一种中空结构的In2O3气敏材料及制备方法和应用与流程

文档序号:18866783发布日期:2019-10-14 18:25阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种中空结构的In2O3气敏材料及制备方法和应用,由前驱体In(OH)3煅烧制得中空结构的In2O3气敏材料,本发明制备方法步骤简单且可以适用于大规模生产,制得的中空结构的In2O3气敏材料可以作为低检测限的甲醛传感器的敏感材料,且浓度与响应值之间的线性关系很好,能够通过响应值的数值准确的计算出环境中甲醛的浓度,适合家庭环境中甲醛含量的实时监测。

技术研发人员:孙广;陶振华;李彦伟;曹建亮;张战营
受保护的技术使用者:河南理工大学
技术研发日:2019.04.26
技术公布日:2019.10.11
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