1.一种可控硅与IGBT测试盒，包括盒体，其特征在于，所述盒体为中空结构，且盒体的内壁上设有电路板，所述电路板上设有整流元件QZ，所述整流元件QZ引脚1连接有电容C1和变压器T的次级线圈L2，且变压器T的次级线圈L2的另一端分别与电容C1的另一端和整流元件QZ的引脚3相连接，所述变压器T的初级线圈L1的一端连接有输入端VT1，且变压器T的初级线圈L1的另一端连接有输入端VT2，所述整流元件QZ的引脚4连接有电阻R1和二极管D2的正极，所述电阻R1的另一端连接有电阻R2、电阻R3、电阻R4和二极管D6的负极，所述电阻R2的另一端连接有二极管D1的正极，且二极管D1的负极连接有二极管D7的正极、电容C2和输出端S0，所述二极管D7的负极和二极管D6的正极相连接，所述电容C2的另一端连接有电阻R5的一端和滑动端，且电容C2的另一端连接有双基二极管D11的发射极e，所述电阻R5的另一端和电阻R3的另一端相连接，所述双基二极管D11的基极b1和电阻R4的另一端相连接，且双基二极管D11的基极b2连接有电阻R6和电阻R7，所述电阻R6的另一端连接有二极管D8的负极、电容C3和输出端S1，所述电容C3的另一端、二极管D8的正极和电阻R7的另一端均与输出端S0相连接，所述整流元件QZ的引脚2连接有电容C4的负极、二极管D10的正极、电阻R10和电容C5，且整流元件QZ的引脚2和输出端S0相连接，所述电容C4的正极连接有电阻R8、二极管D9的负极、电阻R9和PNP型三极管Q2的发射极，所述电阻R8和二极管D2的负极相连接，所述二极管D9的正极和二极管D10的负极相连接，所述电阻R9的另一端连接有PNP型三极管Q1的发射极，所述PNP型三极管Q1的基极连接有输出端S1，且PNP型三极管Q1的集电极连接有电阻R10的另一端、电容C5的另一端、电阻R12和电阻R11，所述电容C5的一端连接有输出端S0，所述电阻R11的另一端连接有输出端S2、二极管D3的负极和PNP型三极管Q2的发射极，所述二极管D3的正极连接有PNP型三极管Q2的集电极、二极管D4的负极和PNP型三极管Q3的发射极，所述PNP型三极管Q2的基极和输出端S0相连接，所述PNP型三极管Q3的基极悬空设置，且PNP型三极管Q3的集电极连接有二极管D4的正极和二极管D5的负极，所述二极管D5的正极和电阻R12的另一端相连接。
2.根据权利要求1的一种可控硅与IGBT测试盒，其特征在于，所述二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9和二极管D10均为稳压二极管。
3.根据权利要求1的一种可控硅与IGBT测试盒，其特征在于，所述电阻R5为可调电阻，且电容C4为电解电容。
4.根据权利要求1的一种可控硅与IGBT测试盒，其特征在于，所述输入端VT1为正极输入端，且输入端VT2为负极输入端。
5.根据权利要求1的一种可控硅与IGBT测试盒，其特征在于，所述双基二极管D11为单向可控硅二极管。