一种用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置的制作方法

本发明涉及闪烁体辐射探测技术领域，特别涉及一种用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置。

背景技术：

闪烁体是指受一定能量的射线照射时，能发射红外、可见光或紫外波段光的发光材料。目前，基于闪烁体制作的辐射探测器广泛应用于工业、医疗及基础科研领域，是辐射探测中应用最广泛的方法之一。在闪烁体的研发和基于闪烁体的闪烁体探测器的刻度中，了解材料受照时的发光强度及光子在探测器光电转换器件内的响应程度是一项十分必要的工作。这就需要一种发光光强可调控，且发光参数可知的替代光源对探测器的光响应情况进行刻度。一方面可以为闪烁体提供可靠、稳定的比对，将闪烁体的发光光强参数化，另一方面为人们更加直观地了解闪烁体性能提供技术支持。但目前市场上没有能够满足要求的替代光源。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本发明目的在于提供一种可调式，重复性好，用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置。其采用如下技术方案：

一种用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置，其包括壳体，所述壳体内形成暗室，所述暗室内设有：

pcb板，所述pcb板上设有发光电路，所述发光电路包括输入端、限流电阻和发光二极管，所述输入端与外部脉冲发生器连接，所述限流电阻的第一端与输入端连接，第二端与发光二极管的负极连接，发光二极管的正极接地；

传输光纤，所述传输光纤与外部光强探测器连接；

通过调节脉冲发生器的参数来调节发光二极管的光强，从而对光强探测器进行刻度。

作为本发明的进一步改进，所述发光电路还包括并联设置的滤波电容c1和滤波电容c2，所述滤波电容c1和滤波电容c2的一端与所述输入端连接，另一端接地。

作为本发明的进一步改进，所述滤波电容c1＝100μf，滤波电容c2＝100nf。

作为本发明的进一步改进，所述pcb板与传输光纤之间设有滤波片。

作为本发明的进一步改进，所述暗室内设有固定板，所述滤波片通过螺丝固定于所述固定板上，所述固定板上设有第二光纤孔，所述传输光纤穿过所述第二光纤孔。

作为本发明的进一步改进，所述暗室呈圆柱形，所述pcb板通过螺丝固定于暗室的一端，所述壳体上设有第一光纤孔，所述传输光纤从所述第一光纤孔进入所述暗室的另一端。

作为本发明的进一步改进，所述壳体上设有定位孔，所述定位孔内设有螺丝，所述螺丝的前端设于所述暗室内并与所述传输光纤抵接。

作为本发明的进一步改进，还包括底座，所述壳体通过螺丝与底座固定连接。

作为本发明的进一步改进，所述限流电阻的阻值为1.0kω。

本发明的有益效果：

本发明选择发光二极管作为发光光源，该光源具有光束集中稳定、启动无延时、发热少、亮度可调、工作电压低、重复性好，体积小，易携带，可根据光强探测器敏感光波长范围选择合适的发光二极管。

本发明为发光二极管设计了发光电路，使发光二极管的发光参数可以根据需求可调。在脉冲模式下，根据需求调节脉冲发生器的频率、幅值、占空比、上升时间等参数，从而获取理想的光源或者模拟辐射发光情况，为研发新的闪烁体提供一种标准，有效，可量化的评价手段。并可通过不断改变脉冲发生器参数，控制发光二极管的发光强度，对光强探测器进行刻度。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是本发明实施例中用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置的整体结构示意图一；

图2是本发明实施例中用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置的整体结构示意图二；

图3是本发明实施例中用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置的结构分解示意图一；

图4是本发明实施例中用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置的结构分解示意图二；

图5是本发明实施例中发光电路的电路图。

标记说明：10、壳体；11、连接孔；12、第一光纤孔；13、定位孔；20、底座；30、pcb板；40、固定板；41、固定孔；42、第二光纤孔。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。

如图1-5所示，为本发明实施例中用于对闪烁体发光强度进行刻度的替代光源装置，该装置包括壳体10和底座20，壳体10通过螺丝31与底座20固定连接。壳体10内形成暗室，暗室内设有：

pcb板30和传输光纤，传输光纤与外部光强探测器连接，pcb板30上设有发光电路。如图5所示，发光电路包括输入端、限流电阻r1和发光二极管，输入端与外部脉冲发生器连接，限流电阻r1的第一端与输入端连接，第二端与发光二极管的负极连接，发光二极管的正极接地。具体的，壳体10上设有连接孔11，脉冲发生器通过连接孔11与输入端连接。

在本实施例中，发光电路还包括并联设置的滤波电容c1和滤波电容c2，滤波电容c1和滤波电容c2的一端与输入端连接，另一端接地。具体的，滤波电容c1＝100μf，滤波电容c2＝100nf，限流电阻的阻值为1.0kω。

在本实施例中，暗室呈圆柱形，pcb板30通过螺丝固定于暗室的一端，壳体10上设有第一光纤孔12，传输光纤从第一光纤孔12进入暗室的另一端。

在本实施例中，pcb板30与传输光纤之间设有滤波片，暗室内设有固定板40，固定板40上设有固定孔42，螺丝穿过固定孔42将滤波片固定于固定板40上，固定板40上设有第二光纤孔42，传输光纤的前端穿过第二光纤孔42。第二光纤孔42与第一光纤孔12配合将传输光纤固定。滤波片可避免传输光的强度超过后端光强探测器的响应范围，通过添加滤光片，可以扩大光强探测器的光强响应范围。

在本实施例中，壳体10上设有定位孔13，定位孔13内设有螺丝，螺丝的前端设于暗室内并与传输光纤抵接。用于将传输光纤固定。

工作时，将脉冲发生器调整为方波模式，在此模式下，通过调节频率、幅值、占空比、上升时间等参数，获取合适的光源对探测器进行刻度，同时也可对待测样品的光强进行标定。

本发明的有益效果：

本发明选择发光二极管作为发光光源，该光源具有光束集中稳定、启动无延时、发热少、亮度可调、工作电压低、重复性好，体积小，易携带，可根据光强探测器敏感光波长范围选择合适的发光二极管。

本发明为发光二极管设计了发光电路，使发光二极管的发光参数可以根据需求可调。在脉冲模式下，根据需求调节脉冲发生器的频率、幅值、占空比、上升时间等参数，从而获取理想的光源或者模拟辐射发光情况，为研发新的闪烁体提供一种标准，有效，可量化的评价手段。并可通过不断改变脉冲发生器参数，控制发光二极管的发光强度，对光强探测器进行刻度。

以上实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。