本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种防止芯片熔丝误熔断的方法。
背景技术：
在芯片测试中，修整(Trimming)测试是非常重要的测试部分，其可以提高某些参数的精度。
修整是指在芯片制造完成后，通过外部向芯片内部写入数据，来调整芯片某些参数的技术。通常在芯片上设计了很多熔丝(e-fuse)，如果某根熔丝熔断，即相当于为电路串联或并联了一个电阻，如果预先控制某根熔丝对应的电阻阻值大小，那么按照一定的熔断组合，就可以比较精确的控制最终给电路附加的电阻大小，以满足某些参数需要高精度的需求。
修整测试过程：ATE(集成电路自动测试机台)向芯片的各个管(pin)脚输入相关的直流电平信号或是交流电平信号，让电路进入相应的工作状态，然后通过ATE去测量某个管脚上的电压或是电流，得到需修调参数的初始电压或是电流值，再通过相关的公式算法得到需要熔断的熔丝组合，熔断相对应的熔丝后，ATE再对该芯片的管脚进行测量，其修整后得到的电压值或是电流值精度比较高，能满足设计预想的需求，如果还是不能满足精度需求，就判断这颗芯片异常。
具体的，修整过程就是把修整垫(Trim Pad)之间的熔丝熔断，通常的做法是依据初始值，通过公式算法，得到需要熔断熔丝的组合，而后通过组合来在修整垫两端施加电压电平的方式来熔断熔丝，以达到调整精度的需求。
但是在修整垫熔断的过程中，会出现误熔断的现象，比如需熔断第一修整垫和第二修整垫之间的熔丝，结果在熔断第一修整垫和第二修整垫之间熔丝的同时还将第三修整垫和第四修整垫之间的熔丝也熔断了，这样就出现了误熔断的现象。
现有技术中，为了避免误熔断的产生，通常会采用以下两种方法进行改进：一、升级硬件；不使用电压电流修整的方式，而采用激光修整的方式，然而激光修整往往价格不菲，成本较高；二、通过限流限压的方式修整，即通过不停的实验得到比较有效的电压值和比较有效电流值，设置电压值和电流值来阻止误熔断的现象。但是此方案也有很大的弊端：1、需要通过不停的实验，才能确认电压值和电流值，这样就会造成不必要的芯片损坏，从而降低良率；2、电压值电流不容易确定，设置太大还是会出现误熔断现象，设置的太小，则有可能出现熔不断现象；3、芯片本身的电气特性和工艺，可能会产生不同芯片间有比较大的偏差。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种防止芯片熔丝误熔断的方法，能够在不增加成本的基础上，有效的防止误熔断现象。
为了实现上述目的，本发明提出了一种防止芯片熔丝误熔断的方法，包括步骤：
获得待修整芯片的初始电压或电流值；
依据所述初始电压值推算出熔丝熔断组合；
根据所述熔丝熔断组合获得依次需要熔断的熔丝，将所述熔丝按照阻值大小排列；
按照熔丝阻值由小到大的顺序依次熔断所述熔丝；
测量待修整芯片的最终电压值或电流值。
进一步的，在所述的防止芯片熔丝误熔断的方法中，所述熔丝连接在修整垫之间。
进一步的，在所述的防止芯片熔丝误熔断的方法中，未熔断之前，所有的熔丝均连接在一起。
进一步的，在所述的防止芯片熔丝误熔断的方法中，未熔断之前，所述修整垫之间的电阻小于等于5欧姆。
进一步的，在所述的防止芯片熔丝误熔断的方法中，所述修整垫包括6个，相邻的每个修整垫之间连接的熔丝阻值不同。
进一步的，在所述的防止芯片熔丝误熔断的方法中，所述修整垫之间熔丝熔断后的阻值分别为2K欧姆、4K欧姆、8K欧姆、16K欧姆及32K欧姆。
进一步的，在所述的防止芯片熔丝误熔断的方法中，熔断熔丝的步骤包括：在待熔断熔丝的两端其中一个修整垫上施加高电平，另一修整垫上施加低电平。
与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：按照熔丝阻值由小到大的顺序依次熔断熔丝，能够避免先熔断大阻值熔丝时造成小阻值熔丝同时被误熔断，先进行小阻值熔丝的熔断，再进行大阻值熔丝熔断时，已熔断的小阻值熔丝能够提高阻值避免漏电流造成误熔断。
附图说明
图1为本发明一实施例中防止芯片熔丝误熔断的方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的防止芯片熔丝误熔断的方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1，在本实施例中，提出了一种防止芯片熔丝误熔断的方法，包括步骤：
S100：获得待修整芯片的初始电压或电流值；
S200：依据所述初始电压值推算出熔丝熔断组合；
S300：根据所述熔丝熔断组合获得依次需要熔断的熔丝，将所述熔丝按照阻值大小排列；
S400：按照熔丝阻值由小到大的顺序依次熔断所述熔丝；
S500：测量待修整芯片的最终电压值或电流值。
其中，芯片修整测试通常采用在修整垫两端施加电压的方式来熔断对应的熔丝。在本实施例中，所述修整垫包括6个，分别为TB、GND、TA1、TA2、TA3和TA4，相邻的修整垫之间连接的熔丝阻值不同，例如TB和GND之间连接的熔丝熔断后的阻值为2K欧姆，GND和TA1之间连接的熔丝熔断后的阻值为4K欧姆，TA1和TA2之间连接的熔丝熔断后的阻值为8K欧姆，TA2和TA3之间连接的熔丝熔断后的阻值为16K欧姆，TA3和TA4之间连接的熔丝熔断后的阻值为32K欧姆。
例如在TB修整垫上施加高电平5V，在GND修整垫上施加低电平0V，这两个修整垫之间就会产生回路，有大电流流过，从而熔断这两者之间的熔丝。未熔断前所有熔丝都均连在一起，其修整垫之间的阻抗非常小，通常小于等于5欧姆。
如背景技术所提及，修整过程的普遍方法包括步骤：1、确定芯片的初始电压值；2、依据初始电压值，通过公式算法，得到熔丝熔断组合；3、通过熔丝熔断组合，依次得到需要熔断的熔丝，熔丝按阻值大小排列；4、依次熔断熔丝，修改芯片的整体阻值；5、测量芯片的最终电压值。
具体的，假如熔丝熔断组合为修整垫TA4-TA3、TA3-TA2、TA1-GND之间的熔丝；通常的修整方法是先大后小，先熔断TA4-TA3、TA3-TA2、TA1-GND，如果没有出现误熔断的现象的话，那就应该只有这3根熔丝熔断，但是如果出现误熔断现象，则有可能出现TA2-TA1或是GND-TB也会熔断，导致芯片的损坏，出现这种情况可能性主要是由于在熔断的过程中，出现了漏电现象，导致其它熔丝也被误熔断。
若是采用本技术方案，先小后大的熔断方式就能避免上述情况发生，熔断次序为，修整垫TA1-GND、TA3-TA2、TA4-TA3，这样在修整垫TA1-GND熔断之后其会产生大约2K欧姆的阻抗，这样即使熔断大熔丝时，其漏电也不会通过修整垫TA1-GND之间的阻抗，从而能够有效的避免GND-TB的误熔断，依次类推TA3-TA2熔断后，可以有效避免TA2-TA1之间的误熔断现象。
综上，在本发明实施例提供的防止芯片熔丝误熔断的方法中，按照熔丝阻值由小到大的顺序依次熔断熔丝，能够避免先熔断大阻值熔丝时造成小阻值熔丝同时被误熔断，先进行小阻值熔丝的熔断，再进行大阻值熔丝熔断时，已熔断的小阻值熔丝能够提高阻值避免漏电流造成误熔断。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。