1.一种高纯锗探测器，包括高纯锗晶体单元阵列，所述高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元，其中，所述两个或更多个高纯锗晶体单元每一个包括位于侧面和/或第一顶表面的部分电极，并且所述两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面和/或第一顶表面的电极电连接共同作为高纯锗探测器的第一接触电极；每个高纯锗晶体单元包括位于其内的各自的第二接触电极使得所述高纯锗探测器包括两个或更多个第二接触电极。
2.如权利要求1所述的高纯锗探测器，还包括第一电极和第二电极，第一电极连接第一接触电极，第二电极分别在每个高纯锗晶体单元的第二顶表面处连接所述两个或更多个第二接触电极，每个高纯锗晶体单元的第二顶表面与第一顶表面相对。
3.如权利要求1所述的高纯锗探测器，其中所述两个或更多个高纯锗晶体单元配置成能够在相同偏压下工作。
4.如权利要求1所述的高纯锗探测器，还包括：
两个或更多个电荷灵敏前置放大器，每一个电荷灵敏前置放大器配置成读取和转换一个相应的高纯锗晶体单元产生的电荷信号；以及
多通道数字多道谱仪，配置成对从每个电荷灵敏前置放大器输入的电压信号滤波成型，提取幅度信息并获取所述输入的电压信号的道址h同时记录其输入的通道的编号i，以便得出所述两个或更多个高纯锗晶体单元的信号的合成谱。
5.如权利要求4所述的高纯锗探测器，其中多通道数字多道谱仪包括修正系数标定模块，所述修正系数标定模块针对与每个高纯锗晶体单元对应的每个输入通道i分别成谱，并自动寻峰获得峰位道址Pij，然后以第一通道为基准，分别针对每个通道i，用公式P1＝ai*Pi+bi拟合数据点(Pij，P1j)(j＝1，2，...，k)，获得拟合参数[ai，bi]作为通道i的道址修正系数，其中i是正整数，第一通道为任一通道，j＝1，2，...，k，k为峰数目，且k≥2。
6.如权利要求5所述的高纯锗探测器，其中多通道数字多道谱仪包括整体谱生成模块，所述整体谱生成模块根据每个信号的输入通道编号i调取与之对应的道址修正参数[ai，bi]，将道址h修正为h’＝ai*h+bi，按h’累加计数，实时显示所述两个或更多个高纯锗晶体单元的合成谱。
7.如权利要求6所述的高纯锗探测器，其中在每次测量之初，选择至少两条单能射线作为入射源。
8.如权利要求4所述的高纯锗探测器，其中每一个电荷灵敏前置放大器的反馈方式采用电阻反馈、晶体管反馈或光脉冲反馈。
9.如权利要求2所述的高纯锗探测器，其中在第一电极施加第一电压，对于P型高纯锗晶体阵列第一电压配置成正高压，对于N型高纯锗晶体阵列第一电压配置成负高压；第二电极连接电荷灵敏前置放大器，电荷灵敏前置放大器的输入电平即作为第二电压施加到第二电极上。
10.如权利要求1所述的高纯锗探测器，其中所述两个或更多个高纯锗晶体单元通过盒固定在一起。
11.如权利要求10所述的高纯锗探测器，其中所述盒由导电材料构成。
12.如权利要求1所述的高纯锗探测器，其中由所述两个或更多个高纯锗晶体单元构成的高纯锗探测器具有对称的或规则的形状。
13.如权利要求12所述的高纯锗探测器，其中所述高纯锗晶体单元阵列包括三个高纯锗晶体单元，每个高纯锗晶体单元包括120度角部，每个高纯锗晶体单元的120度角部具有两个角部侧面；
其中，三个高纯锗晶体单元的三个120度角部的顶点接触，三个高纯锗晶体单元的120度的角部的角部侧面与相邻的高纯锗晶体单元的120度角部的角部侧面相互抵靠。
14.如权利要求12所述的高纯锗探测器，其中所述高纯锗晶体单元阵列包括4个高纯锗晶体单元，其中两个高纯锗晶体包括120度角的角部，另外两个高纯锗晶体包括两个120度角的角部，从而使得四个高纯锗晶体的角部的侧面相互抵接。
15.如权利要求12所述的高纯锗探测器，其中所述高纯锗晶体单元阵列包括7个高纯锗晶体单元，中心位置的高纯锗晶体单元具有正六边形形状，其他六个高纯锗晶体包括两个120度的角度，对称分布在中心高纯锗晶体单元周围。