1.加载贴片天线的SiCN无线无源温度传感器，其特征在于设有SiCN陶瓷温度敏感元件，在SiCN陶瓷温度敏感元件表面设有金属层并形成谐振腔，在谐振腔上表面金属层设有缝隙，在谐振腔上方设有陶瓷基贴片天线。
2.如权利要求1所述加载贴片天线的SiCN无线无源温度传感器，其特征在于所述SiCN陶瓷温度敏感元件采用圆柱形非晶态陶瓷温度敏感元件，所述金属层可采用耐高温金属层，所述陶瓷基贴片天线可采用耐高温陶瓷基贴片天线。
3.如权利要求1所述加载贴片天线的SiCN无线无源温度传感器，其特征在于所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷温度敏感元件的直径为6～18mm，厚度为0.5～5mm；圆柱形非晶态SiCN陶瓷温度敏感元件可通过聚合物先驱体热解法制备，所述SiCN陶瓷温度敏感元件可耐高温1400℃以上。
4.如权利要求1所述加载贴片天线的SiCN无线无源温度传感器，其特征在于所述耐高温金属层是指熔点在1000℃以上的金属层，所述耐高温金属层的厚度为5～50μm；所述耐高温陶瓷基贴片天线的陶瓷基底的直径与谐振腔的直径相等，所述耐高温陶瓷基贴片天线的陶瓷基底和金属贴片耐高温1000℃以上。
5.如权利要求1～4所述加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)制备圆柱形陶瓷温度敏感元件：
(1)制备SiCN陶瓷素胚，具体方法如下：
方法1，将先驱体聚硅氮烷与热引发剂过氧化二异丙苯混合后，进行热交联，再由液态的聚硅氮烷变为固态的聚硅氮烷，研磨成粉末后，放入模具中热压或冷等静压，得圆柱形SiCN陶瓷素胚；或
方法2，将先驱体聚硅氮烷与光引发剂混合后，放入模具中进行紫外交联，得圆柱形淡黄色SiCN陶瓷素坯；或
方法3，将先驱体聚硅氮烷与光引发剂混合后，进行紫外交联，研磨成粉末后，放入模具中热压或冷等静压，得圆柱形SiCN陶瓷素坯；或
方法4，将先驱体聚硅氮烷进行热交联，再由液态的聚硅氮烷变为淡黄色固态的聚硅氮烷，球磨成粉末后，放入模具中热压或冷等静压，得SiCN陶瓷素坯；或
(2)在惰性气体环境中，将陶瓷素胚热解，再退火处理后得到陶瓷温度敏感元件；
2)制备圆柱形谐振腔：
将温度敏感元件陶瓷体置于模具中，在温度敏感元件陶瓷体表面镀金属层，在陶瓷体上表面预留一个无金属层的缝隙，形成上表面有缝隙的圆柱形谐振腔；
3)制备陶瓷基板贴片天线：
将表面覆有耐高温金属的耐高温陶瓷基板，加工成与圆柱形谐振腔直径相等的圆柱，在陶瓷基板上表面蚀刻出金属贴片，形成贴片天线；
4)制备加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器：
将圆柱形谐振腔的上表面与贴片天线下表面固定在一起，形成加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器。
6.如权利要求5所述加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤1)第(1)部分方法1中，所述聚硅氮烷与热引发剂的质量比为1︰(0～0.1)；所述热交联的温度可为120～400℃，热交联的时间可为1～4h；所述粉末的颗粒直径可为0.5～2μm；
在步骤1)第(1)部分方法2中，所述光引发剂可采用I819光引发剂；所述聚硅氮烷与光引发剂的质量比可为1︰(0.005～0.05)；所述模具可采用PDMS模具，模具的直径可为4～25mm，模具的高度可为1～5mm；所述紫外交联的条件可为：在紫外灯下照射进行紫外交联，所述紫外灯的功率可为250W，中心波长可为326nm，紫外交联的时间可为0.25～2h；
在步骤1)第(1)部分方法3中，所述光引发剂采用I819光引发剂；所述聚硅氮烷与光引发剂的质量比可为1︰(0.005～0.05)；所述紫外交联的条件可为：在紫外灯下照射进行紫外交联，所述紫外灯的功率可为250W，中心波长可为326nm，紫外交联的时间可为0.25～2h；所述粉末的颗粒直径可为0.5～2μm；
在步骤1)第(1)部分方法4中，所述热交联温度可为120～400℃，热交联的时间可为1～4h；所述粉末的颗粒直径可为0.5～2μm。
7.如权利要求5所述加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤1)第(2)部分中，所述惰性气体采用氮气或氩气；所述热解温度可为800～1000℃，热解的时间可为1～4h；
在步骤1)第(2)部分中，所述退火处理的温度为1000～1400℃，退火处理的时间为1～4h；所制得的非晶态SiCN陶瓷温敏元件是一种致密的温敏元件，其密度可为2.6～3.0g/m3。
8.如权利要求5所述加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述在温度敏感元件陶瓷表面镀金属层，是通过电镀、光刻，蚀刻或蒸发的方法在温度敏感元件陶瓷表面镀金属层；所述金属层采用铂、铍、钛中的一种；所述金属层的厚度可为5～100μm。
9.如权利要求5所述加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述表面镀有耐高温金属的耐高温陶瓷基板的耐高温金属采用铂、铍、钛中的一种；耐高温陶瓷基板可采用Al2O3或BN；耐高温陶瓷基板厚度可为0.3mm～3mm；耐高温陶瓷基板直径与圆柱谐振腔相等；所述金属贴片可采用矩形金属贴片或圆形金属贴片。
10.如权利要求5所述加载贴片天线的SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述圆柱谐振腔的上表面与贴片天线下表面固定在一起，采用焊接、一体封装工艺；所述贴片天线指的是赋形在圆柱形谐振腔表面的微带天线；所述贴片天线的中心工作频率与圆柱形谐振腔的谐振频率相同；或圆柱形谐振腔的谐振频率处于贴片天线的工作频带内。