技术特征：
技术总结
本发明提供了一种集成磁结构。本发明描述了一种包括集成在平面基底上的至少三个磁通集中器部分的磁传感器，其中，每部分与其他部分中的至少之一相邻，并被间隙分隔开。该磁传感器至少包括第一感测元件并至少包括第二感测元件，其中，第一感测元件定位为用于感测第一部分与第二部分之间的间隙内或该间隙附近的磁通密度，第二感测元件定位为用于感测第一部分与至少另一部分之间的间隙内或该间隙附近的磁通密度。该磁传感器进一步包括进一步的感测元件，布置成用于测量与基底垂直的方向上的磁场的变化。
技术研发人员：J·毕尔巴鄂德蒙迪扎巴尔
受保护的技术使用者：迈来芯科技有限公司
技术研发日：2018.10.12
技术公布日：2019.04.19