技术总结
本实用新型公开了一种可控硅与IGBT测试盒，包括盒体，盒体的内壁上设有电路板，电路板上设有整流元件QZ，整流元件QZ引脚1连接有电容C1和变压器T的次级线圈L2，且变压器T的次级线圈L2的另一端分别与电容C1的另一端和整流元件QZ的引脚3相连接，变压器T的初级线圈L1的一端连接有输入端VT1，且变压器T的初级线圈L1的另一端连接有输入端VT2，所述整流元件QZ的引脚4连接有电阻R1和二极管D2的正极，所述电阻R1的另一端连接有电阻R2、电阻R3、电阻R4和二极管D6的负极。本实用新型的结构简单，成本较低，热稳定性强，且可控硅与IGBT测试盒具有稳定的触发电压和极小的触发电流。
技术研发人员：陈志良;景世煊;汤剑;袁旭鹏
受保护的技术使用者：衢州元立金属制品有限公司
文档号码：201620862099
技术研发日：2016.08.10
技术公布日：2017.05.10