一种三轴磁通门传感器的制作方法

文档序号:16909467发布日期:2019-02-19 18:32阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种基于硅立方体‑玻璃键合的微机电系统三轴磁通门传感器,涉及微机电系统领域,包括一个1立方厘米硅立方基座、三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片;其中微机电系统单轴磁通门传感器芯片包含玻璃衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和聚酰亚胺薄膜。三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片通过硅‑玻璃键合沿正交的三个方向分别精确定位固定于硅立方基座共顶点正交的三个平面上。本发明解决了现有三轴磁通门传感器体积大、重量高、功耗大的问题,采用硅立方体‑玻璃键合的微机电系统三轴磁通门传感器利用微机电系统单轴磁通门传感器芯片和硅立方基座的键合,有效缩小了高精度三轴磁通门传感器的体积。

技术研发人员:雷冲;周勇
受保护的技术使用者:上海交通大学
技术研发日:2016.11.15
技术公布日:2019.02.19

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