一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统的制作方法

文档序号:12265121阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统,其特征在于,主要由处理芯片U,三极管VT3,无线接收器W,负极与处理芯片U的GNEG管脚相连接、正极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C5,正极经电感L2后与三极管VT3的集电极相连接、负极与三极管VT3的发射极相连接后接地的极性电容C4,N极经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的FDBK管脚相连接的二极管D4,串接在处理芯片U的VC管脚与GPOS管脚之间的电感L3,串接在三极管VT3的基极与处理芯片U的COM管脚之间的电磁干扰抑制电路,串接在无线接收器W与处理芯片U的IN管脚之间的信号接收电路,分别与处理芯片U的VNEG管脚和FDBK管脚相连接的频率误差校正电路,分别与处理芯片U的VOUT管脚和GPOS管脚相连接的信号输出放大电路,以及串接在频率误差校正电路与信号输出放大电路之间的信号调理电路组成;所述信号接收电路还与处理芯片U的VC管脚相连接;所述处理芯片U的其GND管脚接地。

2.根据权利要求1所述的一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统,其特征在于,所述电磁干扰抑制电路由放大器P6,三极管VT7,N极经电阻R33后与放大器P6的正极相连接、P极与三极管VT3的基极相连接的二极管D15,负极与放大器P6的正极相连接、正极经可调电阻R31后与三极管VT3的基极相连接的极性电容C18,一端与二极管D15的N极相连接、另一端接地的电阻R34,负极与三极管VT7的发射极相连接、正极经电感L5后与放大器P6的正极相连接的极性电容C19,N极与放大器P6的正极相连接、P极经电阻R32后与三极管VT7的基极相连接的二极管D16,N极经电阻R36后与放大器P6的输出端相连接、P极与放大器P6的负极相连接的二极管D17,一端与放大器P6的负极相连接、另一端与放大器P6的输出端相连接的可调电阻R37,正极经电阻R35后与三极管VT7的集电极相连接、负极接地的极性电容C21,以及正极与放大器P6的输出端相连接、负极与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C20组成;所述放大器P6的负极接地;所述极性电容C20的负极还与处理芯片U的COM管脚相连接。

3.根据权利要求2所述的一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统,其特征在于,所述信号调理电路由放大器P4,放大器P5,三极管VT6,正极经电阻R23后与放大器P4的正极相连接、负极与频率误差校正电路相连接的极性电容C14,P极与极性电容C14的正极相连接、N极与三极管VT6的发射极相连接的二极管D11,正极与放大器P4的正极相连接、负极经电阻R22后与放大器P4的输出端相连接的极性电容C13,正极经可调电阻R25后与三极管VT6的基极相连接、负极经电阻R24后与放大器P4的输出端相连接的极性电容C15,N极与极性电容C15的负极相连接、P极经电感L4后与三极管VT6的集电极相连接的二极管D12,负极与放大器P5的正极相连接、正极与放大器P4的输出端相连接的极性电容C16,P极经电阻R27后与放大器P5的正极相连接、N极经电阻R28后与放大器P5的输出端相连接的二极管D14,一端与放大器P5的正极相连接、另一端与二极管D14的N极相连接的电阻R26,正极经电阻R21后与放大器P5的负极相连接、负极接地的极性电容C17,P极经电阻R29后与放大器P5的输出端相连接、N极与放大器P5的负极相连接的二极管D13,以及一端与放大器P5的输出端相连接、另一端接地的电阻R30组成;所述三极管VT6的集电极接地;所述放大器P4的负极接地;所述放大器P5的输出端还与信号输出放大电路相连接。

4.根据权利要求3所述的一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统,其特征在于,所述信号接收电路由放大器P1,放大器P2,三极管VT1,三极管VT2,负极经电阻R1后与放大器P1的正极相连接、正极与无线接收器W的输出极相连接的极性电容C1,一端与放大器P1的负极相连接、另一端与三极管VT1的集电极相连接的电阻R2,正极与三极管VT1的发射极相连接、负极接地的极性电容C2,P极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接、N极经电阻R6后与极性电容C2的负极相连接的二极管D2,一端与极性电容C2的负极相连接、另一端与放大器P2的正极相连接的电阻R5,正极经电感L1后与三极管VT1的基极相连接、负极与放大器P2的正极相连接的极性电容C3,P极与放大器P2的负极相连接后接地、N极经电阻R7后与放大器P2的输出端相连接的二极管D3,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与极性电容C3的正极相连接的可调电阻R4,以及P极与放大器P1的输出端相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D1组成;所述放大器P2的输出端还与三极管VT2的集电极相连接;所述极性电容C3的正极还与放大器P1的负极相连接;所述放大器P1的正电极与处理芯片U的VC管脚相连接、其负电极接地、其输出端则还与处理芯片U的IN管脚相连接。

5.根据权利要求4所述的一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统,其特征在于,所述频率误差校正电路由场效应管MOS,三极管VT4,P极与处理芯片U的VNEG管脚相连接、N极与场效应管MOS的源极相连接的二极管D6,正极与三极管VT4的集电极相连接、负极接地的极性电容C6,P极电阻R11后与三极管VT4的基极相连接、N极接地的二极管D5,正极与三极管VT4的基极相连接、负极电阻R10后与二极管D5的N极相连接的极性电容C7,正极经可调电阻R15后与场效应管MOS的漏极相连接、负极经电阻R13后与二极管D5的N极相连接的极性电容C9,正极与可调电阻R15的调节端相连接、负极经电阻R12后与二极管D5的P极相连接的极性电容C8,以及一端与极性电容C9的负极相连接、另一端与二极管D5的N极相连接的可调电阻R14组成;所述三极管VT4的发射极分别与处理芯片U的FDBK管脚和场效应管MOS的栅极相连接;所述极性电容C7的正极还与可调电阻R15的调节端相连接;所述极性电容C9的负极还与极性电容C14的负极相连接。

6.根据权利要求5所述的一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统,其特征在于,所述信号输出放大电路由放大器P3,三极管VT5,P极与处理芯片U的GPOS管脚相连接、N极经电阻R19后与放大器P3的正极相连接的二极管D9,正极经电阻R18后与二极管D9的N极相连接、负极与处理芯片U的VOUT管脚相连接的极性电容C10,P极与处理芯片U的VOUT管脚相连接、N极经电阻R16后与三极管VT5的基极相连接的二极管D7,N极与放大器P3的输出端相连接、P极经电阻R17后与放大器P3的负极相连接的二极管D8,正极与放大器P3的输出端相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的极性电容C11,P极经电阻R20后与二极管D9的N极相连接、N极经电阻R21后与放大器P3的输出端相连接的二极管D10,以及正极与二极管D9的N极相连接、负极与二极管D10的P极相连接后接地的极性电容C12组成;所述放大器P3的负极接地;所述三极管VT5的集电极与放大器P5的输出端相连接;所述三极管VT5的发射极作为信号输出放大电路的输出端。

7.根据权利要求6所述的一种焙烧炉红外光识别装置用电流波形可调信号处理系统,其特征在于,所述处理芯片U为AD603A集成芯片。

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