一种电阻式应变传感器的制作方法

本实用新型属于应变传感器设计技术领域，具体涉及一种能够精确测量较大量程范围的具有曲线形电阻结构的电阻式应变传感器。

背景技术：

物体的应变是一个非常重要的几何参数，其准确的测量具有十分重要的意义。应变传感器是用于测量物体受力变形所产生的应变的一种传感器。电阻应变片则是其最常采用的传感元件。它是一种能将机械构件上应变的变化转换为电阻变化的传感元件。应变传感器的种类较多，按原理分，有电阻式的、电容式的、压电式的、电感式的和光学式的等等。电阻式应变传感器，其电阻材料又可分为金属、半导体、溶液、导电聚合物、石墨等等。

在测试时，将应变片用粘合剂牢固地粘贴在待测物的表面上，随着试件受力变形，应变片的敏感栅也获得同样的变形，从而使其电阻随之发生变化，而此电阻变化是与试件应变成比例的，因此如果通过一定测量线路将这种电阻变化转换为电压或电流变化，然后再用显示记录仪表将其显示记录下来，就能知道待测物应变量的大小。

目前使用的电阻式应变传感器以金属电阻的应用最为广泛，然而由于金属拉伸率的限制，所测应变范围也比较小。例如康铜，一般只能保证测量2％以内的应变是可信的。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种能够精确测量较大量程范围的具有曲线形电阻结构的电阻式应变传感器。

为了达到上述目的，本实用新型的具体技术方案如下：

一种电阻式应变传感器，包括：应变电阻和基底，所述应变电阻固定在所述基底上，所述基底由绝缘材料制成，为曲线形结构，所述应变电阻的中轴线位于所述基底的中轴线的一侧，实现所述电阻式应变传感器的量程的增大。

进一步地，所述基底的宽度为所述应变电阻宽度的2倍或2倍以上。

所述曲线形结构为圆弧、椭圆弧、正弦曲线中的一种或几种的组合结构。

进一步地，还包括连接段，所述曲线形结构包括一个或多个，多个所述曲线形结构通过所述连接段相互连接，相互连接的多个所述曲线形结构的首尾两端分别设有与待测物相连的粘贴端；

所述应变传感器被拉伸前后，所述连接段的平均曲率变化量小于所述曲线形结构的平均曲率变化量。

进一步地，所述连接段上的应变电阻的阻值小于所述曲线形结构上的应变电阻的阻值。

进一步地，多个所述曲线形结构并列设置，其端部共同连接至一个所述粘贴端。

进一步地，还包括基底限位带，限制所述曲线形结构保持在预设长度状态。

进一步地，所述基底限位带与一个或多个所述曲线形结构并列设置，其端部共同连接至一个所述粘贴端。

进一步地，所述基底限位带的结构为直线形，其长度与所述曲线形结构两端的粘贴端之间的间距相等。

进一步地，所述基底限位带的结构为曲线形，其最大伸长量小于所述曲线形结构的最大伸长量，协助检测待测试件的压应变。

进一步地，还包括封装薄膜，所述封装薄膜包覆在所述电阻式应变传感器上。

本实用新型提供的电阻式应变传感器，其基底为曲线形结构，进而限定了其上应变电阻的结构也为曲线形结构，相比常见的金属箔式电阻应变片，本方案所提供的应变传感器的量程设计范围可以从百分之几到百分之几千，可以有效解决金属箔线由于拉伸率的限制而可信量程较小的问题。同时，设置应变电阻的中轴线位于基底中轴线的一侧，能够有效保证应变传感器测量的灵敏性，进而保证测量结果的准确性。

附图说明

图1a是本实用新型提供的一种电阻式应变传感器的结构示意图；

图1b是图1a左上角的局部放大图；

图2a是本实用新型提供的另一种电阻式应变传感器的结构示意图；

图2b是图2a左上角的局部放大图；

图3是本实用新型提供的又一种结构的电阻式应变传感器结构示意图；

图4是本实用新型提供的基底的弧线段的弧度大于π小于2π的电阻式应变传感器结构示意图；

图5是基底上的弧线段的曲率不等的结构示意图；

图6是基底中相邻弧线段的开口方向相同的结构示意图；

图7是基底中的曲线段为椭圆弧的电阻式应变传感器的结构示意图；

图8a是基底中的弧线段的弧度小于π的结构示意图；

图8b是图8a左端的局部放大图；

图9a是应变电阻位于基底的易弯曲段曲率外侧的结构示意图；

图9b是图9a左上角的局部放大图；

图10是设有直线形基底限位带的电阻式应变传感器的结构示意图；

图11是设有曲线形基底限位带的电阻式应变传感器的结构示意图；

图12是实施例1中所示电阻式应变传感器的结构示意图；

图13a是实施例2中所示电阻式应变传感器的结构示意图；

图13b是图13a左上角的局部放大图；

图13c是测试性能时的位移加载曲线；

图13d是位移加载时万用表实时测得的电阻-时间曲线；

图13e是将图13e中10个周期的曲线移在一起的曲线；

图13f是将图13f转换成电阻变化率-应变曲线；

1.基底，2.应变电阻，3.粘贴端，4.连接段，5.直线形基底限位带，6.曲线形基底限位带。

具体实施方式

通过参考示范性实施例阐明本实用新型技术问题、技术方案和优点。然而，本实用新型并不受限于以下所公开的示范性实施例，可以通过不同形式来对其加以实现。

以下内容中所说的量程即为应变电阻达到其可正常使用的最大应变时应变传感器的拉伸率。

一种电阻式应变传感器，如图1a和1b所示，其中图1b为图1a的左上角局部放大图，主要由应变电阻2和基底1构成，应变电阻2固定在基底1上，基底1与待测试件连接或者直接粘贴在待测试件上，应变电阻2和基底随同待测试件一起产生变形，在变形的同时应变电阻的阻值随之发生变化，变化的电阻经电路处理后以电信号的形式输出，被测得，最终根据应变传感器上标定的电阻与应变之间关系得到待测试件的应变值。

本方案中，应变传感器的基底由绝缘材料制成，为曲线形结构，而曲线形结构的基底能够决定其上的应变电阻的结构也为曲线形，相比目前普遍使用的薄片式应变传感器，能够有效增大应变传感器的量程。实测，本实用新型提供的应变传感器的有效量程能够从百分之几到百分之几千。而位于其上的应变电阻，其中轴线位于基底中轴线的一侧，能够保证应变传感器测量的灵敏性。而跨过基底中轴线的应变电阻，在形变过程中，其电阻变化极小，不易捕捉，不利于提高应变传感器的测量精度。其中，应变电阻可以位于基底曲线结构的曲率外侧，也可以位于曲线结构的曲率内侧，如图9a和9b所示，位于基底曲率外侧。

本实用新型的一种实施方式中，为了提高测量精度以及灵敏系数，优选基底的宽度至少为其上应变电阻宽度的2倍。当应变电阻的宽度大于基底宽度的一半时，则应变电阻的一部分区域会越过基底的中轴线，此时，应变电阻对称位于基底中轴线两侧的部分上的电阻由于部分受拉应变，电阻增加，部分受压应变，电阻减小，其上的部分电阻变化会正负抵消，导致应变电阻的实际有效电阻变化的测量值变小，进而导致外部测量电路测出电阻变化值较小，于是会造成应变结果精度较小，误差较大。因此，根据本方案提供的应变传感器，基底的宽度至少为其上应变电阻宽度的2倍，以保证应变测量的精度。本方案中，更优选基底宽度为其上应变电阻宽度的6倍或6倍以上，这样能够保证应变传感器在测量过程中能够获取的较好的灵敏性以及极佳的测量精度。

本实用新型的一种实施方式中，为了简化计算过程，优选曲线形结构为圆弧、椭圆弧、正弦曲线或余弦曲线中的一种或几种的组合结构，对于变化较为规律的圆弧、椭圆弧或者正弦曲线，在预测电阻变化值与应变之间的关系过程中相对较为容易。当然，本方案不限于上述列举的几种曲线形结构，也可以选用变化较为不规律的不对称的曲线结构。

本实用新型的一种实施方式中，其中的曲线形结构可以认为是单独的一个圆弧、椭圆弧或者正弦曲线，也可以根据实际待测试件的长度设置加长型的大尺寸曲线形结构，由两个或两个以上的圆弧或椭圆弧或正弦曲线首尾连接构成大尺寸曲线形结构，或者也可以由圆弧、椭圆弧或者正弦曲线中的两种或者多种分别首尾连接，构成大尺寸曲线形结构，满足实际待测试件的长度需求。当然，多个曲线形结构设置时，可以首尾相连构成加长型的大尺寸曲线形结构，也可以将多个曲线形结构并列设置，其首尾端通过同一个粘贴端共同连接至待测试件。

如图1a和2a结构基本近似，均为多个半圆形弧线首尾连接构成的曲线形结构，相邻两个半圆形弧线的开口相反，图1b和图2b分别为图1a和图2a的局部放大图。图3为多个小于1/2圆弧首尾连接构成的曲线形结构，而图4为3/4圆弧首尾相连，相邻圆弧开口相反。图5为单独一个圆弧设置成两列对称设置，图6为多个半圆弧并列依次首尾连接构成的单列曲线形结构；图7为多个椭圆弧依次首尾连接构成的两列对称结构，相邻两个椭圆弧的开口相反。而图8a、图9a和图3类似，为多个弧线段首尾相连构成的单列曲线形结构，图8b为图8a的局部放大图，图9b为图9a的局部放大图。其中的图1a、2a、图3、图4、图6、图7、图8a、图9a、图10、图11和图12均为加长型的大尺寸曲线形结构，而图5可以认为是两个曲线形结构单体的对称结构。如图6和图8a为单列设置的多个曲线形结构首尾连接构成的加长型大尺寸曲线形结构，而其余附图中的应变传感器的曲线结构均为两列别列设置的结构。当然，也可以并列设置三列、四列或者更多列结构。上述附图仅为本实用新型提供的部分曲线结构。

在设置半圆形弧线的半径时，基本依据为基底的曲线半径与基底1的宽度比值越大，则应变传感器的量程越大，根据预设量程设置曲线半径。曲线形结构中的曲线半径可以相等也可以不相等，当设置的多个曲线半径相等时，预先的计算会更容易。如果设置曲线形结构中的多个曲线半径不相等，则在数值计算上会相对比较复杂，且会降低测量的灵敏系数。

本实用新型的一种实施方式中，由于相邻两个曲线形结构在首尾连接之后，连接处的电阻值变化比较复杂，为了减小连接处应变电阻的电阻值对于曲线形结构上的应变电阻的电阻值变化的影响，以避免灵敏系数过度减小，同时进一步增加应变传感器的量程，优选在连接处设置连接段，在应变传感器被拉伸前后，该连接段的平均曲率变化量小于曲线形结构的平均曲率变化量。优选该连接段上的应变电阻的阻值小于曲线形结构上的应变电阻的阻值。

优选连接段为直线段，其结构简单，量程易于设计。如图1至图3，图8至图12所示，各附图中连接段均为直线形，当连接段上应变电阻的阻值足够小时，在实际测量和计算过程中则可以忽略该部分电阻的影响，提高灵敏系数。当然，当连接段上的电阻值越小则对于本应变传感器的灵敏性越有利。具体设置时，连接段4上应变电阻的阻值应远小于曲线段上应变电阻的阻值，由于直线段的变形较小，电阻变化较小，若它的电阻较大，会降低整个传感器的灵敏系数。所以，设置位于连接段4上的应变电阻的宽度远大于曲线部分基底1上应变电阻的宽度，实测，应变传感器能够达到理想灵敏度，需要连接段4上应变电阻的阻值与曲线部分基底1上应变电阻的阻值相差至少一个数量级，同时需要设置连接段上的应变电阻宽度与该部分基底1的宽度相等或者略小于其宽度。

本实用新型的一种实施方式中，还包括用于限制曲线形结构或者大尺寸曲线形结构保持在预设长度状态的基底限位带。在具体设置时，可以将上述基底限位带与多个曲线形结构或大尺寸曲线形结构并列设置。该基底限位带根据使用要求的不同，其形状结构也不同。比如，可以设置成直线形结构，只用于限制应变传感器在被使用前不会被随意拉伸，保证应变传感器的测量精度。或者可以设置成曲线形，进而能够同时检测待测试件的拉应变和压应变。

如图10所示，该基底限位带的结构为直线形，其长度与两侧的曲线形结构的原始长度相等。该基底限位带能够防止应变传感器在使用前被随意拉伸而影响其测量精度，基底限位带的两端分别于应变传感器的两端与粘贴端连接。使用时，应变传感器按照原始状态粘贴在待测试件上，之后，开始测试之前，将基底限位线5剪断，即可进行正常测量。或者可以将基底限位线完全剪掉，解除其对应变传感器的限制。

如图11所示，基底限位带的结构为曲线形，在实际测量时，将应变传感器先拉伸到曲线形基底限位带被拉直的程度，这时应变传感器的基底也被拉伸，之后再粘贴到被测试件上，这时被测试件若有压应变，应变传感器也会跟着变形，进而测得待测试件的压应变。

曲线形基底限位带6的最大伸长量根据待测试件的量程设置，粘贴之前先将应变传感器拉伸，使得中间的曲线形基底限位带6伸长至最大位置，之后进行粘贴，粘贴之后将中间的曲线形基底限位带6剪断即可。由于在粘贴时，应变传感器被预拉伸，所以，测量时，既可以测量待测试件的拉应变，也可以测量待测试件的压应变，且测量精度高。

上述实施方式中，如图1a和1b所示，附图中，斜线填充部分为由聚合物材料制成的曲线形结构的基底1，黑色填充部分为应变电阻2，其余结构附图与图1a相同。其中，对于较佳选择为聚酰亚胺、酚醛树脂、环氧树脂中的一种，该三种材料不仅绝缘而且质地柔软，且弹性拉伸率比金属高且不易老化。

上述实施方式中，其中使用的应变电阻的材料优选为康铜或者新康铜，由于康铜和新康铜的电阻率温度系数低，不易受温度影响，所以，在本方案的基础上，使用康铜或者新康铜作为应变电阻的材料，能够有效提高应变传感器的热稳定性。因此，本实施方式提供的电阻式应变传感器具有较大量程的同时，还具有良好的热稳定性，不易受环境温度影响。实测显示，使用康铜或新康铜作为应变电阻材料，每一摄氏度的外界温度变化，仅影响应变传感器产生十万分之一量级的电阻变化率。

当然，应变电阻的材料还可以选用常规的镍铬合金、镍铬铝合金、铁铬铝合金、铂、铂钨合金中的一种。或者也可以选用半导体单晶硅或石墨烯。而其中的半导体单晶硅和石墨烯的敏感系数高，有助于在测量过程中提高测量精度；而铂和铂钨合金化学稳定性高，能够提高应变电阻的使用寿命。

本实用新型的一种实施方式中，根据应变传感器的使用环境的不同，还可以在应变传感器外部设置用于保护应变传感器的封装薄膜。当应变传感器的使用环境相对比较封闭时，可以不需要进行表面封装。而当应变传感器的使用环境受到外界因素影响较多或较大时，需要对应变电阻进行保护，此时可以在应变传感器的外表面包覆封装薄膜。当使用的应变传感器需要封装时，可以将应变传感器的两端粘贴在待测试件上进行测试，也可以直接将封装后的应变传感器整体粘贴在待测试件上进行测试。因为封装后应变传感器的曲线形基底及应变电阻不会和被测试件的表面严格固结。若被测物表面较软，则也可以直接将未封装弹性薄膜的应变传感器整体粘贴在待测物上进行测试。为了不影响测量精度，优选该封装薄膜为弹性封装薄膜。该弹性封装薄膜可以使用普通橡胶制备，或者也可以采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)和Ecoflex系列硅橡胶，而该两种材料具有高绝缘性、高弹性、高拉伸率、低弹性模量的性能，弹性恢复能力好，不会影响应变传感器的稳定性。当然，根据实际测量需要的不同，也可以使用其它的硅胶或橡胶材料。

本实用新型提供的电阻式应变传感器可以通过以下方法制得：首先使用有限元软件模拟所述应变传感器的模型结构，得到所述应变传感器的量程；其次，根据实际测量需求，对所述量程进调节，当所述量程比预设量程偏小时，通过改变所述基底的易弯曲段的曲率半径、减小所述基底的线宽、将位于易弯曲段的应变电阻靠近所述中轴线进而增大所述量程；当所述量程比预设量程偏大时，则可通过相反方法进行调节，直至所述应变传感器达到预设量程；再次，利用箔式电阻应变片制作工艺，根据步骤二中模拟成功的应变传感器模型，制作出整张基底以及曲线形结构的应变电阻，再用激光器按所述曲线形结构切割出所述基底的轮廓。制作整张基底以及曲线形结构的应变电阻时，可以使用腐蚀工艺刻蚀出预设的曲线形结构的应变电阻，或者使用激光剥去轮廓之外的多余金属箔形成预设的曲线形结构的应变电阻图案。最后，焊接引线，封装保护层，封装弹性薄膜，标定传感器的电阻和应变关系。

本实用新型提供的电阻式应变传感器，相比目前常规使用的箔式应变传感器，能够有效提升应变传感器的量程，其量程设计范围可以从百分之几到百分之几千，有效解决了金属箔线由于拉伸率的限制而可信量程较小的问题，同时测量精度高。同时，使用该应变传感器进行多次重复测量，其测量结果均能保持良好的一致性，具有较好的稳定性。

下面通过具体实施例说明本实用新型中电阻式应变传感器的特点。以下实施例中，基底1均采用PI薄膜，应变电阻2为康铜箔线。

实施例1：为图12所示结构的电阻式应变传感器的实施例。

该应变传感器的PI薄膜厚0.26mm，半圆形弧线处PI薄膜宽度为0.2mm，平均半径1.4mm，直线段长6.37mm。康铜箔厚5μm，曲线段的康铜箔线宽为0.03mm，距离PI曲率内侧边缘0.05mm。连接段的康铜箔最宽为0.2mm。应变传感器的两端用于粘贴被测物的PI薄膜长度为3.1mm，宽为2.0mm。

保守预测可信量程达到50％(按康铜最大应变限制为0.3％计算)。

实施例2：为图13a所示结构的电阻式应变传感器的实施例，图13b是图13a左上角的局部放大图。

该应变传感器的PI薄膜厚0.06mm，半圆形弧线处PI薄膜宽度为0.18mm，平均半径1.28mm，直线段长0.32mm。康铜箔厚5μm，曲线段的康铜箔线宽为0.03mm，距离PI曲率内侧边缘0.03mm。连接段的康铜箔宽为0.12mm，处于PI薄膜上居中位置。应变传感器的两端用于粘贴被测物的PI薄膜长度为4.16mm，宽为1.7mm。

该电阻式应变传感器最终进行了封装，其封装薄膜为硅橡胶，封装完总厚度2mm，宽约1cm，长约4cm，实验测试时除去夹持段剩下的自由长度为3cm。

实验测得初始电阻值为202.95欧，可信量程达到10％，且精度较好，可以动态稳定工作。

图13c是图13a所示电阻式应变传感器性能测试时的位移加载曲线，位移匀速加载，周期为20s，最大拉伸量为3mm，即10％应变，重复10次。图13d是在图13c所示位移加载时万用表实时测得的电阻-时间曲线，自然状态初始值为202.95欧姆，峰值都稳定在203.81±0.02欧姆，自然状态与10％应变状态电阻的相对变化量为千分之四。

图13e是将图13d中10个周期的曲线移在一起的电阻-时间曲线，从图中可以看出，本实施例提供的电阻式应变传感器，其多次实验结果的重复性较好。图13f是将图13e转换成电阻变化率-应变曲线，从图中可以看出，本实用新型的电阻式应变传感器在拉伸过程和卸载过程中电阻变化重合得很好，没有迟滞效应。此处的迟滞效应指的是应变传感器在一次拉伸释放完成之后，电阻值不能立即恢复到初始值，需要一定的时间恢复。

以上，虽然说明了本实用新型的几个实施方式，但是这些实施方式只是作为例子提出的，并非用于限定本实用新型的范围。对于这些新的实施方式，能够以其他各种方式进行实施，在不脱离本实用新型的要旨的范围内，能够进行各种省略、置换、及变更。这些实施方式和其变形，包含于本实用新型的范围和要旨中的同时，也包含于权利要求书中记载的实用新型及其均等范围内。