1.一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法，其步骤如下：
步骤一：以单晶硅为基体，表面制备无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜为热绝缘结构薄膜；
步骤二：采用直流磁控溅射法在无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜上制备铂/钛金属薄膜为下电极薄膜并采用正胶剥离法完成图形化，其大小尺寸根据设计要求而定；
步骤三：采用射频磁控溅射法或溶胶凝胶法在铂/钛金属薄膜上制备光电薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化，其大小尺寸根据设计要求而定；
步骤四：采用直流磁控溅射法或真空热蒸发法在光电薄膜上制备上电极薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化，其大小尺寸根据设计要求而定；
步骤五：采用等离子增强化学沉积法在上电极薄膜上生长一层芯片保护层，并按设计要求完成划片；
步骤六：按设计要求按常规方法制备基于阻抗变换的信号处理电路，并完成芯片与信号处理电路板之间的粘接及引线焊接；
步骤七：按设计要求将芯片与信号处理电路板封装于带红外窗口及底座的外壳中，即完成了集成式热释电光谱探测器的制作。
2.如权利要求1所述的一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法，其特征在于：在步骤二中，所述铂/钛金属薄膜的厚度为50nm-100nm。
3.如权利要求1所述的一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法，其特征在于：在步骤三中，所述光电薄膜为PZT(锆钛酸铅)系列或BST(钛酸锶钡)系列铁电薄膜，所述光电薄膜的厚度为400nm-1000nm。
4.如权利要求1所述的一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法，其特征在于：在步骤四中，所述上电极薄膜为铬/镍金属薄膜，所述上电极薄膜方块电阻为300Ω-1000Ω。
5.如权利要求1所述的一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法，其特征在于：在步骤五中，所述芯片保护层为氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度为200nm-500nm。