本发明涉及物联网智能识别技术领域，尤其涉及一种物联网雷达识别传感器。
背景技术：
射频识别rfid系统主要由三个部分组成：标签(tag，即射频卡)，由耦合元件及芯片组成，标签含有内置天线，用于与读卡器的射频天线间进行通信；读卡器，读取(在读写卡中还可以写入)标签信息的设备；天线，在标签和读取器间传递射频信号，主要指读卡器天线。好的射频识别rfid集成电路是对制造工艺与电路设计的挑战，因为射频识别rfid集成电路需要极低的功耗、较大的动态范围等。射频识别rfid的远距离读写需要大幅提高读写器的发射功率，导致电磁干扰增大，成本增加，可靠性降低。基于可见光的物联网通信，由于视距传播，方向性更好，不产生电磁干扰等优点得到了大量研究。
传统的无人车、无人机等无人控制自动化智能物联网设备应用雷达声波传感器，用以确定与周围物体的间距，一种方法是雷达自身全方位实现扫描，另一种方法是采用相控阵雷达，这两种方案需要增加复杂的电机设备从而产生额外的负载。基于所确定的间距可以控制无人车、无人机的不同的舒适功能。例如可以将无人车、无人机的速度自动地控制到一预先确定的值上，其中，经由一借助于雷达传感器的向前的间距测量保证，不低于与一在前行驶的无人车、无人机的预设的安全间距。雷达传感器的其它应用包括一在迅速靠近一物体的情况下的紧急制动功能，一间距报警器，用以使得无人车、无人机的驾驶员容易维持与一在前行驶的无人车、无人机的所需的安全间距。
综上所述，需要设计一种抗干扰、低功耗的，应用于电子标签、无人车、无人机等基于光介质传播的物联网领域的雷达识别传感器。
技术实现要素：
本发明针对现有技术的不足，提出一种物联网雷达识别传感器，解决了电子标签、无人车、无人机等基于电磁介质传播的物联网领域的易干扰、功耗大的问题。
为实现上述目的，本发明采用如下的技术方案：
本发明提出一种物联网雷达识别传感器，包括：依次连接的启动电路、恒流电路、反相电路、微透镜，所述微透镜下面覆盖一衬底层；
所述衬底层包括若干个阵列分布的光电二极管组成的转换电路，所述转换电路由行驱动及列驱动的矩阵单元电路构成，所述矩阵单元电路由并联的二极管d1、电容c1组成。
优选地，所述启动电路包括第一p晶体管(p1)、第一n晶体管(n1)，所述第一p晶体管(p1)与第一n晶体管(n1)在电源端与地之间串联连接；其中，所述第一p晶体管(p1)的源极接到电源端，栅极接地，所述第一n晶体管(n1)的栅极接复位信号，漏极接到第一p晶体管(p1)的漏极及所述转换电路中的d1正极，源极接地。
优选地，所述恒流电路包括第二p晶体管(p2)、第三p晶体管(p3)、第四p晶体管(p4)及第一电阻(r1)，其中，所述第二p晶体管(p2)的源极与第四p晶体管(p4)的源极同时与电源电压vdd连接，第二p晶体管(p2)的栅极与其漏极及第三p晶体管(p3)的源极连接，第三p晶体管(p3)的栅极接启动电路中第一n晶体管(n1)的漏极，第四p晶体管(p4)的栅极与第二p晶体管(p2)的栅极连接，漏极通过第一电阻(r1)接地。
优选地，所述反相电路包括第五p晶体管(p5)、第二n晶体管(n2)，所述第五p晶体管(p5)与第二n晶体管(n2)在电源端与地之间串联连接；其中，所述第五p晶体管(p5)的源极接到电源端，所述第二n晶体管(n2)的栅极与第五p晶体管(p5)的栅极同时接到恒流电路中第四p晶体管(p4)的漏极，源极接地，漏极接到第五p晶体管(p5)的漏极，并输出感应电信号。
优选地，所述微透镜的尺寸与光电二极管的口径大小一致。
优选地，所述微透镜是一种硅氧化物的聚光透镜。
优选地，所述晶体管采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。
优选地，所述第一p晶体管(p1)、第二p晶体管(p2)、第三p晶体管(p3)、第四p晶体管(p4)及第五p晶体管(p5)为pmos管，第一n晶体管(n1)、第二n晶体管(n2)为nmos管。
优选地，所述第二p晶体管(p2)与第三p晶体管(p3)的长度相等。
优选地，所述第二p晶体管(p2)或第三p晶体管(p3)的宽度是第四p晶体管(p4)的宽度18-22倍。
本发明的有益效果：本发明的物联网雷达识别传感器，解决了电子标签、无人车、无人机等基于电磁介质传播的物联网领域的易干扰、功耗大的问题。
附图说明
用附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制。
图1是本发明物联网雷达识别传感器一实施例结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明技术方案作进一步的说明，这是本发明的较佳实施例。本发明实施例提供的一种物联网雷达识别传感器可以应用于物联网智能识别技术领域中的各个场景，包括但不局限于2ggsm、3gcdma、4glte/lte-a、5gembb的移动通信、集群通信、卫星通信、激光通信、光纤通信、数字电视、射频识别、电力载波、无人车、无人机、物联网、雷达等系统，本发明实施例对此不作特别限制。
如图1所示，本发明提出一种物联网雷达识别传感器，包括：依次连接的启动电路、恒流电路、反相电路、微透镜，微透镜下面覆盖一衬底层；微透镜的尺寸与光电二极管的口径大小一致。其中，微透镜是一种硅氧化物的聚光透镜。
衬底层包括若干个阵列分布的光电二极管组成的转换电路，转换电路由行驱动及列驱动的矩阵单元电路构成，矩阵单元电路由并联的二极管d1、电容c1组成。
启动电路包括第一p晶体管(p1)、第一n晶体管(n1)，第一p晶体管(p1)与第一n晶体管(n1)在电源端与地之间串联连接；其中，第一p晶体管(p1)的源极接到电源端，栅极接地，第一n晶体管(n1)的栅极接复位信号，漏极接到第一p晶体管(p1)的漏极及转换电路中的d1正极，源极接地。
恒流电路包括第二p晶体管(p2)、第三p晶体管(p3)、第四p晶体管(p4)及第一电阻(r1)，其中，第二p晶体管(p2)的源极与第四p晶体管(p4)的源极同时与电源电压vdd连接，第二p晶体管(p2)的栅极与其漏极及第三p晶体管(p3)的源极连接，第三p晶体管(p3)的栅极接启动电路中第一n晶体管(n1)的漏极，第四p晶体管(p4)的栅极与第二p晶体管(p2)的栅极连接，漏极通过第一电阻(r1)接地。
反相电路包括第五p晶体管(p5)、第二n晶体管(n2)，第五p晶体管(p5)与第二n晶体管(n2)在电源端与地之间串联连接；其中，第五p晶体管(p5)的源极接到电源端，第二n晶体管(n2)的栅极与第五p晶体管(p5)的栅极同时接到恒流电路中第四p晶体管(p4)的漏极，源极接地，漏极接到第五p晶体管(p5)的漏极，并输出感应电信号。
本实施例中，第一p晶体管(p1)、第二p晶体管(p2)、第三p晶体管(p3)、第四p晶体管(p4)及第五p晶体管(p5)为pmos管，第一n晶体管(n1)、第二n晶体管(n2)为nmos管。
需要说明的是，晶体管可以是采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。晶体管也可以是耗尽型n沟道mos晶体管的栅极与源极连接的结构，虽未作图示，不过当然也可以是将耗尽型p沟道mos晶体管的栅极与源极连接的结构。
光电二极管d1受到光照时输出的电流称为光电流，光电流的大小与光信号的强度成正比。作为传感器使用的光电二极管d1，在受到何种程度的光照时会输出何种大小的光电流，这是已知的，甚至可以以很小的步进幅度列出一幅表格显示两者的具体数值与对应关系。
该光电流经过第二p晶体管(p2)与第四p晶体管(p4)的传递及放大到达第四p晶体第二p晶体管(p2)管(p4)的的漏端电流。其中第二p晶体管(p2)与第四p晶体管(p4)的宽度之比决定了光电流的放大倍数。本实施例中，第二p晶体管(p2)的宽度是第四p晶体管(p4)的宽度18-22倍。另外，第二p晶体管(p2)与第三p晶体管(p3)的长度相等。
本实施例中的传感器电路可以实现光照度从300-30000lux的检测，并且具有面积小、功耗低、反应灵敏等特点。该传感器电路中的所有器件都可由标准cmos工艺实现，可用于在半导体芯片中。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。