一种硅块的少子寿命检测方法与流程

技术特征：

1.一种硅块的少子寿命检测方法，其特征在于，包括：

将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；

定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；

对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为950mm-1150mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为6×6个阵列排布的区域。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，其中，所有的第一类硅块的被检测表面均平行于所述阵列的列方向。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第二行的第二类硅块、位于所述阵列第四行的第二类硅块以及位于所述阵列第四列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第二行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对；位于所述阵列第四列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三列相对。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第二行的第三类硅块以及位于所述阵列第四行的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为780mm-900mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为5×5个阵列排布的区域。

7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第一行第一列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第五列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的列方向；位于所述阵列第一行第五列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第一列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的行方向。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第三行的第二类硅块和位于所述阵列第三列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第三行第一列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第二行相对；位于所述阵列第三行第五列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第一行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三列第五行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第三行的第三类硅块以及位于所述阵列第三列的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第三行第二列的第三类硅块与位于所述阵列第三行第三列的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二行相对；位于所述阵列第三列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三行第四列的第三类硅块与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。