技术总结
本发明公开了一种少子寿命检测方法，包括：将硅锭的顶面划分为多个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭进行切割；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块、第二类硅块以及第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法工作效率高。
技术研发人员：汪万盾
受保护的技术使用者：浙江昱辉阳光能源有限公司
技术研发日：2014.12.23
技术公布日：2018.05.25