技术总结
本实用新型公开了一种高纯锗探测器，包括高纯锗晶体单元阵列，所述高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元，其中，所述两个或更多个高纯锗晶体单元每一个包括位于侧面和/或第一顶表面的部分电极，并且所述两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面和/或第一顶表面的电极电连接共同作为高纯锗探测器的第一接触电极；每个高纯锗晶体单元包括位于其内的各自的第二接触电极使得所述高纯锗探测器包括两个或更多个第二接触电极。
技术研发人员：李玉兰;李红;常建平;张智;李荐民
受保护的技术使用者：清华大学;同方威视技术股份有限公司
技术研发日：2017.12.11
技术公布日：2018.07.13