输送装置、输送方法及外观检查装置与流程

本发明的实施方式涉及输送装置、输送方法及外观检查装置。

背景技术：

已知一种外观检查装置，用于检查六面体形状的电阻器或电容器等的芯片型电子部件(以下，称之为“工件”)的外观。在所述外观检查装置中，将工件放置在由玻璃等的透明体形成的输送台上，旋转输送台来一边输送工件一边借助多个摄像头拍摄工件的各面，以进行外观检查。所述工件通过线性送料器放置在输送台上，并静电吸附到输送台上(参照专利文献1)。

图12为示出层叠电容器中的角柱形的基础芯片借助离心力旋转的状态的图。如图12所示，相当于角柱形的基础芯片的上下面的按压面的中央部分常出现膨胀现象，当所述面被放置在输送台上时，容易翻转，即使进行静电吸附，也因台面上的离心力和输送时的风压而容易旋转。

现有技术文献

专利文献

专利文献：日本特开2017-44579号公报

技术实现要素：

因此，工件在输送台上的放置位置及方向变得不规则，通过各摄像头拍摄的图像的大小和位置、方向产生变动，从而可能会降低判断工件质量的准确性。

尤其，由于层叠电容器的基础芯片为角柱产品，线性送料器将纵向及横向不同的工件随机地放置在输送台上，因而各摄像头拍摄到位置和方向不一致的工件，从而可能会降低判断工件质量的准确性。

因此，本发明所要解决的问题在于，提供可使层叠多个电极的电子部件的方向一致的输送装置、输送方法及外观检查装置。

本发明的一个实施方式的输送装置为输送层叠有多个电极的电子部件的输送装置，

包括：输送所述电子部件的第一输送路径；

从所述第一输送路径借助高度差被配置在下方并且输送由所述第一输送路径输送的所述电子部件的第二输送路径；以及

在所述第二输送路径生成磁场的磁场生成部。

所述第二输送路径的输送面可包括：用于向规定方向输送所述电子部件的两个平坦面，；以及齐平并连续所述两个平坦面之间的曲面。

还可包括第三输送路径，所述第三输送路径配置于所述第二输送路径的下方，具有抑制所述电子部件的旋转的两个平坦面，输送由所述第二输送路径输送的所述电子部件，所述第一输送路径的输送面可具有抑制所述电子部件的旋转的两个平坦面。

所述第一输送路径、所述第二输送路径及所述第三输送路径可以是弱磁体，

所述磁场生成部在所述第一输送路径、所述第二输送路径以及所述第三输送路径中生成所述磁场，由所述磁场生成部生成的所述磁场的方向可以为相对于形成所述第一输送路径、所述第二输送路径及所述第三输送路径的所述两个平坦面的面方向倾斜60度至90度的方向。

所述磁场生成部可包括电磁体或永磁体。

本发明一实施方式的输送方法为用于输送层叠有多个电极的电子部件的输送方法，其中，包括：

通过第一输送路径输送所述电子部件的第一输送步骤；

通过从所述第一输送路径借助高度差被配置在下方的第二输送路径，输送由所述第一输送路径输送的所述电子部件的第二输送步骤；以及

在所述第二输送路径生成磁场的磁场生成步骤。

本发明一实施方式的外观检查装置为检查层叠有多个电极的电子部件的外观的外观检查装置，其中，包括：

第一输送路径，其输送所述电子部件；

第二输送路径，其从所述第一输送路径借助高度差被配置在下方，输送由所述第一输送路径输送的所述电子部件，并且是磁体；

磁场生成部，其在所述第二输送路径生成磁场；

旋转自如的输送台，其输送通过所述第二输送路径移载并被放置在输送圆弧上的所述电子部件；以及

拍摄部，其拍摄所述输送台上的所述电子部件。

附图说明

图1为以工件为对象的工件的外观检查装置的俯视图。

图2为示出图1的区域s的放大俯视图。

图3为从箭头y方向观察图1的区域s的透视图。

图4为层叠电容器的角柱形基础芯片的剖视图。

图5为示出输送装置的详细结构的立体图。

图6为示出工件的旋转原理的说明图。

图7为第一输送路径的剖视图。

图8为示意性地示出第一输送路径、第二输送路径及第三输送路径的输送面的底部的截面的图。

图9为第二输送路径的边界面附近的剖视图。

图10(a)～(d)为示出在第二输送路径产生的旋转力矩的一个例子的图。

图11为第三输送路径的剖视图。

图12为示出借助离心力使层叠电容器的角柱形基础芯片旋转的状态的图。

附图标记说明

1：输送装置2：输送台

6：带电部20：拍摄部

30：外观检查装置40：磁场生成部

100：第一输送路径102：第二输送路径

104：第三输送路径

具体实施方式

以下，参照附图详细说明根据本发明的实施方式的外观检查装置30。此外，以下的实施方式作为本发明的实施方式的一例，不应被解释为受限于这些实施方式。并且，在本实施方式中参照的附图中，具有相同的部分或者相同的功能的部分赋予了相同的符号或类似的符号，在某些情况下可以省略其重复的说明。并且，为了便于说明，附图的尺寸比率可以与实际比率不同，或者可以从附图中省略一些结构。

首先，基于图1至图3来说明一个实施方式的外观检查装置30的整体结构。图1为以工件w为对象的工件的外观检查装置的俯视图，图2为图1的虚线区域s的放大俯视图，图3为从箭头y方向观察图1的区域s的透视图。

如图1至图3所示，外观检查装置30是用于检查工件w的外观的装置，并且包括输送装置(线性送料器)1、输送台2、线性前端部4、带电部6、引导件7、侧面摄像头部8、内面摄像头部9、上面摄像头部10、下面摄像头部11、前面摄像头部12、后面摄像头部13、排出部14。并且，拍摄部20由侧面摄像头部8、内面摄像头部9、上面摄像头部10、下面摄像头部11、前面摄像头部12、后面摄像头部13构成。并且，排列部21由线性前端部4、引导件7构成。

输送装置1借助磁力来使层叠有多个电极的工件w的层叠方向的方向一致，并向箭头n的方向输送。如图3所示，该输送装置1的输送面向输送台2向斜下方倾斜。输送面通过驱动源振动，从位于上游侧的送料器投入到输送面的工件w通过输送面的振动向斜下方的输送台2输送。稍后将说明输送装置1的详细结构。

输送台2例如是水平设置的透明玻璃，以旋转轴3为中心向箭头x的方向旋转。工件w由输送装置1移载到输送台2。工件w沿着以图1中点划线所示的旋转轴3为中心的工件输送圆弧5输送。

线性前端部4与输送装置1的输送出口连接。线性前端部4的输送面的倾斜与输送装置1的输送面的倾斜同等。由此，工件w从输送装置1经由线性前端部4的移载点4x被移载到输送台2。

这样，工件w以输送装置1及线性前端部4的输送方向和输送台2输送方向都成为工件w的长度方向的方式被放置于输送台2。然后，与输送台2的上面接触的工件w的一面通过未图示的保持装置吸附于输送台2的上面。由此，工件w在其姿势固定的状态下，借助输送台2的旋转来被输送。

引导件7设置于线性前端部4的下游侧，使工件w排列在工件输送圆弧5。引导件7具有与工件输送圆弧5相接的直线形状的引导件表面7a，通过使工件w沿着引导件表面7a前进来使工件w排列在工件输送圆弧5。更具体地，如图2所示，引导件表面7a以如下的方式设置：当连接移载点4x与旋转轴3的直线为虚线k时，使得由引导件表面7a与虚线k形成的角α是锐角，并且使引导件表面7a成为汇合点7x处的工件输送圆弧5的切线。即，当由虚线l表示连接汇合点7x和输送台2的旋转轴3的直线时，虚线l与引导件表面7a的角β为90°。

由此，在图2中的区间p工件w在吸附于输送台2的上面的状态下，通过输送台2的旋转将工件w以w2→w3→w4被加速到输送速度，并且在区间q工件的间隔例如在w4与w5之间变大。然后，与区间p相同地，工件w5边被引导件表面7a推压边被输送，并且逐渐靠近工件输送圆弧5。然后，到达引导件表面7a与工件输送圆弧5相接的汇合点7x的工件w6的输送方向在区间r中与工件输送圆弧5的方向一致，工件w6朝向远离引导件表面7a的方向沿着工件输送圆弧5被输送。

图1所示的侧面摄像头部8拍摄工件w的一侧的侧面，内面摄像头部9拍摄工件w的另一侧的侧面。上面摄像头部10拍摄工件w的上面，下面摄像头部11拍摄工件w的下面，前面摄像头部12拍摄工件w的前面，后面摄像头部13拍摄工件w的后面。像这样，工件w的六个面由侧面摄像头部8、内面摄像头部9、上面摄像头部10、下面摄像头部11、前面摄像头部12及后面摄像头部13拍摄。

相对于拍摄部20，排出部14设置于输送台2的旋转方向的下游侧。排出部14根据工件w的外观检查结果，将工件w排出到收纳箱。

图3所示的磁场生成部40设置于输送装置1。此外，稍后将说明磁场生成部40的细节。并且，在图1及图2中，省略了对磁场生成部40的描述。

图4为层叠电容器中的角柱形基础芯片的剖视图。如图4所示，根据本实施方式的工件w例如是层叠电容器的角柱形的基础芯片。在层叠电容器中的角柱形的基础芯片中，薄膜形状的电极200与电介体202交互层叠。电极200是例如镍等的强磁体。这些电极200与电介体202沿着各薄膜的法线方向交互层叠。

在图4中，层叠方向为z，各薄膜的面方向为xy平面。

在层叠电容器中，例如100～1000个电极200通过电介体202层叠。在这种层叠电容器的制造过程中，例如电极200的片和电介体202的片交互层叠，并通过施加压力来与电介体块一体而成。然后，将一体而成的电介体的块切割成具有规定大小的基础芯片。

在这种基础芯片的制造过程中，形成切割面204、切割面206、层叠压面208、层叠压面210。即，切割面204和206为将电介体块(衬垫)切割成芯片形状时的切割表面。切割面204及切割面206分别为平坦面。

层叠压面208为当通过施加压力与电介体块一体而成的时的按压面。层叠压面208及层叠压面210分别为与外侧相比中央部分膨胀。此外，例如在称为0402尺寸的层叠电容器中，成品层叠电容器的大小为长度为0.4毫米、宽度为0.2毫米、厚度为0.2毫米的角柱形状。并且，例如在被称为3225尺寸的层叠电容器中，成品层叠电容器的大小为长度为3.2毫米、宽度为2.5毫米、厚度为2.5毫米的角柱形状。此外，在本实施方式中，封装基础芯片的成品的层叠电容器也可以用作是检查对象，而不是基础芯片。

图5为示出输送装置1的详细结构的立体图。如图5所示，输送装置1包括磁场生成部40、第一输送路径100、第二输送路径102、第三输送路径104。

磁场生成部40包括电磁体或永磁体，所述电磁体或永磁体以从输送面隔开规定距离的方式配置。所述磁场生成部40在第一输送路径100、第二输送路径102及第三输送路径104生成磁场。由磁场生成部40生成的磁场的方向，即磁力线的方向相对于第一输送路径100、第二输送路径102及第三输送路径104各自具有的两个平坦面内的一侧的面的方向为60～90度。

如上所述，第一输送路径100将由位于上游侧的送料器投入的工件w放置在输送面，并通过振动输送面来输送工件w。所述第一输送路径100的输送面包括用于抑制电子部件的旋转的两个平坦面106、108。这些两个平坦面106、108相对于基准面的面方向各自具有例如45度的倾斜度，并用作工件w的二面引导件。其中，基准面是放置有输送装置1的基底的表面。并且，第一输送路径100是例如奥氏体不锈钢、铝合金等的顺磁性体，并且通过由磁场产生部分40生成的磁场在输送面上形成磁极。由此，第一输送路径100的输送面具有将工件w保持为不影响工件w的输送速度的程度的保持功能。这里的顺磁性体是指在没有外部磁场时不具有磁化的磁性体，并且在施加磁场时在该方向上被磁化。

第二输送路径102从第一输送路径100借助高度差被设置于下方，输送由第一输送路径100输送的工件w。即，在第一输送路径100与第二输送路径102之间的边界面110存在高度差。该第二输送路径102的输送面包括：向规定方向输送电子部件的两个平坦面112、114，；以及齐平并连续两个平坦面112、114之间的曲面116。这些两个平坦面112、114相对于基准面的面方向各自具有例如45度的倾斜。曲面116例如经过r加工处理。并且，第二输送路径102与第一输送路径100相同，是例如奥氏体不锈钢、铝合金等的顺磁性体，并且通过由磁场产生部分40生成的磁场在输送面上形成磁极。由此，第二输送路径102的输送面具有将工件w保持为不影响工件w的输送速度的程度的保持功能，并且产生使工件w内的电极200的方向与规定方向一致的磁力。

第三输送路径104从第二输送路径102借助高度差被配置在下方，用于输送由第二输送路径102输送的工件w。即，第二输送路径102与第二输送路径104之间的边界面118存在高度差。所述第二输送路径102的输送面包括用于抑制电子部件的旋转的两个平坦面120、122。这些两个平坦面120、122相对于基准面的面方向各自具有例如45度的倾斜，并用作工件w的二面引导件。此外，可以使第二输送路径102的输送面平缓地变形，并且可以连续地与第三输送路径104的输送面相连接。

并且，第三输送路径104与第一输送路径100相同，是例如奥氏体不锈钢、铝合金等的顺磁性体，并且通过由磁场产生部分40生成的磁场在输送面上形成磁极。由此，第三输送路径104的输送面具有将工件w保持为不影响工件w的输送速度的程度的保持功能。由此，第三输送路径104的输送面产生使工件w内的电极200的方向与规定方向一致的磁力。并且，第一输送路径100、第二输送路径102及第三输送路径104的输送面加工成镜面，并进行例如类金刚石dlc(diamond-likecarbon)处理等的低摩擦处理。由于所述dlc处理不阻碍磁场的产生，因而适用于第一输送路径100、第二输送路径102及第三输送路径104的输送面的低摩擦处理。此外，第一输送路径100、第二输送路径102及第三输送路径104的材料可以是例如塑料等的不被磁体吸附的非磁性材料。

接下来，参照图6至图11说明使用由上述结构构成的工件w的输送装置1的工件w的旋转。

图6为示出工件的旋转原理的说明图。如图6所示，放置于磁场内的工件w的电极通过磁场的作用而被极化。当磁力线的方向为从磁场生成部40朝向工件w的方向时，在工件w内的平板形状的电极200，在靠近磁场生成部40的一侧生成s极，在远离磁场生成部40的一侧生成n极。即，相对于磁场生成部40的吸引力作用在靠近平板形状的电极200磁场生成部40的一端，相对于磁场生成部40的排斥力作用在远离平板形状的电极200的磁场生成部40的另一端。通过这些磁力，在平板形状的电极200产生旋转力矩，电极200的层叠方向与磁力线正交。像这样，在由磁场生成部40生成的磁场内，磁力线和电极200的堆叠方向正交的状态是稳定状态。此外，相同地，即使磁力线的方向相反，磁力也起到使电极200的层叠方向与磁力线正交的作用。

图7为第一输送路径100的剖视图。在图7中，示出了工件w内的电极200的层叠方向基本上与磁力线的方向平行的例子。在这种情况下，工件w以工件w的层叠压面210或层叠压面208的中央部为支点，通过驱动源的振动来一边被摇动一边被输送。例如，即使因振动而施加逆时针转动的旋转力矩，由于工件w的切割面206与平坦面106相接触，因而防止工件w的旋转。相反地，即使因对工件w的振动而施加顺时针转动的旋转力矩，由于工件w的层叠压面210与平坦面108相接触，因而也防止工件w的旋转。因此，在第一输送路径100中，工件w以几乎不旋转的状态被输送。

另一方面，在工件w的电极200の层叠方向与磁力线正交的情况下，出于同样的原因，防止在第一输送路径100内的工件w的旋转。像这样，无论工件w以何种方向被第一输送路径100输送，工件w都以维持其方向的方式被输送到与第二输送路径100之间的高度差。

图8为示意性地示出图5中的第一输送路径100、第二输送路径102及第三输送路径104的截面的图。在这里，由磁场生成部40生成的磁力线由点划线示出。图8示出磁场生成部40的下侧，即靠近输送面的一侧为n极的例子。

如图8所示，当由第一输送路径100输送的工件w越过边界面110时，工件w借助高度差悬浮在空中后，被放置于第二输送路径102的输送面。可以看出，通过由磁力引起的旋转力矩，悬浮在空中的工件w向磁力线和电极200的层叠方向正交的方向旋转。因此，如图7所示，工件w的电极200的层叠方向与磁力线基本平行的工件w也向工件w的电极200的层叠方向与磁力线正交的方向旋转。另一方面，工件w的电极200的层叠方向与磁力线正交的工件w通过磁力在维持电极200的层叠方向与磁力线正交的状态下，被放置于第二输送路径102的输送面。

图9为第二输送路径102的边界面110附近的剖视图。如上所述，第二输送路径102的输送面包括低摩擦加工的法线方向不同的的两个平坦面112、114和齐平并连续两个平坦面112、114之间的曲面116。因此，在第二输送路径102中，工件w通过由磁场产生的旋转力矩自由旋转。

图10为示出在第二输送路径102产生的旋转力矩的例子的图。当工件w在空中悬浮时，工件w的方向以电极200的层叠面与磁力线平行的方式旋转。

另一方面，还存在电极200的层叠面与磁力线不平行的工件w。在这种工件w，在电极200的层叠面与磁力线平行的方向上产生由磁场引起的旋转力矩。

图10(a)为示出工件w的电极200的层叠方向相对于磁力线倾斜并产生逆时针旋转的旋转力矩的例子的图。即，在图10(a)示出的例子中，向磁场生成部40的方向的吸引力作用于工件w的切割面206侧产生的磁极，向磁场生成部40的方向的排斥力作用于切割面204侧产生的磁极，因而在工件w产生逆时针旋转的旋转力矩。

图10(b)为示出工件w的电极200的层叠方向相对于磁力线倾斜并产生顺时针旋转的旋转力矩的例子的图。即，在图10(b)示出的例子中，向磁场生成部40的方向的吸引力作用于工件w的切割面206侧产生的磁极，向磁场生成部40的方向的排斥力作用于切割面204侧产生的磁极，因而在工件w产生顺时针旋转的旋转力矩。像这样，在工件w的电极200的层叠方向相对于磁力线倾斜的情况下，产生旋转力矩，使得工件内的电极200的层叠方向与磁力线正交。

另一方面，图10(c)为示出工件w的电极200的层叠面与磁场生成部40的磁力线平行的例子的图，并且不产生旋转力矩。如上所述，图10(c)示出的状态为最稳定的状态。即，在图10(a)及图10(b)示出的工件w成为图10(c)的状态时停止旋转。并且，在工件w由于振动部的振动而摇动的情况下，也产生由磁场引起的旋转力矩，使得回到图10(c)中示出的状态。像这样，当工件w的电极200的层叠面与磁场生成部40的磁力线平行时，由磁场生成部40生成的磁场及由第二输送路径102生成的磁场起到保持电极200的方向的作用。

图10(d)为示出工件w的电极200的层叠面与磁场生成部40的磁力线垂直的例子的图。在这个例子中，工件w的切割面204侧的电极200的端部与磁场生成部40的距离同等于切割面206侧的电极200的端部与磁场生成部40的距离，因此不产生旋转力矩。然而，这是不稳定的状态，工件w向摇动时的旋转方向旋转，直到工件w达到图10(c)中示出的状态。

像这样，由磁场生成部40生成的磁场旋转工件w，使得第二输送路径102的输送面上的工件w的电极200的层叠面与磁场生成部40的磁力线平行。由此，在电极200的方向一致的状态下，工件w被移载到第三输送路径104。

图11为第三输送路径104的剖视图。从第二输送路径102移载到第三输送路径104的工件w的方向以使电极200的层叠面与磁场生成部40的磁力线平行的方式一致。另一方面，由于某种因素而方向不一致的工件w可通过当从第二输送路径102被移载到第三输送路径104时的高度差，并根据上述图10(a)～图10(d)中说明的原理，来使方向一致。

在第三输送路径104中，由于使工件w的电极200的层叠面与磁力线平行的方向一致，因而切割面204或切割面206(图4)与平坦面122相接触。因而，由振动引起的工件w的摇动被平坦面122抑制。并且，在因振动而产生工件w的摇动的情况下，磁场也起到作用，使得工件w的电极200的层叠面与磁力线平行。并且，平坦面120限制工件w的旋转。像这样，在第三输送路径104，在由磁场生成部40及第三输送路径104的输送面生成的磁场起到维持工件w的方向的作用的同时，平坦面120及平坦面122用作二面引导件。由此，在维持工件w的方向的状态下，第三输送路径104将工件w移载到线性前端部4。然后，线性前端部4以工件w的切割面204或切割面206(图4)与输送台2(图1)相接触的方式移载工件w。

更具体地，上述线性前端部4与输送装置1的第三输送路径104相连接。上述线性前端部4的输送面具有法线方向不同的两个平坦面。例如，构成为线性前端部4的一侧的平坦面连续地与平坦面120相连接，并随着向下游而变得垂直，线性前端部4的另一侧的平坦面连续地与平坦面122相连接，并随着向下游而变得水平。由此，以工件w的切割面204或切割面206(图4)与输送台2(图1)相接触的方式移载。

像这样，具有高平面度的层叠电容器的切割面204或切割面206以与输送台2接触的方式被移载，因此，工件w在输送台2上的姿势稳定。并且，输送台2上的工件w的方向是一致的，因此拍摄部20可从同一方向拍摄工件w的侧面和上面、下面。由此，可提高判断工件w质量的准确性。

此外，根据在工件w内层叠的电极的数量和电极的尺寸，作用于工件w的力矩的大小不同，因此希望针对每种类型的工件w优化磁场生成部的位置。

如上所述，根据本实施方式的外观检查装置30，从第一输送路径100借助高度差在下方配置第二输送路径102，并且在输送堆叠有电极200的工件w的第二传送路径102生成磁场。由此，在工件w因高度差滞留在空中的期间，可使工件w向工件w的电极200的层叠方向与磁力线正交的方向旋转。

此外，上述实施方式可以总结为以下技术方案。

技术方案1

一种输送装置，输送层叠有多个电极的电子部件，包括：

第一输送路径，其输送所述电子部件；

第二输送路径，其从所述第一输送路径借助高度差被配置在下方，输送由所述第一输送路径输送的所述电子部件；

磁场生成部，其在所述第二输送路径生成磁场。

技术方案2

根据技术方案1所述输送装置，其中，所述第二输送路径的输送面包括：两个平坦面，其向规定方向输送所述电子部件；以及曲面，其齐平并连续所述两个平坦面之间。

技术方案3

根据技术方案1或2所述输送装置，其中，还包括第三输送路径，所述第三输送路径配置于所述第二输送路径的下方，具有抑制所述电子部件的旋转的两个平坦面，输送由所述第二输送路径输送的所述电子部件，

所述第一输送路径的输送面具有抑制所述电子部件的旋转的两个平坦面。

技术方案4

根据技术方案3所述输送装置，其中，

所述第一输送路径、所述第二输送路径以及所述第三输送路径为顺磁性体，

所述磁场生成部在所述第一输送路径、所述第二输送路径以及所述第三输送路径生成所述磁场，由所述磁场生成部生成的所述磁场的方向为相对于形成所述第一输送路径、所述第二输送路径以及所述第三输送路径的所述两个平坦面的面方向倾斜60度至90度的方向。

技术方案5

根据技术方案3或4所述输送装置，其中，在所述第一输送路径、所述第二输送路径以及所述第三输送路径的输送面进行了低摩擦处理。

技术方案6

根据技术方案1至5中任一项所述输送装置，其中，磁场生成部具有从所述第二输送路径隔开规定距离配置的电磁体或永磁体。

技术方案7

一种输送方法，输送层叠有多个电极的电子部件，包括：

通过第一输送路径输送所述电子部件的第一输送步骤；

通过从所述第一输送路径借助高度差被配置在下方的第二输送路径，输送由所述第一输送路径输送的所述电子部件的第二输送步骤；以及

在所述第二输送路径生成磁场的磁场生成步骤。

技术方案8

一种外观检查装置，检查层叠多个电极的电子部件的外观，包括：

第一输送路径，其输送所述电子部件；

第二输送路径，其从所述第一输送路径借助高度差被配置在下方，输送由所述第一输送路径输送的所述电子部件，并且是磁体；

磁场生成部，其在所述第二输送路径生成磁场；

旋转自如的输送台，其输送通过所述第二输送路径移载并被放置在输送圆弧上的所述电子部件；以及

拍摄部，其拍摄所述输送台上的所述电子部件。

以上，说明了本发明的若干实施方式，这些实施方式是作为示例提出的，并不旨在限制本发明的范围。这些新颖的实施方式可以以各种其他方式实现，并且在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各种省略，替换和变更。这些实施方式及其变形例包含在本发明的范围和主旨内，同时涵盖于发明要求保护范围所记载的发明及其等同范围内。