pct国内申请，说明书已公开。
技术特征：技术总结本发明公开了一种用于判断射频器件去嵌入精度的测试结构及方法，包括分别测试目标器件测试结构、引入器件测试结构以及辅助测试结构的S参数并分别计算所述目标器件测试结构及引入器件测试结构的去嵌后S参数，根据目标器件测试结构去嵌后S参数及引入器件测试结构去嵌后S参数分别计算得到所述目标器件测试结构的待测性能指标结果，通过比较所述结果的一致性程度判断去嵌入方法的精度。本发明可直观地通过对测试数据的分析处理判断某个去嵌入方法的去嵌精度及适用范围，同时使用并联结构和级联结构可增加判断结果的可靠性。
技术研发人员：刘林林
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
技术研发日：2014.10.28
技术公布日：2017.08.18