磁场传感器的制作方法

技术总结
本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。

技术研发人员：W.拉贝格
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2013.04.19
技术公布日：2019.02.19