一种可控硅与IGBT测试盒的制作方法

本实用新型涉及可控硅与IGBT测试盒技术领域，尤其涉及一种可控硅与IGBT测试盒。

背景技术：

可控硅能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。

IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

目前市场上的可控硅与IGBT测试盒的电路连接复杂，使得成本较高，且可控硅与IGBT测试盒内部的电路受温度的影响大，使得可控硅与IGBT测试盒测试的结构不准确。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种可控硅与IGBT测试盒。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种可控硅与IGBT测试盒，包括盒体，所述盒体为中空结构，且盒体的内壁上设有电路板，所述电路板上设有整流元件QZ，所述整流元件QZ引脚1连接有电容C1和变压器T的次级线圈L2，且变压器T的次级线圈L2的另一端分别与电容C1的另一端和整流元件QZ的引脚3相连接，所述变压器T的初级线圈L1的一端连接有输入端VT1，且变压器T的初级线圈L1的另一端连接有输入端VT2，所述整流元件QZ的引脚4连接有电阻R1和二极管D2的正极，所述电阻R1的另一端连接有电阻R2、电阻R3、电阻R4和二极管D6的负极，所述电阻R2的另一端连接有二极管D1的正极，且二极管D1的负极连接有二极管D7的正极、电容C2和输出端S0，所述二极管D7的负极和二极管D6的正极相连接，所述电容C2的另一端连接有电阻R5的一端和滑动端，且电容C2的另一端连接有双基二极管D11的发射极e，所述电阻R5的另一端和电阻R3的另一端相连接，所述双基二极管D11的基极b1和电阻R4的另一端相连接，且双基二极管D11的基极b2连接有电阻R6和电阻R7，所述电阻R6的另一端连接有二极管D8的负极、电容C3和输出端S1，所述电容C3的另一端、二极管D8的正极和电阻R7的另一端均与输出端S0相连接，所述整流元件QZ的引脚2连接有电容C4的负极、二极管D10的正极、电阻R10和电容C5，且整流元件QZ的引脚2和输出端S0相连接，所述电容C4的正极连接有电阻R8、二极管D9的负极、电阻R9和PNP型三极管Q2的发射极，所述电阻R8和二极管D2的负极相连接，所述二极管D9的正极和二极管D10的负极相连接，所述电阻R9的另一端连接有PNP型三极管Q1的发射极，所述PNP型三极管Q1的基极连接有输出端S1，且PNP型三极管Q1的集电极连接有电阻R10的另一端、电容C5的另一端、电阻R12和电阻R11，所述电容C5的一端连接有输出端S0，所述电阻R11的另一端连接有输出端S2、二极管D3的负极和PNP型三极管Q2的发射极，所述二极管D3的正极连接有PNP型三极管Q2的集电极、二极管D4的负极和PNP型三极管Q3的发射极，所述PNP型三极管Q2的基极和输出端S0相连接，所述PNP型三极管Q3的基极悬空设置，且PNP型三极管Q3的集电极连接有二极管D4的正极和二极管D5的负极，所述二极管D5的正极和电阻R12的另一端相连接。

优选的，所述二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9和二极管D10均为稳压二极管。

优选的，所述电阻R5为可调电阻，且电容C4为电解电容。

优选的，所述输入端VT1为正极输入端，且输入端VT2为负极输入端。

优选的，所述双基二极管D11为单向可控硅二极管。

本实用新型的有益效果：通过变压器T和整流元件QZ可以共同构成一个桥式整流电路，可以将市电交流电220伏电压转化为我们所需要的24伏电压，并对电路中的电流进行整流；通过二极管D6和二极管D7，可以输入的电压进行稳压处理；通过双基二极管D11，使得电路具有较好的热稳定性，且电路可以具有稳定的触发电压和极小的触发电流，通过二极管D9、二极管D10和电容C4共同构成了一个稳压电路，使得输出端S2输出的波形具有稳定性，便于人们进行观察；通过PNP型三极管Q2、PNP型三极管Q3、二极管D3和二极管D4共同构成了一个IGBT电路，使得测试盒可以进行IGBT测试，本实用新型的结构简单，成本较低，热稳定性强，且可控硅与IGBT测试盒具有稳定的触发电压和极小的触发电流。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种可控硅与IGBT测试盒的工作原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1，一种可控硅与IGBT测试盒，包括盒体，盒体为中空结构，且盒体的内壁上设有电路板，电路板上设有整流元件QZ，整流元件QZ引脚1连接有电容C1和变压器T的次级线圈L2，且变压器T的次级线圈L2的另一端分别与电容C1的另一端和整流元件QZ的引脚3相连接，变压器T的初级线圈L1的一端连接有输入端VT1，且变压器T的初级线圈L1的另一端连接有输入端VT2，整流元件QZ的引脚4连接有电阻R1和二极管D2的正极，电阻R1的另一端连接有电阻R2、电阻R3、电阻R4和二极管D6的负极，电阻R2的另一端连接有二极管D1的正极，且二极管D1的负极连接有二极管D7的正极、电容C2和输出端S0，二极管D7的负极和二极管D6的正极相连接，电容C2的另一端连接有电阻R5的一端和滑动端，且电容C2的另一端连接有双基二极管D11的发射极e，电阻R5的另一端和电阻R3的另一端相连接，双基二极管D11的基极b1和电阻R4的另一端相连接，且双基二极管D11的基极b2连接有电阻R6和电阻R7，电阻R6的另一端连接有二极管D8的负极、电容C3和输出端S1，电容C3的另一端、二极管D8的正极和电阻R7的另一端均与输出端S0相连接，整流元件QZ的引脚2连接有电容C4的负极、二极管D10的正极、电阻R10和电容C5，且整流元件QZ的引脚2和输出端S0相连接，电容C4的正极连接有电阻R8、二极管D9的负极、电阻R9和PNP型三极管Q2的发射极，电阻R8和二极管D2的负极相连接，二极管D9的正极和二极管D10的负极相连接，电阻R9的另一端连接有PNP型三极管Q1的发射极，PNP型三极管Q1的基极连接有输出端S1，且PNP型三极管Q1的集电极连接有电阻R10的另一端、电容C5的另一端、电阻R12和电阻R11，电容C5的一端连接有输出端S0，电阻R11的另一端连接有输出端S2、二极管D3的负极和PNP型三极管Q2的发射极，二极管D3的正极连接有PNP型三极管Q2的集电极、二极管D4的负极和PNP型三极管Q3的发射极，PNP型三极管Q2的基极和输出端S0相连接，PNP型三极管Q3的基极悬空设置，且PNP型三极管Q3的集电极连接有二极管D4的正极和二极管D5的负极，二极管D5的正极和电阻R12的另一端相连接，二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9和二极管D10均为稳压二极管，电阻R5为可调电阻，且电容C4为电解电容，输入端VT1为正极输入端，且输入端VT2为负极输入端，双基二极管D11为单向可控硅二极管。

工作原理：变压器T可以将市电220伏的交流电转化成我们所需要的24伏的直流电，然后24伏的直流电经过整流元件QZ，整流元件QZ可以对变压器输出的电压进行整流处理，然后输入电压再经过二极管D6和二极管D7可以24伏直流电压进行稳压处理，双基二极管D11使得电路具有较好的热稳定性，且电路可以具有稳定的触发电压和极小的触发电流，二极管D9、二极管D10和电容C4一起可以构成稳压电路，该稳压电路可以使得输出端S2输出的波形具有稳定性，便于人们进行观察，PNP型三极管Q2、PNP型三极管Q3、二极管D3和二极管D4一起可以构成IGBT电路，该IGBT电路可以对被测试元件的IGBT性能进行测试，使得可控硅与IGBT测试盒检测的检测结果准确。

以上，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。