一种太赫兹频段材料反射系数定标测量装置及方法与流程

本发明涉及太赫兹技术领域，尤其涉及一种太赫兹频段材料反射系数定标测量装置及方法。

背景技术：

太赫兹脉冲通常是指波长从30微米到3毫米，频率从0.1到10太赫兹的电磁波。太赫兹脉冲介于红外线和毫米波之间，且频谱范围相当宽。因为太赫兹脉冲处于光子学与电子学的过渡区域，所以它能够提供可见光或者微波等传统检测方式不能提供的信息，因此它在物理学、化学和生物医学等领域有着重大的应用前景。

目前，市面上缺乏统一的经过计量的太赫兹频段的功率计，因此难以准确度量太赫兹脉冲的功率，而在太赫兹器件与相关技术的研发中又迫切需要了解各种材料在太赫兹频段的性能，尤其是各种材料的透射、反射性能及由此演变出的电磁参数。对太赫兹脉冲弱吸收的材料而言，如果透射性能较好，则可以很方便地通过测量其透射率推演出该材料的折射率，而对于反射性能较好的材料而言，在当前无法准确计量太赫兹脉冲功率的情况下，难以准确获取各种材料在太赫兹频段反射系数。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是解决在无法准确计量太赫兹脉冲功率的条件下，难以准确获取各种材料在太赫兹频段反射系数和反射率的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种太赫兹频段材料反射系数定标测量装置，包括：定标板、透射测量模块、反射测量模块和计算模块；

所述透射测量模块用于通过太赫兹波透射测量获得有无所述定标板的太赫兹波透射电场强度；所述反射测量模块用于通过太赫兹波反射测量获取所述定标板和被测材料板在同一入射角度下反射的太赫兹波反射电场强度；所述计算模块用于根据有无所述定标板的太赫兹波透射电场强度得出所述定标板的复折射率，并结合所述定标板和被测材料板反射的太赫兹波反射电场强度之比和入射角度，解算所述被测材料板在该入射角度下的反射系数和反射率。

优选地，所述反射测量模块包括气室、基板、太赫兹波发射模块、太赫兹波接收模块和样品支架；

所述基板设于所述气室内，所述基板上设有弓形导轨；所述样品支架设于所述弓形导轨的圆心处，用于放置被测样品；所述太赫兹波发射模块和所述太赫兹波接收模块分别通过一个直轨设于所述弓形导轨，两个所述直轨均一端固定于所述弓形导轨的圆心处，一端跨过所述弓形导轨并能够沿所述弓形导轨弧的切向移动，用于带动所述太赫兹波发射模块和所述太赫兹波接收模块围绕所述样品支架做圆周运动。

优选地，所述透射测量模块包括太赫兹波发射天线、第一至第四抛物面镜、硅片、电光晶体、四分之一波片、聚焦透镜、渥拉斯顿棱镜和差分光电探测器；

所述太赫兹波发射天线用于接收泵浦激光并激发产生太赫兹脉冲；所述第一抛物面镜用于接收太赫兹脉冲并准直，第二抛物面镜用于将准直的太赫兹脉冲聚焦形成放置被测样品的聚焦测量点；第三抛物面镜用于将通过聚焦测量点后的太赫兹脉冲再次准直，第四抛物面镜用于将再次准直的太赫兹脉冲汇聚；所述硅片用于反射外来的探测光束，并将探测光束与穿过所述硅片的太赫兹脉冲汇聚于电光晶体，形成太赫兹电场调制后的激光；所述四分之一波片用于对调制后的激光中的寻常光和非常光引入π/2的相位差，所述聚焦透镜用于将引入相位差的激光汇聚，所述渥拉斯顿棱镜用于使汇聚的激光分束并分别汇聚于所述差分光电探测器，所述差分光电探测器用于对被测样品的太赫兹信号进行差分解调探测。

优选地，所述定标板为高阻硅片或聚四氟乙烯片。

本发明还提供了一种太赫兹频段材料反射系数定标测量方法，包括以下步骤：

s1、太赫兹波透射测量分别获取有无定标板作为被测样品时的太赫兹波透射电场强度；

s2、根据获取的有无定标板时的太赫兹波透射电场强度之比得到定标板的透射系数，进而得到定标板的复折射率；

s3、太赫兹波反射测量获取定标板和被测材料板在同一入射角度下分别反射的太赫兹波反射电场强度；

s4、根据定标板的复折射率和太赫兹波反射测量的入射角度，计算定标板在该入射角度下的反射系数；

s5、结合定标板和被测材料板反射的太赫兹波反射电场强度与反射系数之间的比例关系，计算被测材料板在该入射角度下的反射系数。

优选地，所述步骤s2中计算定标板的复折射率时，将有无定标板作为被测样品时的太赫兹波透射电场强度相比，得到定标板的透射系数表达式为：

其中，t1表示所述定标板的透射系数，表示有所述定标板时测得的透射电场强度，表示无所述定标板时测得的透射电场强度，ω表示频率，ρ1(ω)表示有定标板时透射电场强度的幅值，ρ0(ω)表示无定标板时透射电场强度幅值，φ1(ω)表示有定标板时透射电场强度的相位，φ0(ω)表示无定标板时透射电场强度的相位，n0表示无定标板时太赫兹波传播所经过的空间的折射率，表示定标板的复折射率；l表示所述定标板的厚度，c表示光速；利用定标板的透射系数表达式计算得到定标板的复折射率。

优选地，所述步骤s4中采用如下方法获取太赫兹波反射测量的入射角度：

采用与定标板不同透射率的辅助板，太赫兹波透射测量获取辅助板作为被测样品时的太赫兹波透射电场强度；

根据有无辅助板的太赫兹波透射电场强度之比得到辅助板的透射系数，进而得到辅助板的复折射率；

太赫兹波反射测量获取与步骤s3中定标板和被测材料板同一入射角度下的辅助板反射的太赫兹波反射电场强度；

根据定标板和辅助板反射的太赫兹波反射电场强度与反射系数之间的比例关系以及菲涅尔公式，计算太赫兹波反射测量的入射角度。

优选地，所述步骤s5中，定标板和被测材料板反射的太赫兹波反射电场强度与反射系数之间的比例关系包括：

所述定标板的反射系数与反射的太赫兹波反射电场强度关系式为：

其中，r1p和r1s分别表示太赫兹脉冲以θ0角度入射所述定标板时的p和s两种偏振状态下的反射系数；和分别表示理论上全反射后的p和s两种偏振状态下的反射电场强度；和分别表示测得的经所述定标板反射的p和s两种偏振状态下的反射电场强度；

被测材料板的反射系数与反射的太赫兹波反射电场强度关系式为：

其中，和分别表示太赫兹脉冲以θ0角度入射被测材料板时的p和s两种偏振状态下的反射系数；和分别表示测得的经被测材料板反射的p和s两种偏振状态下的反射电场强度；

进而得到定标板的反射系数与被测材料板的反射系数的关系式为：

优选地，还包括：

s6、改变太赫兹波入射角度，重复所述步骤s3至s5，计算该入射角度下被测材料板的反射系数。

(三)有益效果

本发明的上述技术方案具有如下优点：本发明提供了一种太赫兹频段材料反射系数定标测量装置，包括透射测量模块和反射测量模块，该联合透射、反射式的太赫兹光谱测试模块的装置利用定标板所用材料对太赫兹脉冲的同时具备透射、反射性能的特性，在无法准确计量太赫兹脉冲功率的情况下，间接地以定标板的理论反射系数对被测材料板进行反射太赫兹脉冲电场强度的定标，进而确定出太赫兹频段各种材料的反射系数和反射率，尤其是通过本发明提出的装置可以获得被测材料在不同太赫兹脉冲入射角度下的反射系数，从而实现了在当前无法准确计量太赫兹脉冲功率的情况下，有效度量各种材料反射性能的最终目的。

本发明还提供了一种太赫兹频段材料反射系数定标测量方法，该方法通过测量有无定标板的透射式太赫兹时域光谱，计算出定标板的复折射率，结合测量的定标板和被测材料板的反射式太赫兹时域光谱，得到定标板的反射系数，进一步解算出被测材料板的反射系数。该方法能够快速、便捷地获取被测材料板在太赫兹频段的反射系数和反射率。

附图说明

图1是本发明实施例一中的透射测量模块(含被测样品)结构示意图；

图2是本发明实施例一中的反射测量模块结构示意图；

图3是本发明实施例二中太赫兹频段材料反射系数定标测量方法步骤图。

图中：1：太赫兹波发射天线；2：第一抛物面镜；3：第二抛物面镜；4：被测样品；5：第三抛物面镜；6：第四抛物面镜；7：硅片；8：电光晶体；9：四分之一波片；10：聚焦透镜；11：渥拉斯顿棱镜；12：差分光电探测器；

20：太赫兹波发射模块；21：太赫兹波接收模块；22：样品支架；23：固定孔；24：气室；25：基板；26：弓形导轨。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

本发明实施例提供了一种太赫兹频段材料反射系数定标测量装置，包括：定标板、透射测量模块、反射测量模块和计算模块。其中，透射测量模块用于通过太赫兹波透射测量获得有无定标板的太赫兹波透射电场强度；反射测量模块用于通过太赫兹波反射测量获取定标板和被测材料板在同一入射角度下反射的太赫兹波反射电场强度；计算模块用于根据有无定标板的太赫兹波透射电场强度得出定标板的复折射率，并结合定标板和被测材料板反射的太赫兹波反射电场强度之比和入射角度，解算被测材料板的反射系数和反射率。计算模块可以采用计算机等计算设备进行计算，也可以通过人工进行计算。

本发明提供的太赫兹频段材料反射系数定标测量装置集合了太赫兹时域光谱透射式测量模块和太赫兹时域光谱反射式测量模块，利用既能透射又能反射太赫兹脉冲的定标板材料，对其进行被测材料板定标，根据测量的电场强度得到定标板反射系数，并进一步解算出被测材料板反射系数，解决了当前在无法准确计量太赫兹脉冲功率的情况下，准确测量各种材料在太赫兹频段反射系数的问题，适用于各种材料，并可以测量被测材料在不同太赫兹脉冲入射角度下的反射系数。

优选地，定标板可采用高阻硅片或聚四氟乙烯片。高阻硅片的电阻率较高，一般为1万欧姆及以上，既能透射又能反射太赫兹脉冲，并且易加工，厚度容易测量，有利于后续解算反射系数。

在一种优选的实施方式中，如图1所示，透射测量模块(即太赫兹时域光谱透射式测量模块)包括太赫兹波发射天线1、第一至第四抛物面镜、硅片7、电光晶体8、四分之一波片9、聚焦透镜10、渥拉斯顿棱镜11和差分光电探测器12。其中，太赫兹波发射天线1用于接收泵浦激光(泵浦激光可由飞秒激光器产生)，并激发产生太赫兹脉冲，太赫兹脉冲出射，依次经过第一至第四抛物面镜，具体地：

如图1所示，第一抛物面镜2用于接收太赫兹脉冲并使太赫兹脉冲准直，准直的太赫兹脉冲输入第二抛物面镜3，第二抛物面镜3用于接收准直的太赫兹脉冲，并将准直的太赫兹脉冲聚焦，形成放置被测样品4的聚焦测量点。本实施例中被测样品4为无或定标板。第三抛物面镜5用于接收通过聚焦测量点后的太赫兹脉冲，并将太赫兹脉冲再次准直后输入第四抛物面镜6，第四抛物面镜6用于接收再次准直的太赫兹脉冲，并将太赫兹脉冲汇聚，穿透硅片7。利用第一至第四抛物面镜两次准直、聚焦，可形成易于测量的聚焦测量点。

硅片7用于反射外来的探测光束，并将探测光束与穿过硅片7的太赫兹脉冲汇聚于电光晶体8，形成太赫兹电场调制后的激光。此处的探测光束与泵浦激光脉冲到达电光晶体的时间同步。四分之一波片9用于对调制后的激光中的寻常光(o光)和非常光(e光)引入π/2的相位差，从而便于当线偏振光垂直入射该四分之一波片，并且光的偏振和波片的光轴面成θ＝45°时，出射光为圆偏振光。聚焦透镜10用于将引入相位差后的激光汇聚，输入渥拉斯顿棱镜11，渥拉斯顿棱镜11用于使汇聚的激光分束，并分别汇聚于差分光电探测器12。差分光电探测器12用于对被测样品4的太赫兹信号进行差分解调探测，获取透射过被测样品4的太赫兹信号。优选地，电光晶体8可采用znte晶体。

使用时，将图1中虚线所示部分密闭充入干燥的氮气，以排除空气中水蒸气等对太赫兹脉冲的吸收。泵浦激光经过图1中的太赫兹波发射天线1后，激发出太赫兹脉冲，太赫兹脉冲分别经过第一抛物面镜2和第二抛物面镜3的准直、会聚于被测样品4处，透过被测样品4后，再经过第三抛物面镜5和第四抛物面镜6的准直、会聚后，穿透硅片7，与由硅片7反射的外来探测光束会聚于电光晶体8上，由太赫兹电场调制后的探测激光经过四分之一波片9后，由聚焦透镜10将探测激光经渥拉斯顿棱镜11后分束并分别会聚于差分光电探测器12上面，从而进行被测样品4太赫兹信号的解调探测。

将作为定标板的高阻硅片置于太赫兹时域光谱透射式测量模块中的被测样品4位置处，高阻硅片与太赫兹波传输方向垂直，进行有高阻硅片时的透射太赫兹光谱测量；然后去掉高阻硅片，让太赫兹脉冲通过自由空间，获取其透射光谱，将二次获取的太赫兹光谱电场强度进行对比获得高阻硅片的透射系数，进而通过菲涅尔公式计算出高阻硅片的复折射率。

需要说明的是，本实施例介绍了一种透射测量模块，实际使用时，也可以采用其他透射测量模块，能够准确测量有无定标板的透射太赫兹光谱，测得太赫兹光谱透射电场强度即可。

在一种优选的实施方式中，如图2所示，反射测量模块包括气室24、基板25、太赫兹波发射模块20、太赫兹波接收模块21和样品支架22。其中，气室24为中空密闭结构；基板25设于气室24内，基板25上设有弓形导轨26；样品支架22设于弓形导轨26的圆心处，用于放置被测样品(即定标板或被测材料板)；太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21均分别通过一个直轨设于弓形导轨26，两个直轨均一端固定于弓形导轨26的圆心处，另一端跨过弓形导轨26并能够沿弓形导轨26弧的切向移动，用于带动太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21围绕样品支架22做圆周运动，有助于调试和样品的准确定位。

优选地，还包括光纤激光器，光纤激光器通过光纤将泵浦激光传输至太赫兹波发射模块20中的发射天线，通过光纤将探测激光传输至太赫兹波接收模块21中的接收天线，因此测试角度易于调节，改变入射角和相应的反射角时，调节两个直轨一端在弓形导轨26的位置即可。

优选地，样品支架22靠近太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21的一侧设有开口，另一侧设有固定装置。使用时，定标板或被测材料板通过固定装置设于开口处，太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21均朝向样品支架22，太赫兹波发射模块20向开口处发射太赫兹波，太赫兹波在开口处反射，反射进入太赫兹波接收模块21。

优选地，太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21分别设于两个直轨，并可沿直轨移动，即直轨使得太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21可以沿弓形导轨26的径向移动，以便将焦点会聚于样品表面。

优选地，弓形导轨26一侧设有多个间隔分布的固定孔23，用于固定两个直轨在弓形导轨26的位置。进一步优选地，弓形导轨26一侧还设有指示角度的刻度，可以方便地调节太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21的位置，以便改变太赫兹波的入射角和相应的反射角。

优选地，气室24用于充入干燥的氮气，以排除太赫兹传输中水蒸气等对其的吸收影响。

进一步优选地，气室24为透明箱体，便于观察调整。基板25竖直设于气室24一侧壁内侧，太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21位于样品支架22下方，在样品支架22放置定标板或被测材料板时，可依靠样品的重力和样品支架22表面的支撑保证重复定位精度。

使用时，在密闭的气室24中充入干燥的氮气，连接光纤泵浦激光的太赫兹波发射模块20发射出太赫兹脉冲，然后分两次分别照射于样品支架22所架设的高阻硅片(定标板)和被测材料板的下表面上，由其反射后的太赫兹脉冲进入太赫兹波接收模块21进行光谱的收集。根据指示角度的刻度可调整太赫兹波入射角及相应的反射角，调整后利用固定孔23与直轨一端的固定螺栓相互配合，固定太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21位置。该反射测量模块方便调节角度，且能够确保一次测量定标板和被测材料板过程中，各个部件不发生相对变化，无需调整太赫兹波发射模块20和太赫兹波接收模块21位置。

在一种优选的实施方式中，该装置还包括辅助板，辅助板与定标板透射率不同，可采用与定标板不同透射率的硅片或聚四氟乙烯片。透射测量模块用于通过太赫兹波透射测量获得有无辅助板的太赫兹波透射电场强度；反射测量模块用于通过太赫兹波反射测量获取与定标板和被测材料板在同一入射角度下辅助板反射的太赫兹波反射电场强度；计算模块用于根据有无辅助板的太赫兹波透射电场强度得出辅助板的复折射率，结合辅助板和定标板反射的太赫兹波反射电场强度之比以及菲涅尔公式，计算测量太赫兹反射测量入射角度，以便更为准确地计算反射系数和反射率。

实施例二

如图3所示，本实施例二提供了一种太赫兹频段材料反射系数定标测量方法，可采用如上述任一实施方式所述的太赫兹频段材料反射系数定标测量装置进行测量，包括以下步骤：

s1、太赫兹波透射测量分别获取有无定标板作为被测样品时的太赫兹波透射电场强度。

s2、根据获取的有无定标板时的太赫兹波透射电场强度之比得到定标板的透射系数，进而得到定标板的复折射率。

s3、太赫兹波反射测量获取定标板和被测材料板在同一入射角度下分别反射的太赫兹波反射电场强度。

s4、根据定标板的复折射率和太赫兹波反射测量的入射角度，计算定标板在该入射角度下的反射系数。

s5、结合定标板和被测材料板反射的太赫兹波反射电场强度与反射系数之间的比例关系，计算被测材料板在该入射角度下的反射系数。

优选地，步骤s2中计算定标板的复折射率时，将有无定标板作为被测样品时的太赫兹波透射电场强度相比，得到定标板的透射系数表达式为：

其中，t1表示定标板的透射系数，表示有定标板时测得的透射电场强度，表示无定标板时测得的透射电场强度，ω表示频率，ρ1(ω)表示有定标板时透射电场强度的幅值，ρ0(ω)表示无定标板时透射电场强度幅值，φ1(ω)表示有定标板时透射电场强度的相位，φ0(ω)表示无定标板时透射电场强度的相位，n0表示无定标板时太赫兹波传播所经过的空间的折射率，即采用上述实施例中太赫兹频段材料反射系数定标测量装置时，气室内气体的折射率，表示定标板的复折射率；l表示定标板的厚度，c表示光速。利用上述定标板的透射系数表达式，即可计算求得定标板材料的复折射率。

优选地，在弱吸收的情况下，定标板的复折射率有近似解析解形式：

其中，n1(ω)表示定标板的复折射率近似值，为简化计算，后续计算时可采用n1(ω)的值作为定标板的复折射率。

优选地，步骤s4中采用如下方法获取太赫兹波反射测量的入射角度：

采用与定标板不同透射率的辅助板，太赫兹波透射测量获取辅助板作为被测样品时的太赫兹波透射电场强度；

根据有无辅助板的太赫兹波透射电场强度之比得到辅助板的透射系数，进而得到辅助板的复折射率；

太赫兹波反射测量获取与步骤s3中定标板和被测材料板同一入射角度下的辅助板反射的太赫兹波反射电场强度；

根据定标板和辅助板反射的太赫兹波反射电场强度与反射系数之间的比例关系以及菲涅尔公式，计算太赫兹波反射测量的入射角度。

其中，辅助板与定标板的复折射率不同，辅助板可采用与定标板不同透射率的硅片或聚四氟乙烯片。辅助板与定标板可互换，实际上可采用两块不同类型的定标板，任选其中一块作为辅助板。由此，也可以在步骤s1中测量辅助板的太赫兹波透射电场强度，在步骤s2中计算辅助板的复折射率。

也就是说，本发明还提供了一种太赫兹波反射测量的入射角度测量方法，包括：

s1、太赫兹波透射测量获取定标板和辅助板分别作为被测样品时的太赫兹波透射电场强度，以及无定标板和辅助板时的太赫兹波透射电场强度，其中辅助板与定标板的透射率不同。

s2、根据获取的有无被测样品时的太赫兹波透射电场强度之比，分别得到定标板和辅助板的透射系数，进而得到定标板和辅助板的复折射率。

s3、太赫兹波反射测量获取定标板和辅助板分别作为被测样品时，在同一入射角度下分别反射的太赫兹波反射电场强度。

s4、根据定标板和辅助板反射的太赫兹波反射电场强度与反射系数之间的比例关系以及菲涅尔公式，计算太赫兹波反射测量的入射角度。

该方法通过计算获取准确的太赫兹脉冲入射角度，相比于现有技术更加准确、可靠，且减少了环境变化影响及人工读取角度误差。

进一步优选地，根据菲涅尔公式，可得出定标板的反射系数的表达式为：

其中，r1^p和r1^s分别表示太赫兹脉冲以θ0角度入射定标板时的p和s两种偏振状态下的反射系数。θ0表示入射角角度，θ1表示定标板材料折射角角度。

同理，可得出辅助板反射系数的表达式为:

其中，和分别表示太赫兹脉冲以θ0角度入射辅助板时的p和s两种偏振状态下的反射系数。θ2表示辅助板折射角角度，表示辅助板的复折射率。

根据斯涅耳公式：可知对每一种极化方式而言存在两个方程式三个未知量，即入射角θ0和定标板及辅助板的反射系数；但是，由于定标板及辅助板在同一入射角下的反射电场强度比易知，即：

其中，r1^p和r1^s分别表示太赫兹脉冲以θ0角度入射定标板时的p和s两种偏振状态下的反射系数；和分别表示理论上全反射后的p和s两种偏振状态下的反射电场强度；和分别表示测得的经定标板反射的p和s两种偏振状态下的反射电场强度；和分别表示测得的经辅助板反射的p和s两种偏振状态下的反射电场强度。

对于p偏振的情况而言，令则有：

由上式中可见，通过定标板和辅助板反射的太赫兹波反射电场强度的比值可以准确求得测量时的入射角度θ0(或只求得cosθ0即可)，避免了采用常规角度测量装置造成测量不准引入误差。将测得的入射角度θ0(或cosθ0)代入定标板的反射系数的表达式，即可计算出定标板的反射系数。

优选地，步骤s5中，定标板和被测材料板的太赫兹波反射电场强度与反射系数之间的比例关系包括：

定标板的反射系数与反射的太赫兹波反射电场强度关系式为：

被测材料板的反射系数与反射的太赫兹波反射电场强度关系式为：

其中，和分别表示太赫兹脉冲以θ0角度入射被测材料板时的p和s两种偏振状态下的反射系数；和分别表示测得的经被测材料板反射的p和s两种偏振状态下的反射电场强度。

进而得到定标板的反射系数与被测材料板的反射系数的关系式为：

因此，根据步骤s3中测得定标板和被测材料板同一入射角度下的太赫兹波反射电场强度，以及步骤s4求得的定标板的反射系数，即可求得被测材料板的反射系数以及反射率。由于能量与电场强度的二次方成正比，所以反射率是反射系数的平方。

优选地，该太赫兹频段材料反射系数定标测量方法还包括：

s6、改变太赫兹波入射角度，重复步骤s3至s5，计算该入射角度下被测材料板的反射系数。调整太赫兹脉冲入射角度，可方便、快捷地实现太赫兹波以0～90°之间不同角度入射情况下的反射系数的测量。

优选地，改变角度时，为准确获取新的入射角度，可在新角度下采用本发明提供的方法获取太赫兹波反射测量的入射角度，即重复测量定标板和辅助板的反射系数比。通过反射测量模块先测量某入射角度下定标板的反射强度，然后替换定标板，测量同一入射角度下辅助板的反射强度，再将被测材料板取代辅助板，测量同一入射角度下的被测材料板的反射电场强度，将测量结果按照上述公式进行电场强度的比对、求解，最终得到该入射角度下该材料板的太赫兹波反射系数。当然，实际中定标板、辅助板与被测材料板的测量顺序并不重要。

综上，本发明提供的太赫兹频段材料反射系数定标测量方法，利用定标板对被测材料板的反射系数进行测量，测量过程中通过计算获取准确的太赫兹波反射测量的入射角度，相比于通过现有仪器测量角度更为准确，计算结果更加可靠。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。