1.一种等离子体气体传感器，其特征在于，包括：
基底；
针状结构阵列，由所述基底的特定区域进行刻蚀形成,所述针状结构阵列包括若干针状结构，且所述若干针状结构的顶端与金属颗粒形成异质结结构；
绝缘层，形成在所述特定区域外的所述基底上；
对电极，设置在所述针状结构阵列的上方，且由所述绝缘层支撑。
2.如权利要求1所述的等离子体气体传感器，其特征在于，所述对电极为线状或带状结构。
3.如权利要求2所述的等离子体气体传感器，其特征在于，所述对电极的宽度不超过200纳米。
4.如权利要求1所述的等离子体气体传感器，其特征在于，所述绝缘层的厚度不大于1微米。
5.如权利要求1所述的等离子体气体传感器，其特征在于，单个针状结构的顶端直径不超过200纳米。
6.如权利要求1所述的等离子体气体传感器，其特征在于，所述基底为硅片。
7.如权利要求1所述的等离子体气体传感器，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅。
8.如权利要求1所述的等离子体气体传感器，其特征在于，所述对电极为硅纳米线、碳化硅纳米线、氧化锌纳米线、磷化镓纳米带、砷化镓纳米线的任一种。
9.一种等离子体气体传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1:提供一基底；
S2:在所述基底上形成一绝缘层；
S3:对所述基底的一特定区域进行刻蚀，形成针状结构阵列，所述针状结构阵列包括若干针状结构；
S4:将对电极设置在所述针状结构阵列的上方，所述对电极由所述绝缘层支撑；
S5:在所述针状结构的顶端形成金属颗粒-针状结构的异质结结构。
10.如权利要求9所述的等离子体气体传感器的制造方法，其特征在于，在步骤S2与S3之间还包括步骤S23：对所述绝缘层进行图形化，以露出部分基底区域，形成特定区域。
11.如权利要求9所述的等离子体气体传感器的制造方法，其特征在于，在步骤S3中，通过聚焦离子束直写刻蚀工艺形成所述针尖结构阵列。
12.如权利要求9所述的等离子体气体传感器的制造方法，其特征在于，在步骤S3中，通过图形化的硅湿法各向异性刻蚀工艺形成所述针尖结构阵列。
13.如权利要求9所述的等离子体气体传感器的制造方法，其特征在于，在步骤S4中，通过机械手将所述对电极转移至所述针状结构上方并由所述绝缘层支撑。
14.如权利要求9所述的等离子体气体传感器的制造方法，其特征在于，所述步骤S5具体为：通过溅射工艺在所述针尖结构表面形成金属颗粒-针状结构的异质结结构。