电磁铁磁场气隙中的样品架投射入射光；用检偏棱镜和光电检测器组成反射光路，光电检测器接收该样品架上被测磁性薄膜反射的光信号；它的磁场扫描电源与电磁铁成电连接；其特征在于:该光电检测器的输出端口与计算机的第一信号输入端口连接；该磁场扫描电源的控制端口与计算机的第一控制输出端口连接；该电磁铁为磁场气隙为30_时磁场强度不低于IT的单线包双轭电磁铁，该电磁铁座放时磁场方向水平，且在无线包侧的极头轴线上打有贯通该电磁铁磁轭及该极头直通磁场气隙的通光孔；其样品架上设有四个成十字形分布的可调节的导电探针；它还有恒流源、纳伏表，该恒流源的输出端口连接该样品架上一对相对设置的导电探针，该纳伏表的输入端口连接该样品架上另一对相对设置的导电探针；该计算机的第二控制输出端口与该恒流源的控制输入端口连接，该计算机的第二信号输入端口与该纳伏表的输出端口连接。
2.根据权利要求1所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于:所述电磁铁为单线包双轭单调谐可调气隙电磁铁，其磁场气隙在O-1OOmm范围内可调节，其极面直径为50mm ;所述电磁铁上通光孔的孔径为1mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于:所述样品架上靠近被测样品处设有霍尔传感器，该霍尔传感器的输出端口连接一个高斯计的输入端口，该高斯计的数据输出端口连接所述计算机的第三信号输入端口。
4.根据权利要求1或2所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于:所述激光器为稳定性为0.2%的氦氖激光器；该激光器波长为632.8nm，功率5mW，偏振度为500:1 ;在该激光器与起偏棱镜之间设有1/2玻片。
5.根据权利要求4所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于:所述起偏棱镜与检偏棱镜由一对已装配格兰-汤普森方解石偏振器实现，该起偏棱镜与检偏棱镜上设有波长为350-700nm的增透膜，该起偏棱镜与检偏棱镜的消光比为100000:1。
6.根据权利要求4所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于:所述的入射光路中在起偏棱镜与样品架之间设有光学焦距为Im的长焦距透镜。
7.根据权利要求4所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于:所述的反射光路中在检偏棱镜与光电检测器之间设有窄带滤光片，该窄带滤光片的中心波长为632.8±0.6nm,半高宽为 3±2nm。
8.根据权利要求1或2所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于:所述样品架具有无磁硬铝材料制成的L形托板、绝缘材料制成的底板、无磁的黄铜材料制成的四个铜螺柱和四个弹性的导电探针；底板安装在L形托板上，四个铜螺柱成十字形分布设置在底板上，并分别夹持一个导电探针；导电探针后部被铜螺柱夹持的部分开有长条形的调整槽，导电探针的前部向上抬起且在前端处设向下伸出的圆头触点。
【文档编号】G01N27/00GK104458590SQ201410721230
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月2日 优先权日:2014年12月2日
【发明者】王可, 陈若飞, 吴雪峰, 庄凤江 申请人:华侨大学