技术总结
本发明提供用于产生缺陷样本用于电子束重检的各种实施例。一种方法包含逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性。所述方法还包含基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别。所述级别对应于不同缺陷分类。此外，所述方法包含基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于所述电子束重检，借此产生缺陷重检样本用于所述电子束重检。
技术研发人员：R·戈莎尹;S·乔希
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
文档号码：201580026552
技术研发日：2015.05.15
技术公布日：2017.02.22